rennaogenjushenjingyuandehuodonglaixietiaowomendeganzhi
，sixianghexingdong。shenjingkexuejiazhengzainulitongguocaiyongnenggouzaixingweiguochengzhongyidanshenjingyuanhedanfengfenbianlifenli，shibiehecaozongshenjingyuandefangfalailijiedanaodegongneng。神經探針已經在細胞外記錄，腦機接口（BMI）和深部腦刺激（DBS）中(zhong)取(qu)得(de)了(le)成(cheng)功(gong)，但(dan)在(zai)一(yi)些(xie)新(xin)的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)也(ye)取(qu)得(de)了(le)成(cheng)功(gong)，例(li)如(ru)腦(nao)圖(tu)繪(hui)製(zhi)，神(shen)經(jing)元(yuan)功(gong)能(neng)的(de)恢(hui)複(fu)以(yi)及(ji)腦(nao)部(bu)疾(ji)病(bing)的(de)研(yan)究(jiu)。理(li)想(xiang)情(qing)況(kuang)下(xia)，神(shen)經(jing)探(tan)針(zhen)陣(zhen)列(lie)應(ying)具(ju)有(you)良(liang)好(hao)的(de)生(sheng)物(wu)相(xiang)容(rong)性(xing)，具(ju)有(you)高(gao)信(xin)噪(zao)比(bi)的(de)高(gao)密(mi)度(du)電(dian)極(ji)，通(tong)過(guo)柔(rou)性(xing)電(dian)纜(lan)的(de)互(hu)連(lian)能(neng)力(li)，高(gao)度(du)集(ji)成(cheng)的(de)電(dian)子(zi)架(jia)構(gou)，

 

為了允許在大腦的多個區域中大規模記錄單個神經元，在神經探針中需要高密度和大量電極。不幸的是， 的高密度CMOS神經探針具有很大的“柄”，這是探針植入大腦區域的一部分。“小腿”部分需要盡可能薄

，以免幹擾或損害正常的大腦功能。現在
，它們還不像神經科學家想要的那麼小。另外，當前的電子設計架構不是 的。探頭設計包括大量的小有源電極，可放大和緩衝神經信號。CMOS像素放大器（PA）在很小的空間中位於電極下方
；由於空間不足，信號處理被迫在探頭底部進行。

 

MOM壓力傳感器

 

讓我們從壓力傳感器設計開始。有MEMSyalichuanganqi，tamenshidianrongshiheyadianshide，tijixiaoqiexingnengxiangdanghao。haiyouyixieguangxianchuanganqi，juyouchaolingminxinghedizaoshengdetexing，danshizaijichengdujiaodideshejijiagouzhongshi 的。

 

現在，讓我們將以上兩個傳感器特性組合到一個集成的傳感器中
，該傳感器稱為微光機械（MOM）壓力傳感器。與壓電式和電容式傳感器設計相比，該器件為我們帶來了更高的靈敏度和更佳的噪聲特性，但占地麵積卻相同。

 

用Mach-Zehnder幹涉儀（MZI）係統或環形諧振器演示了MOM設備（圖1）。