陶瓷電容器技術分析
發布時間:2018-08-22 責任編輯:wenwei
【導讀】陶瓷電容器又(you)稱(cheng)為(wei)瓷(ci)介(jie)電(dian)容(rong)器(qi)或(huo)獨(du)石(shi)電(dian)容(rong)器(qi)。顧(gu)名(ming)思(si)義(yi),瓷(ci)介(jie)電(dian)容(rong)器(qi)就(jiu)是(shi)介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)為(wei)陶(tao)瓷(ci)的(de)電(dian)容(rong)器(qi)。根(gen)據(ju)陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)的(de)不(bu)同(tong),這(zhe)種(zhong)電(dian)容(rong)器(qi)可(ke)分(fen)為(wei)容(rong)量(liang)為(wei)1~300 pF的低頻瓷介電容器和容量為300—22 000 pF的高頻瓷介電容器兩類。按結構形式分類,又可分為圖片狀電容器、管狀電容器、矩形電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種。
陶瓷電容器概述
陶tao瓷ci電dian容rong器qi又you稱cheng為wei瓷ci介jie電dian容rong器qi或huo獨du石shi電dian容rong器qi。顧gu名ming思si義yi,瓷ci介jie電dian容rong器qi就jiu是shi介jie質zhi材cai料liao為wei陶tao瓷ci的de電dian容rong器qi。根gen據ju陶tao瓷ci材cai料liao的de不bu同tong,這zhe種zhong電dian容rong器qi可ke分fen為wei容rong量liang為wei1~300 pF的低頻瓷介電容器和容量為300—22 000 pF的高頻瓷介電容器兩類。按結構形式分類,又可分為圖片狀電容器、管狀電容器、矩形電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種。
陶瓷電容器的特點
1:由於陶瓷電容的介質材料為陶瓷介質,所以耐熱性能好,不易老化。
2:陶瓷電容能耐酸堿及鹽類的腐蝕,搞腐蝕性好。
3:低壓陶瓷電容的介電常數大,體積小,容量大。
4:陶瓷電容絕緣性能好,耐高壓。
5:陶瓷電容基本不隨溫度,電壓,時間等變化而變化。

陶瓷電容器分類
1、半導體陶瓷電容器
(1)表麵層陶瓷電容器 dianrongqideweixiaoxinghua,jidianrongqizaijinkenengxiaodetijineihuodejinkenengdaderongliang,zheshidianrongqifazhandequxiangzhiyi。duiyufenlidianrongqizujianlaishuo,weixiaoxinghuadejibentujingyouliangge:①使介質材料的介電常數盡可能提高;②使(shi)介(jie)質(zhi)層(ceng)的(de)厚(hou)度(du)盡(jin)可(ke)能(neng)減(jian)薄(bo)。在(zai)陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)中(zhong),鐵(tie)電(dian)陶(tao)瓷(ci)的(de)介(jie)電(dian)常(chang)數(shu)很(hen)高(gao),但(dan)是(shi)用(yong)鐵(tie)電(dian)陶(tao)瓷(ci)製(zhi)造(zao)普(pu)通(tong)鐵(tie)電(dian)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)時(shi),陶(tao)瓷(ci)介(jie)質(zhi)很(hen)難(nan)做(zuo)得(de)很(hen)薄(bo)。首(shou)先(xian)是(shi)由(you)於(yu)鐵(tie)電(dian)陶(tao)瓷(ci)的(de)強(qiang)度(du)低(di),較(jiao)薄(bo)時(shi)容(rong)易(yi)碎(sui)裂(lie),難(nan)於(yu)進(jin)行(xing)實(shi)際(ji)生(sheng)產(chan)操(cao)作(zuo),其(qi)次(ci),陶(tao)瓷(ci)介(jie)質(zhi)很(hen)薄(bo)時(shi)易(yi)於(yu)造(zao)成(cheng)各(ge)種(zhong)各(ge)樣(yang)的(de)組(zu)織(zhi)缺(que)陷(xian),生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)難(nan)度(du)很(hen)大(da)。
2)晶界層陶瓷電容器 晶粒發育比較充分的BaTiO3半導體陶瓷的表麵上,塗覆適當的金屬氧化物(例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等),在適當溫度下,於氧化條件下進行熱處理,塗覆的氧化物將與BaTiO3形(xing)成(cheng)低(di)共(gong)溶(rong)液(ye)相(xiang),沿(yan)開(kai)口(kou)氣(qi)孔(kong)和(he)晶(jing)界(jie)迅(xun)速(su)擴(kuo)散(san)滲(shen)透(tou)到(dao)陶(tao)瓷(ci)內(nei)部(bu),在(zai)晶(jing)界(jie)上(shang)形(xing)成(cheng)一(yi)層(ceng)薄(bo)薄(bo)的(de)固(gu)溶(rong)體(ti)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)。這(zhe)種(zhong)薄(bo)薄(bo)的(de)固(gu)溶(rong)體(ti)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)的(de)電(dian)阻(zu)率(lv)很(hen)高(gao)(可達1012~1013Ω·cm),盡管陶瓷的晶粒內部仍為半導體,但是整個陶瓷體表現為顯介電常數高達2×104到8×104的絕緣體介質。用這種瓷製備的電容器稱為晶界層陶瓷電容器(boundarg layer ceramic capacitor),簡稱BL電容器。
2、高壓陶瓷電容器
高壓陶瓷電容器的瓷料主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基兩大類。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電係數高、交流耐壓特性較好的優點,但也有電容變化率隨介質溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。鈦酸鍶晶體的居裏溫度為-250℃,在常溫下為立方晶係鈣鈦礦結構,是順電體,不存在自發極化現象,在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電係數變化小,tgδ及電容變化率小,這些優點使其作為高壓電容器介質是十分有利的。
