產品特性：

• 第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)
• 增強了電感性能
  ，提高了靈活性
• 配合設計高精度、高性價比的集成無源元件

應用範圍：

• 電子設備中的射頻(RF)係統級封裝
• 用於最新便攜和無線應用
   

應用於綠色電子產品的首要高性能
、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor
，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™矽銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能
，提高了靈活性

，配合設計高精度、高性價比的集成無源元件，用於便攜電子設備中的射頻(RF)係統級封裝應用。

HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定製代工部眾多創新製造服務之一，采用先進的8英寸晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器
、帶通濾波器和雙工器，用於最新便攜和無線應用。基於IPD2的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位麵積
，以及更高性能(等同於延長電池使用時間)。

安森美半導體為其IPD2工藝技術提供全功能設計工具和設計支援

，以及快速的原型製造能力
，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估
，不管他們複雜度較低的分立或集成印製電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案
，還是基於更昂貴的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉換至IPD2工藝。

安森美半導體定製代工部高級總監Rick Whitcomb說：“在高性價比
、xiaochicunhedicharusunhaodepingtaishangjichengwuyuanqijian，nengweidianchigongdianbianxiedianzichanpinshejirenyuantigongjiyouyongdefangan。womenyiquantaoshejigongjuhejishupeihezhexingongyi
，nenggoubangzhukehuyizuiduandeshijianhezuidadexinxin
，congxiaoyongxiangduijiaodidejishuzhuanhuanzhiwomendeIPD2工藝。”