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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現研究
本文給出了基於E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲係數和高OIP3使它在高動態範圍電路設計上具有很大的優勢,並且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規範要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真
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阻抗匹配
本(ben)文(wen)詳(xiang)細(xi)討(tao)論(lun)了(le)傳(chuan)輸(shu)線(xian)的(de)阻(zu)抗(kang)匹(pi)配(pei)問(wen)題(ti)。重(zhong)點(dian)介(jie)紹(shao)了(le)串(chuan)聯(lian)終(zhong)端(duan)匹(pi)配(pei)和(he)並(bing)聯(lian)終(zhong)端(duan)匹(pi)配(pei)，提(ti)出(chu)將(jiang)訊(xun)號(hao)的(de)傳(chuan)輸(shu)看(kan)成(cheng)軟(ruan)管(guan)送(song)水(shui)澆(jiao)花(hua)和(he)傳(chuan)輸(shu)線(xian)之(zhi)終(zhong)端(duan)控(kong)管(guan)技(ji)術(shu)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產品及其工藝開發
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數，並設計了一套符合6寸芯片生產線的製造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數據線ESD防護CeraDiode
愛普科斯現可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點是標準值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產品適合於高速數據線的ESD防護，如USB、以太網、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護 CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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霍爾效應技術提供緊湊型電流測量傳感器
通常測量3-20A範圍內電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統測量方法，和使用電流傳感器。新的研發隊伍融合了兩家公司的專業經驗，已經重新設計了日本最暢銷的產品SY係列，並把它發展成為HX係列。
2008-10-11
霍爾效應 LEM SY HX
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電流型熱電偶溫度變送器的設計
在化工、石油、電力、冶煉等行業的自動化控製係統中熱電偶發揮著對溫度的監控作用。本文主要開發設計出一套具有較高精度和穩定性的實用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補償
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基於以太網的分布式溫濕度智能監控係統
對現有多種傳統溫濕度監控係統進行了研究，發現其多采用RS485chuanshufangshi，juyoukongzhifanweixiaohebuxianfansuodengjuxianxing。weigoujiandaguimokuadiyudewenshidujiankongxitong，caiyongjiangyitaiwangjishuyuchuantongwenshidujiankongxitongxiangjiehedefangfajiruanyingjianxietongshejidesixiang，yanzhichuleyizhongmokuaihuakecaijian、基於以太網的分布式智能溫濕度監控係統。實踐...
2008-10-11
溫濕度監控 遠程控製 以太網 分布式
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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種複合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優點集於一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅動電路 過流檢測
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