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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。
2022-02-16
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安森美的NCP1680 PFC控製器獲2021 PowerBest獎
領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控製器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
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專為MPS IC優化的表麵貼裝電感
MPS新型表麵貼裝功率電感適用於各種電源和功率變換器應用。其一體成型電感和半屏蔽式係列電感的電感範圍為0.33μH至22μH，飽和電流範圍為0.8 A至64 A。
2022-02-15
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應性能的創新電源技術“QuiCurTM”
全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）確立了一種新電源技術“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉換器IC在內的各種電源IC的負載響應特性*1（以下稱為“響應性能”，指後級電路工作時的響應速度和電壓穩定性）。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過衝和振鈴開始成為問題。適用於SiC FET的簡單RC緩衝電路可以解決這些問題，並帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩傑SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優於矽基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較於傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具ju有you更geng小xiao的de導dao通tong電dian阻zu，更geng快kuai的de開kai關guan速su度du，使shi得de係xi統tong損sun耗hao大da幅fu降jiang低di，效xiao率lv提ti升sheng，體ti積ji減jian小xiao，從cong而er實shi現xian變bian換huan器qi的de高gao效xiao高gao功gong率lv密mi度du化hua，因yin此ci廣guang泛fan適shi用yong於yu5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換係統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由於SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較於傳統的Si功率器件，SiC 器(qi)件(jian)具(ju)有(you)更(geng)快(kuai)的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du)，更(geng)好(hao)的(de)溫(wen)度(du)特(te)性(xing)使(shi)得(de)係(xi)統(tong)損(sun)耗(hao)大(da)幅(fu)降(jiang)低(di)，效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)，體(ti)積(ji)減(jian)小(xiao)，從(cong)而(er)實(shi)現(xian)變(bian)換(huan)器(qi)的(de)高(gao)效(xiao)高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)化(hua)。當(dang)前(qian)碳(tan)化(hua)矽(gui)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)主(zhu)要(yao)在(zai)新(xin)能(neng)源(yuan)汽(qi)車(che)的(de)車(che)載(zai)充(chong)電(dian)機(ji)、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩傑推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以(yi)應(ying)對(dui)市(shi)場(chang)需(xu)求(qiu)。在(zai)從(cong)矽(gui)器(qi)件(jian)到(dao)碳(tan)化(hua)矽(gui)器(qi)件(jian)使(shi)用(yong)轉(zhuan)變(bian)過(guo)程(cheng)中(zhong)，客(ke)戶(hu)常(chang)常(chang)會(hui)遇(yu)到(dao)一(yi)些(xie)疑(yi)問(wen)或(huo)者(zhe)使(shi)用(yong)問(wen)題(ti)，為(wei)此(ci)，派(pai)恩(en)傑(jie)針(zhen)對(dui)客(ke)戶(hu)的(de)問(wen)題(ti)進(jin)行(xing)歸(gui)納(na)總(zong)結(jie)並(bing)分(fen)享(xiang)一(yi)些(xie)解(jie)決(jue)辦(ban)法(fa)。
2022-02-09
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將ICT和FCT優勢結合在單個測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術生成刺激信號進行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實際數據，以便確認所有被測器件（DUT）測試節點的結果在公差範圍內，以及是否有開路、短路、錯(cuo)件(jian)或(huo)極(ji)性(xing)接(jie)反(fan)的(de)問(wen)題(ti)。這(zhe)些(xie)都(dou)在(zai)不(bu)上(shang)電(dian)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)進(jin)行(xing)測(ce)量(liang)。繼(ji)電(dian)器(qi)多(duo)路(lu)複(fu)用(yong)器(qi)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)連(lian)接(jie)探(tan)針(zhen)觸(chu)點(dian)和(he)電(dian)路(lu)板(ban)的(de)模(mo)擬(ni)通(tong)道(dao)或(huo)數(shu)字(zi)驅(qu)動(dong)器(qi)/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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適用於電流模式DC-DC轉換器的統一的LTspice AC模型
當dang電dian源yuan設she計ji人ren員yuan想xiang要yao大da致zhi了le解jie電dian源yuan的de反fan饋kui環huan路lu時shi，他ta們men會hui利li用yong環huan路lu增zeng益yi和he相xiang位wei波bo特te圖tu。知zhi道dao環huan路lu響xiang應ying可ke進jin行xing預yu測ce有you助zhu於yu縮suo小xiao反fan饋kui環huan路lu補bu償chang元yuan件jian的de選xuan擇ze範fan圍wei。
2022-02-09
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針對SiC串擾抑製方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由於SiC MOSFET 正(zheng)向(xiang)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)與(yu)負(fu)向(xiang)安(an)全(quan)電(dian)壓(ya)較(jiao)小(xiao)，串(chuan)擾(rao)問(wen)題(ti)引(yin)起(qi)的(de)正(zheng)負(fu)向(xiang)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)更(geng)容(rong)易(yi)造(zao)成(cheng)開(kai)關(guan)管(guan)誤(wu)導(dao)通(tong)或(huo)柵(zha)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)，進(jin)而(er)增(zeng)加(jia)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，嚴(yan)重(zhong)時(shi)損(sun)壞(huai)開(kai)關(guan)管(guan)，因(yin)此(ci)合(he)適(shi)的(de)串(chuan)擾(rao)抑(yi)製(zhi)方(fang)法(fa)對(dui)提(ti)高(gao)變(bian)換(huan)器(qi)工(gong)作(zuo)可(ke)靠(kao)性(xing)、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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如何仿真轉換器的數字輸入／輸出
對於SAR-ADC的仿真比較複雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型。現有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。
2022-02-08
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