上圖為典型的半橋自舉驅動電路，由於寄生電感的存在，在高端MOS關閉後
，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續流，導致VSduanchanshengfuya，qiefuyadedaxiaoyujishengdianganyuchengzhengbiguanxi。gaifuyahuibaqudongdedianweiladaofudianwei，daozhiqudongdianluyichang

，haikenengrangzijudianrongguochongdiandaozhiqudongdianluhuozhezhajisunhuai。youyuIC的驅動端通常都有寄生二極管，當瞬間的大電流流過驅動口的二極管時，很可能引發寄生SCR閉鎖效應
，導致驅動電路徹底損壞。

 

如上圖所示，在自舉驅動芯片VS端與Q1的源極之間增加一個電阻Rvs，該電阻不僅是自舉限流電阻，同時還是導通電阻和關斷電阻。由於占空比受自舉電容影響，該電阻值一般不能取得較大
，推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時間可以由以下公式得出：

其中C是自舉電容容值，D為最大占空比。

 

致遠電子的PV係列光伏電源
，內部的MOS驅動技術就幫助此款產品解決了很多高端MOS的疑難怪症，最終成就了產品的高可靠性。200~1200VDC超寬輸入電壓範圍，長壽命
、高效率、低紋波噪聲、高可靠性等特點。

 

 

對於減小高端MOS驅動的寄生振蕩，除通過增加驅動端的電阻發揮作用外，在印製電路板的設計中，還可注意以下一些細節
，將寄生振蕩降到最低。如：自舉二極管應緊靠自舉電容，功率布線盡量短且走線圓滑，直插器件應緊貼PCB以減小寄生電感等。怎麼樣?趕快試試吧!