在實際應用，一般將普通的具有雙向阻斷能力
、隻能控製正向導通的半控型晶閘管，直接稱為晶閘管，或者SCR（矽控整流器）
，而其他類型晶閘管根據它們的功能和特性命名。

 

jingzhaguanzaitongtaishikeyichengshoufeichangdadelangyongdianliu
，erzaizutainengchengshoufeichanggaodedianya，zheliangdiandejixianzhizaimuqiandesuoyouqijianzhongdoushizuigaode
，ruguomeiyouwufaziguanduanzhegeyanzhongdequexian，namejingzhaguanjiushiwanmeidedianlibandaotiqijian。zhegenjingzhaguandejiegouyoumiqieguanxi。

 

晶閘管也是一個三端器件
，按照現有的應用習慣，其三個端子定義為陽極（A
，anode）、陰極（K，cathode）和門極（G
，gate）。晶閘管的符號以及對應三個端子的定義如圖1所示。

 

 

實際上一個典型的晶閘管的結構如圖2所示，一般從陽極到陰極的雜質半導體的性質為PNPN，因此存在3個PN結，從陽極到陰極依次為J1、J2和J3。此時，這3個結不再像晶體管那樣有具體的名稱。這3個PN結可以通過合金—擴散法或全擴散法形成
，陽極、陰極和門極電極分別通過金屬連接與對應的半導體層相連接。

 

 

為了分析方便，這裏把如圖2所示的晶體管簡化成如圖3所suo示shi的de簡jian化hua結jie構gou圖tu
，並bing認ren為wei各ge雜za質zhi半ban導dao體ti的de摻chan雜za濃nong度du是shi均jun勻yun的de
，按an照zhao晶jing閘zha管guan在zai實shi際ji電dian路lu中zhong的de使shi用yong情qing況kuang
，圖tu中zhong還hai給gei出chu了le用yong於yu晶jing閘zha管guan運yun行xing原yuan理li分fen析xi的de外wai圍wei電dian路lu，則ze流liu入ru晶jing閘zha管guan陽yang極ji的de電dian流liu為weiIA，流出晶閘管陰極的電流為IK，流入晶閘管門極的電流為IG，晶閘管陽極到陰極之間的電壓為UAK。

 

 

晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層，與門極相連的重摻雜P+層，此三層的厚度（在圖中體現為寬度）都較小，剩下的一層為相對輕摻雜的層N-層，其厚度較大，而厚度較大的輕摻雜對器件的耐壓和通態特性都有顯著的影響。
 

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