半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960年左右才出現，然而其理論基礎peltiereffect可追溯到19世紀。這現象最早是在1821年
，由一位德國科學家thomasseeback首先發現，不過他當時做了錯誤的推論，並沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠
，同時也是兼職研究這現象的物理學家jeanpeltier，才發現背後真正的原因
，這個現象直到近代隨著半導體的發展才有了實際的應用
，也就是［致冷器］的發明（注意，這種叫致冷器
，還不叫半導體致冷器）。

由許多n型和p型半導體之顆粒互相排列而成
，而np之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹一樣夾起來
，陶瓷片必須絕緣且導熱良好
，外觀由許多n型和p型半導體之顆粒互相排列而成，而np之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。

n型(xing)半(ban)導(dao)體(ti)。任(ren)何(he)物(wu)質(zhi)都(dou)是(shi)由(you)原(yuan)子(zi)組(zu)成(cheng)
，原(yuan)子(zi)是(shi)由(you)原(yuan)子(zi)核(he)和(he)電(dian)子(zi)組(zu)成(cheng)。電(dian)子(zi)以(yi)高(gao)速(su)度(du)繞(rao)原(yuan)子(zi)核(he)轉(zhuan)動(dong)，受(shou)到(dao)原(yuan)子(zi)核(he)吸(xi)引(yin)，因(yin)為(wei)受(shou)到(dao)一(yi)定(ding)的(de)限(xian)製(zhi)，所(suo)以(yi)電(dian)子(zi)隻(zhi)能(neng)在(zai)有(you)限(xian)的(de)軌(gui)道(dao)上(shang)運(yun)轉(zhuan)，不(bu)能(neng)任(ren)意(yi)離(li)開(kai)，而(er)各(ge)層(ceng)軌(gui)道(dao)上(shang)的(de)電(dian)子(zi)具(ju)有(you)不(bu)同(tong)的(de)能(neng)量(liang)（電子勢能）。liyuanzihezuiyuanguidaoshangdedianzi
，jingchangkeyituoliyuanzihexiyin
，erzaiyuanzizhijianyundong，jiaodaoti。ruguodianzibunengtuoliguidaoxingchengziyoudianzi
，gubunengcanjiadaodian，jiaojueyuanti。bandaotidaodiannenglijieyudaotiyujueyuantizhijian，jiaobandaoti。bandaotizhongyaodetexingshizaiyidingshuliangdemouzhongzazhishenrubandaotizhihou
，budannengdadajiadadaodiannengli，erqiekeyigenjuchanruzazhidezhongleiheshuliangzhizaochubutongxingzhi、不同用途的半導體。將一種雜質摻入半導體後
，會放出自由電子

，這種半導體稱為n型半導體。

p型半導體
，是靠“空穴”來導電。在外電場作用下“空穴”流動方向和電子流動方向相反，即“空穴”由正板流向負極，這是p型半導體原理。

載流子現象：n型半導體中的自由電子，p型半導體中的“空穴”
，他們都是參與導電，統稱為“載流子”
，它是半導體所特有，是由於摻入雜質的結果。

半導體製冷材料：不僅需要n型和pxingbandaotitexing，haiyaogenjuchanrudezazhigaibianbandaotidewenchadiandongshilv，daodianlvhedaorelvshizhezhongteshubandaotinengmanzuzhilengdecailiao。muqianguoneichangyongcailiaoshiyidihuabiweijitidesanyuangurongtihejin，qizhongp型是bi2te3—sb2te3

，n型是bi2te3—bi2se3，采用垂直區熔法提取晶體材料。

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