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超寬壓鐵路電源方案的分析與對比
全(quan)球(qiu)主(zhu)流(liu)鐵(tie)路(lu)係(xi)統(tong)呈(cheng)現(xian)多(duo)電(dian)壓(ya)供(gong)電(dian),導(dao)致(zhi)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)無(wu)法(fa)歸(gui)一(yi)化(hua)實(shi)現(xian)掉(diao)電(dian)保(bao)持(chi)功(gong)能(neng),增(zeng)加(jia)了(le)客(ke)戶(hu)應(ying)用(yong)係(xi)統(tong)的(de)設(she)計(ji)難(nan)度(du)和(he)管(guan)理(li)成(cheng)本(ben)。為(wei)兼(jian)容(rong)超(chao)寬(kuan)全(quan)電(dian)壓(ya)輸(shu)入(ru)範(fan)圍(wei)和(he)電(dian)容(rong)歸(gui)一(yi)化(hua),金(jin)升(sheng)陽(yang)利(li)用(yong)自(zi)主(zhu)ICdeyoushifamingleyizhongzhudongshidiaodianbaochidianlu。benwentongguofenxishimianshangjizhongchangjiantieludianyuanfangandeyouquedian,duichaokuanyatieludianyuanfanganjinxingduibiyuzongjie。
2022-07-13
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仿真看世界之SiC單管並聯中的寄生導通問題
這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管並聯中的寄生導通問題。
2022-07-12
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25kW SiC直流快充設計指南(第八部分完結篇):熱管理
在本係列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基於安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充係統。在這一章,我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性,同時防止係統過早失效的。
2022-07-11
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貿澤榮獲Vishay頒發的三項年度分銷商大獎
2022年7月8日 – 專注於引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時獲得知名電子元件製造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發的三項大獎。這三個獎項分別為2021年度美洲優質服務分銷商、2021年度美洲優質服務半導體分銷商和2021年度EMEA優質服務分銷商。
2022-07-08
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構建高效通信連接,貿澤將攜手Molex舉辦汽車天線解決方案在線研討會
2022年7月7日 – 專注於引入新品推動行業創新™的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Molex於7月12日14:00-15:00舉辦主題為“車輪上的數據中心-Molex天線解決方案”的直播研討會。屆時,來自Molex的技術專家將為觀眾分享應用於汽車上的不同類型的天線方案,幫助工程師麵對不同場景時,能夠快速設計出高效的汽車通信產品。
2022-07-07
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25kW SiC直流快充設計指南(第七部分):800V EV充電係統的輔助電源
在本係列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基於安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25kW EV快充係統,包括這個可擴展係統的整體架構和規格,以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設計和控製策略。我們基本已經把電路設計部分講完了,除了輔助電源設計的相關內容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC係列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展,半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化矽(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來,如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量,以及向800 V遷移的趨勢中更能發揮它的優勢,但麵臨成本、封裝及技術成熟度等多方麵挑戰。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案,在SiC領域有著深厚的曆史積澱,是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一,其創新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩定可靠的平麵SiC技(ji)術(shu),結(jie)合(he)燒(shao)結(jie)技(ji)術(shu)和(he)壓(ya)鑄(zhu)模(mo)封(feng)裝(zhuang),幫(bang)助(zhu)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)解(jie)決(jue)上(shang)述(shu)挑(tiao)戰(zhan),配(pei)合(he)公(gong)司(si)其(qi)他(ta)先(xian)進(jin)的(de)智(zhi)能(neng)功(gong)率(lv)電(dian)源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti),加(jia)快(kuai)市(shi)場(chang)采(cai)用(yong)電(dian)動(dong)車(che),助(zhu)力(li)未(wei)來(lai)的(de)交(jiao)通(tong)邁(mai)向(xiang)可(ke)持(chi)續(xu)發(fa)展(zhan)。
2022-07-07
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貿澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產AC/DC和DC/DC轉換器及開關穩壓器的電源製造商。在頒獎典禮上,RECOM表彰了貿澤在新產品引入和全球客戶增長方麵的卓越表現。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化矽MOSFET的弱點。為了避免這種效應,硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是,這對於CoolSiC™MOSFET真的是必要的嗎?
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關特性
如下圖1是今年英飛淩新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45mΩ的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB後,其管腳到器件內部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數如下圖所示,其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號,VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內部芯片的信號,芯片Q1內包含寄生電阻Rgint=4Ω。
2022-07-06
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、堅(jian)固(gu)性(xing)和(he)易(yi)用(yong)性(xing)於(yu)一(yi)身(shen)。由(you)於(yu)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)低(di),它(ta)們(men)的(de)效(xiao)率(lv)很(hen)高(gao),因(yin)此(ci)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)。但(dan)盡(jin)管(guan)如(ru)此(ci),工(gong)程(cheng)師(shi)需(xu)要(yao)了(le)解(jie)器(qi)件(jian)的(de)靜(jing)態(tai)和(he)動(dong)態(tai)性(xing)能(neng)以(yi)及(ji)關(guan)鍵(jian)影(ying)響(xiang)參(can)數(shu),以(yi)實(shi)現(xian)他(ta)們(men)的(de)設(she)計(ji)目(mu)標(biao)。在(zai)下(xia)麵(mian)的(de)文(wen)章(zhang)中(zhong),我(wo)們(men)將(jiang)為(wei)您(nin)提(ti)供(gong)更(geng)多(duo)關(guan)於(yu)這(zhe)方(fang)麵(mian)的(de)見(jian)解(jie)。
2022-07-05
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰
隨著雲計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發展,設計人員麵臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控製難度之間權衡取舍的挑戰,安森美(onsemi)基於新一代半導體材料碳化矽(SiC)的方案,有助於變革性地優化UPS設計。
2022-07-04
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