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175℃耐溫 + 全係列覆蓋，上海貝嶺高壓電機驅動芯片賦能工業與儲能場景
自 2018 年啟動工控與儲能市場戰略布局以來，上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業電源、BMS、電動工具、電動車等核心領域，專注於為客戶打造高性價比的半導體產品及係統解決方案。公司產品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產品、功率器件三大核心領域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅動、數據轉換、標準信號八大產品線，成功構建起全麵的模擬與數模混合產品解決方案平台。其中，在高壓電機驅動領域，公司產品覆蓋率已突破 80%。
2025-10-17
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意法半導體保障SPC58汽車MCU供應20年，破解供應鏈焦慮
全球領先的半導體解決方案提供商意法半導體（STMicroelectronics）近日宣布，將其廣受歡迎的SPC58係列汽車微控製器（MCU）的長期供應計劃從原來的15年顯著延長至20年。這一重大決策意味著該係列通用及高性能產品線將確保至少供應至2038年，而其中通用係列中的SPC58 H係列憑借其高達10MB的非易失性存儲器（NVM）容量，供應期限更將延長至至少2041年，為汽車製造商和供應商提供前所未有的供應鏈安全性和長期穩定性。
2025-09-12
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破局PMIC定製困境：無代碼方案加速產品落地
電源管理集成電路(PMIC)有(you)益(yi)於(yu)簡(jian)化(hua)最(zui)終(zhong)應(ying)用(yong)並(bing)縮(suo)小(xiao)其(qi)尺(chi)寸(cun)，也(ye)因(yin)此(ci)備(bei)受(shou)青(qing)睞(lai)。然(ran)而(er)，當(dang)默(mo)認(ren)啟(qi)動(dong)時(shi)序(xu)和(he)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)與(yu)應(ying)用(yong)要(yao)求(qiu)不(bu)符(fu)時(shi)，就(jiu)需(xu)要(yao)定(ding)製(zhi)上(shang)電(dian)設(she)置(zhi)。大(da)多(duo)數(shu)情(qing)況(kuang)下(xia)，電(dian)路(lu)沒(mei)有(you)可(ke)以(yi)存(cun)儲(chu)這(zhe)些(xie)設(she)置(zhi)的(de)非(fei)易(yi)失(shi)性(xing)存儲器(NVM)。對此，低功耗微控製器是一個很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時對PMIC控製寄存器進行編程，而不需要開發固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發固件，能夠簡化PMIC的定製過程，並顯著縮短開發周期。
2025-05-18
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動態存儲重構技術落地！意法半導體全球首發可編程車規MCU破解域控製器算力僵局
意法半導體推出內置xMemory的Stellar車規級微控製器。xMemory是Stellar係列汽車微控製器內置的新一代可改變存儲配置的存儲器，可徹底改變開發軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平台的艱難過程。
2025-04-17
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自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
人工智能(AI)應用對高性能內存，尤其是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長，芯片設計因此變得更加複雜。自動測試設備(ATE)廠商是驗證這些芯片的關鍵一環，目前正麵臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統上，在存儲器晶圓探針電源應用中，PhotoMOS開關因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助於減少信號失真，改善開關關斷隔離度，同時實現更快的開關速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負麵影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，並使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處於支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優的性能。
2024-11-20
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AMD 宣布推出第二代 Versal Premium 係列，滿足數據密集型工作負載需求
2024 年 11 月 12 日，加利福尼亞州聖克拉拉——AMD（超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布推出第二代 AMD Versal™ Premium 係列，這款自適應 SoC 平台旨在麵向各種工作負載提供最高水平係統加速。第二代 Versal Premium 係列將成為 FPGA 行業首款在硬 IP 中采用 Compute Express Link （CXL®）3.1① 與 PCIe® Gen6 並支持 LPDDR5 存儲器的器件。
2024-11-13
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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數據存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對於高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低雲和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。
2024-11-08
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DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品製造商之一，Kingston 麵向各種規模的工業和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一係列專為係統設計師和製造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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意法半導體突破20納米技術節點，提升新一代微控製器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布了一項基於 18 納米全耗盡絕緣體上矽(FD-SOI) 技術並整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的(de)先(xian)進(jin)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)，支(zhi)持(chi)下(xia)一(yi)代(dai)嵌(qian)入(ru)式(shi)處(chu)理(li)器(qi)升(sheng)級(ji)進(jin)化(hua)。這(zhe)項(xiang)新(xin)工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu)是(shi)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)和(he)三(san)星(xing)晶(jing)圓(yuan)代(dai)工(gong)廠(chang)共(gong)同(tong)開(kai)發(fa)，使(shi)嵌(qian)入(ru)式(shi)處(chu)理(li)應(ying)用(yong)的(de)性(xing)能(neng)和(he)功(gong)耗(hao)實(shi)現(xian)巨(ju)大(da)飛(fei)躍(yue)，同(tong)時(shi)可(ke)以(yi)集(ji)成(cheng)容(rong)量(liang)更(geng)大(da)的(de)存儲器和更多的模擬和數字外設。基於新技術的下一代 STM32 微控製器的首款產品將於 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
2024-03-26
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Hprobe 攜先進磁性測試解決方案，首度亮相 SEMICON China 2026
中國上海，2026年3月24日——Mycronic 旗下子公司 Hprobe 正式宣布攜手知名科學儀器製造商Quantum Design China，首度亮相半導體行業盛會 SEMICON China 2026。作為半導體行業磁性測試設備（ATE）領域領導者，Hprobe 將以此為契機拓展中國市場布局，深化與中國半導體行業領先企業、晶圓代工廠及科研院所的合作，助力中國磁性隨機存儲器（MRAM）和磁傳感器的大規模量產。
2024-03-24
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意法半導體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產品輕鬆擁有驚豔圖效
意法半導體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控製器(MCU)，讓成本敏感的小型產品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區，以節省外部存儲芯片。新產品還集成了意法半導體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠實現的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
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