霍爾效應電流傳感的趨勢
發布時間:2023-08-27 責任編輯:lina
【導讀】本文介紹了使用霍爾效應電流傳感器集成電路的一些進展。本文檔包含將主電流路徑合並到係統中的各種封裝概念、IC 參數的主要改進以及 UPS、逆變器和電池監控的典型應用電路的一些示例。
本文介紹了使用霍爾效應電流傳感器集成電路的一些進展。本文檔包含將主電流路徑合並到係統中的各種封裝概念、IC 參數的主要改進以及 UPS、逆變器和電池監控的典型應用電路的一些示例。
介紹
過去十年,工業、汽車、商業和通信係統對低成本、、小xiao尺chi寸cun電dian流liu傳chuan感gan器qi解jie決jue方fang案an的de需xu求qiu迅xun速su增zeng長chang。可ke以yi使shi用yong各ge種zhong技ji術shu將jiang電dian流liu轉zhuan換huan為wei成cheng比bi例li的de電dian壓ya。霍huo爾er效xiao應ying磁ci性xing探tan測ce器qi的de優you點dian是shi與yu電dian流liu路lu徑jing的de固gu有you電dian壓ya隔ge離li以yi及ji將jiang霍huo爾er元yuan件jian和he接jie口kou電dian子zi器qi件jian集ji成cheng在zai單dan個ge矽gui芯xin片pian上shang。 [1] 新的設計理念和先進 BiCMOS 技術的係統使用使得 IC 性能得到進一步提高。通過支持在同一電流傳感器 IC 中集成電源保護等附加功能,這些還為新產品方法打開了大門。
包裝理念
Allegro 電流傳感器 IC 器件的特點是將單片線性霍爾 IC 和(he)低(di)電(dian)阻(zu)初(chu)級(ji)電(dian)流(liu)傳(chuan)導(dao)路(lu)徑(jing)集(ji)成(cheng)到(dao)單(dan)次(ci)注(zhu)塑(su)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)。通(tong)過(guo)霍(huo)爾(er)傳(chuan)感(gan)器(qi)相(xiang)對(dui)於(yu)銅(tong)導(dao)體(ti)的(de)緊(jin)密(mi)接(jie)近(jin)和(he)定(ding)位(wei)來(lai)優(you)化(hua)設(she)備(bei)精(jing)度(du)。低(di)功(gong)耗(hao)和(he)高(gao)電(dian)壓(ya)隔(ge)離(li)是(shi)封(feng)裝(zhuang)概(gai)念(nian)的(de)本(ben)質(zhi)特(te)征(zheng)。封(feng)裝(zhuang)電(dian)流(liu)測(ce)量(liang)係(xi)統(tong)的(de)終(zhong)尺(chi)寸(cun)、形狀和附加組件取決於待測量的初級電流的幅度。本節詳細介紹了不同電流測量範圍的創新封裝技術。
電流高達 20 A
對於高達 ±20 A 的小標稱電流,霍爾芯片和主電流路徑采用標準尺寸 SOIC8 表麵貼裝封裝,如圖 1 和圖 3 所示。這提供了一種緊湊、薄bo型xing的de解jie決jue方fang案an,可ke兼jian容rong具ju有you大da批pi量liang自zi動dong化hua電dian路lu板ban組zu裝zhuang技ji術shu。倒dao裝zhuang芯xin片pian技ji術shu的de使shi用yong可ke以yi優you化hua霍huo爾er元yuan件jian的de有you源yuan麵mian與yu被bei感gan測ce電dian流liu產chan生sheng的de磁ci場chang之zhi間jian的de磁ci耦ou合he。因yin此ci不bu需xu要yao通tong量liang集ji中zhong器qi。用yong於yu電dian流liu檢jian測ce的de銅tong路lu徑jing的de內nei阻zu通tong常chang為wei 1.5 mΩ,以實現低功耗。電源端子也與低壓信號 I/O 引腳電氣隔離。精心的 IC 和封裝設計可以進一步改善器件的電壓隔離,
圖 1 ACS 封裝的內部結構,顯示 U 形初級銅導體和單個倒裝芯片安裝的霍爾 IC。
圖 2 CB 封裝的內部結構,顯示初級導體(銅,左)、通量集中器(紅色)以及線性 sip 霍爾 IC(黑色)和信號引腳(銅,右)。
圖 3 ±20 A(LC 封裝)和 ±200 A(CB 封裝)電流傳感器 IC 的照片,用硬幣顯示以進行比較。
電流高達 200 A
對於更高的電流,必須增加銅導體的橫截麵以適應 CB 封裝中提供的材料內的電流密度。由於較厚的導體和線性霍爾元件之間存在磁耦合,因此必須使用通量集中器。銅路徑、線性 SIP 霍爾器件和集中器在包覆成型之前經過組裝。通過精心設計係統,初級導體電阻通常低至 100 ?Ω,並且初級路徑和信號側之間可實現 3 kV 的均方根隔離電壓(60 Hz,持續 1 分鍾)。圖 2 顯示了這種 ±200 A 電流傳感器的內部結構,圖 3 顯示了該傳感器和 ±20 A 封裝類型的照片。
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