PTFB係列的產品特性：

• 單管輸出功率高達300W
• 支持高峰值對均值功率比
• 支持高數據傳輸速率規格
• 開放式共振腔陶瓷封裝
• 無鉛並符合ROHS規格

PTFB係列的應用範圍：

• 可供設計寬頻無線網絡基站
• 有助於設計Doherty放大器
• 應用在WCDMA信號設備

英飛淩科技(Infineon TEchnologies)公司於1999年4月1日(ri)在(zai)德(de)國(guo)慕(mu)尼(ni)黑(hei)正(zheng)式(shi)成(cheng)立(li)，是(shi)全(quan)球(qiu)領(ling)先(xian)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)公(gong)司(si)之(zhi)一(yi)，其(qi)前(qian)身(shen)是(shi)西(xi)門(men)子(zi)集(ji)團(tuan)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)部(bu)門(men)。在(zai)中(zhong)國(guo)，英(ying)飛(fei)淩(ling)先(xian)進(jin)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)已(yi)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)各(ge)個(ge)領(ling)域(yu)，該(gai)公(gong)司(si)憑(ping)借(jie)其(qi)雄(xiong)厚(hou)的(de)技(ji)術(shu)實(shi)力(li)和(he)全(quan)球(qiu)領(ling)先(xian)的(de)經(jing)驗(yan)，與(yu)包(bao)括(kuo)中(zhong)興(xing)、華為
、方正、握奇等國內領先廠商展開深入合作，為中國電子行業的騰飛做出應有的貢獻。

在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管方麵，英飛淩立足於最先進的LDMOS工藝技術和改善散熱性能的封裝
，這家公司可製造門類齊全的RF功率晶體管和芯片產品
，全麵支持所有主要的無線通信和廣播頻段。先進的LDMOS工藝以及全自動RF組裝和測試生產線，確保其產品具有業內領先的性能和質量。目前，包括愛立信
、華為和中興在內的不少知名的無線網絡設備商都在大批采用英飛淩的LDMOS管。

PTFB係列LDMOS晶體管是英飛淩全新推出的可供設計寬頻無線網絡基站的高功率LDMOS晶體管係列產品，新型晶體管的單管輸出功率高達300W，完全支持由3G發展為4G無線網絡所需的高峰值對均值功率比(peak to average Power raTIo)以及高數據傳輸速率規格。PTFB係列係列產品所提供的高增益及高功率密度，主要應用在1.4-2.6GHz頻帶中。如此將可使用體積減少30%的器件
，設計更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助於設計Doherty放大器，以及減少其它架構中的零件數量。

新型PTFB係列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝
，供螺栓式(bolt- down)或無耳式(earless)安裝。這些產品皆無鉛並符合ROHS規格，非常適合應用在WCDMA信號設備上，能夠為設備提供出更高的增益和效率，還可大幅度提升最新MCPA(多載波功率放大器)和數字預失真係統的性能，可以滿足高級通信業務的移動網絡運營商的要求。該係列的產品現已投產。

英飛淩公司通過推出新一代LDMOSgongyi

，zaicibiaomingleqiweiyidongwangluotigongjianduanshepingonglvjishudejiandingjuexin。xinyidaijishuchanpindetuichu，nenggourangwuxianwangluoxitongkaifashangjiangdichengben，tigaoxitongxingneng，zengqiangxitongzhilianghekekaoxing。