【導讀】近日
，我國芯片產業傳來重大利好消息——國家標準化管理委員會正式對立項的三項光刻膠相關標準進行公示，其中最引人注目的是《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》。這zhe一yi標biao準zhun的de製zhi定ding，標biao誌zhi著zhe我wo國guo在zai攻gong克ke高gao端duan芯xin片pian製zhi造zao核he心xin材cai料liao瓶ping頸jing上shang邁mai出chu了le至zhi關guan重zhong要yao的de一yi步bu
，對dui集ji成cheng電dian路lu產chan業ye自zi主zhu可ke控kong發fa展zhan具ju有you深shen遠yuan的de戰zhan略lve意yi義yi。

光刻膠，被譽為芯片工業的“血液”，是光刻工藝中不可或缺的關鍵耗材。它通過精密的光化學反應，將設計好的電路圖形“轉印”到矽片上

，其性能直接決定了芯片的製程水平和良率。隨著半導體技術不斷向更小節點演進
，極紫外（EUV）光刻技術已成為突破7nm乃至3nm以下先進製程的唯一量產手段。與之配套的EUV光刻膠
，自然也成為了決定能否躋身全球芯片製造第一梯隊的核心材料。

光刻膠（Photoresist）
，youchengguangzhikangshiji，shiyizhongduiguangmingandehunheyeti，zaiguangkegongyiguochengzhong，yongzuokangfushitucengcailiao。tadezuoyongjiuxiangyigelinshibaohumo，tongguoganguanghexianyingdeguocheng，jiangnamijidianlutujingzhundi“印”到矽片上。

根據曝光光源的波長來劃分，光刻膠大致可以分為：

·  g線光刻膠（436nm）

·  i線光刻膠（365nm）

·  KrF光刻膠（248nm）

·  ArF光刻膠（193nm）

·  EUV光刻膠（13.5nm）

然而，一個嚴峻的現實是，全球EUV光刻膠市場超過95%的份額被日本JSR、東dong京jing應ying化hua等deng少shao數shu幾ji家jia企qi業ye壟long斷duan，我wo國guo在zai該gai領ling域yu的de國guo產chan化hua率lv目mu前qian仍reng為wei零ling。這zhe種zhong高gao度du依yi賴lai的de格ge局ju，使shi我wo國guo高gao端duan芯xin片pian產chan業ye的de發fa展zhan麵mian臨lin著zhe巨ju大da的de供gong應ying鏈lian安an全quan風feng險xian和he“卡脖子”困境。

在EUV光刻膠研發尚處早期
、國產化幾乎空白的背景下，測試標準的建立堪稱一場“及時雨”。此前，國內缺乏統一、科學的測試方法，多依賴國外企業標準，導致國產材料在晶圓廠的驗證周期漫長
，嚴重遲滯了研發和應用進程。

此次立項的《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》
，旨在係統性地規範核心性能指標的檢測流程，如靈敏度、線邊緣粗糙度等。它將與另外兩項針對ArF光刻膠及其浸沒式技術的標準——《ArF光刻膠釋氣測量方法》和《ArF浸沒式光刻膠小分子浸出速率測量方法》——共同構成支撐芯片材料國產化的標準體係骨架。

標biao準zhun落luo地di後hou，將jiang有you力li推tui動dong測ce試shi數shu據ju的de互hu認ren，降jiang低di晶jing圓yuan廠chang導dao入ru國guo產chan材cai料liao的de風feng險xian
，促cu進jin測ce試shi設she備bei的de國guo產chan化hua替ti代dai，從cong而er顯xian著zhu壓ya縮suo研yan發fa成cheng本ben
，加jia速su整zheng個ge產chan業ye從cong“依賴進口”到“自主可控”的躍遷。

盡管前路挑戰重重，但我國在光刻膠領域的研發正呈現出積極的加速態勢。2025年以來，多項重要研究成果相繼湧現：

清華大學團隊開發出基於聚碲氧烷的新型EUV光刻膠，為材料設計提供了創新思路。

華東理工大學與國外頂尖實驗室合作，在先進光刻膠的精確製備和光刻驗證上取得進展。

北京大學團隊利用冷凍電鏡技術，揭示了光刻膠在工藝中的微觀機製
，成功提升了晶圓製造的良率。

在產業端
，無錫建立了全國首個納米級光刻膠中試線，據稱其單分子粒徑已達到國際領先水平，並具備支撐國產EUV光刻機研發的潛力。

這些從高校前沿研究到產業中試平台的突破，表明那扇曾經緊閉的技術大門，正在被一點點推開。