3、多層陶瓷電容器
多(duo)層(ceng)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)是(shi)片(pian)式(shi)元(yuan)件(jian)中(zhong)應(ying)用(yong)最(zui)廣(guang)泛(fan)的(de)一(yi)類(lei),它(ta)是(shi)將(jiang)內(nei)電(dian)極(ji)材(cai)料(liao)與(yu)陶(tao)瓷(ci)坯(pi)體(ti)以(yi)多(duo)層(ceng)交(jiao)替(ti)並(bing)聯(lian)疊(die)合(he),並(bing)共(gong)燒(shao)成(cheng)一(yi)個(ge)整(zheng)體(ti),又(you)稱(cheng)片(pian)式(shi)獨(du)石(shi)電(dian)容(rong)器(qi),具(ju)有(you)小(xiao)尺(chi)寸(cun)、高比容、高精度的特點,可貼裝於印製電路板(PCB)、混合集成電路(HIC)基片,有效地縮小電子信息終端產品(尤其是便攜式產品)的體積和重量,提高產品可靠性。順應了IT產業小型化、輕量化、高性能、多功能的發展方向,國家2010年遠景目標綱要中明確提出將表麵貼裝元器件等新型元器件作為電子工業的發展重點。它不僅封裝簡單、密封性好,而且能有效地隔離異性電極。MLCC在電子線路中可以起到存儲電荷、阻斷直流、濾波、禍合、區分不同頻率及使電路調諧等作用。在高頻開關電源、計算機網絡電源和移動通信設備中可部分取代有機薄膜電容器和電解電容器,並大大提高高頻開關電源的濾波性能和抗幹擾性能。

陶瓷電容器的作用
旁路(去耦)
這(zhe)是(shi)為(wei)交(jiao)流(liu)電(dian)路(lu)中(zhong)某(mou)些(xie)並(bing)聯(lian)的(de)元(yuan)件(jian)提(ti)供(gong)低(di)阻(zu)抗(kang)的(de)通(tong)路(lu)。在(zai)電(dian)子(zi)電(dian)路(lu)中(zhong),去(qu)耦(ou)電(dian)容(rong)和(he)旁(pang)路(lu)電(dian)容(rong)都(dou)是(shi)起(qi)到(dao)抗(kang)幹(gan)擾(rao)的(de)作(zuo)用(yong),電(dian)容(rong)器(qi)所(suo)處(chu)的(de)位(wei)置(zhi)不(bu)同(tong),稱(cheng)呼(hu)就(jiu)不(bu)一(yi)樣(yang)。對(dui)於(yu)同(tong)一(yi)個(ge)電(dian)路(lu)來(lai)說(shuo),旁(pang)路(lu)(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容,是把輸出信號的幹擾作為濾除對象。我們經常可以看到,在電源和地之間連接著去耦電容,它有三個方麵的作用:一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產生的高頻噪聲,切斷其通過供電回路進行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構成幹擾。
耦合
用yong在zai耦ou合he電dian路lu中zhong的de陶tao瓷ci電dian容rong稱cheng為wei耦ou合he電dian容rong,在zai阻zu容rong耦ou合he放fang大da器qi和he其qi他ta電dian容rong耦ou合he電dian路lu中zhong大da量liang使shi用yong這zhe種zhong電dian容rong電dian路lu,起qi隔ge直zhi流liu通tong交jiao流liu作zuo用yong,它ta作zuo為wei兩liang個ge電dian路lu之zhi間jian的de連lian接jie,允yun許xu交jiao流liu信xin號hao通tong過guo並bing傳chuan輸shu到dao下xia一yi級ji電dian路lu。
濾波
用(yong)在(zai)濾(lv)波(bo)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)稱(cheng)為(wei)濾(lv)波(bo)電(dian)容(rong),濾(lv)波(bo)電(dian)容(rong)是(shi)會(hui)將(jiang)一(yi)定(ding)頻(pin)段(duan)內(nei)的(de)信(xin)號(hao)從(cong)總(zong)信(xin)號(hao)中(zhong)去(qu)除(chu)的(de),所(suo)以(yi)在(zai)電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)中(zhong),整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)將(jiang)交(jiao)流(liu)變(bian)成(cheng)脈(mai)動(dong)的(de)直(zhi)流(liu),而(er)在(zai)整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)之(zhi)後(hou)接(jie)入(ru)一(yi)個(ge)較(jiao)大(da)容(rong)量(liang)的(de)陶(tao)瓷(ci)電(dian)容(rong),利(li)用(yong)其(qi)充(chong)放(fang)電(dian)特(te)性(xing),使(shi)整(zheng)流(liu)後(hou)的(de)脈(mai)動(dong)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)變(bian)成(cheng)相(xiang)對(dui)比(bi)較(jiao)穩(wen)定(ding)的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)。
諧振
用在LC諧振電路中的安規電容器稱為諧振電容,LC並聯和串聯諧振電路中都需這種電容電路。
溫度補償
針對其它元件對溫度的適應性不夠帶來的影響而進行補償,改善電路的穩定性。
調諧
是對與頻率相關的電路進行係統調諧,比如手機、收音機、電視機。
儲能
儲能就是儲存電能,用於必要的時候釋放。例如相機閃光燈,加熱設備等等。(現如今很多電容的儲能水平已經可以接近鋰電池的水準,一個電容儲存的電能就可以供一個手機使用一天的時間)
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