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Digi-Key推出 2022 開學季大抽獎，推動學生進行創新和學習
全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics，開啟備受期待的年度開學季抽獎活動，讓大學生們有機會贏取獎品，Digi-Key 為他們提供需要的工具，幫助他們發揮想象力和展開工程設計，同時鼓勵和支持他們提升技能並培養他們對工程設計的熱情。
2022-10-01
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安森美在捷克共和國擴建碳化矽工廠
2022年9月22日—領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，慶祝其在捷克共和國Roznov擴建的碳化矽 (以下簡稱“SiC”) 工廠的落成。以工業和貿易部科長Zbyněk Pokorný、茲林州州長Radim Holiš和市長Jiří Pavlica以及當地其他政府要員為首的多位嘉賓出席了剪彩儀式，表明這一事件和半導體製造在捷克共和國的重要性。
2022-10-01
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貿澤推出EIT計劃第5期 - 探討私有5G網絡的潛力
2022年9月30日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其Empowering Innovation Together™計劃的最新一期。本期將探討用於工業物聯網部署的私有5G網絡的商業用例，這些網絡可按照5G New Radio (NR) Release 16獨立擁有、管理和保護。
2022-10-01
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高轉換率、符合CISPR 5類電磁輻射標準的穩壓器長這樣
當設計中需要優先考慮並盡可能減少EMI（電磁幹擾）時(shi)，線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)可(ke)以(yi)算(suan)得(de)上(shang)一(yi)種(zhong)低(di)噪(zao)聲(sheng)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，但(dan)考(kao)慮(lv)到(dao)散(san)熱(re)和(he)效(xiao)率(lv)要(yao)求(qiu)其(qi)並(bing)不(bu)適(shi)用(yong)於(yu)該(gai)種(zhong)場(chang)景(jing)，反(fan)而(er)需(xu)要(yao)選(xuan)擇(ze)開(kai)關(guan)穩(wen)壓(ya)器(qi)。即(ji)使(shi)在(zai)對(dui)EMI敏感的應用中，開關穩壓器通常也是輸入電源總線上的第一個有源元件，無論下遊變換器如何，它都會顯著影響整個轉換器的EMI性能。確保可以通過電源IC的選取可以抑製EMI並達到效率要求，LT8614 Silent Switcher™穩壓器做到了這一點。
2022-09-29
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什麼是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？
本文延續之前的一係列短文，麵向非射頻工程師講解射頻技術；我們將探討IC衰減器，並針對其類型、配置和規格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產品，並為終端應用選擇合適的產品。該係列的相關文章包括："為應用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕鬆選擇合適的頻率產生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化矽進行雙向車載充電機設計
電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到 2 kW，到高端電動汽車中的 22 kW 不等。傳統上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關注。本文將重點關注雙向 OBC，並討論碳化矽（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的優勢。
2022-09-27
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構建滿足特定應用要求的DPS係統需要考慮這些因素！
器件電源(DPS) IC具有靈活的電壓驅動和電流驅動容量，能夠為自動測試設備(ATE)提供動態測試能力。當負載電流介於兩個設定限流值之間時，DPS IC可以作為電壓源；在達到設定限流值時，DPS IC可以順利轉換為精密電流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術如何提高器件性能和壽命
由於碳化矽（SiC）器件的低導通損耗和低動態損耗，英飛淩CoolSiC™ MOSFET越來越多地被用於光伏、快速電動車充電基礎設施、儲chu能neng係xi統tong和he電dian機ji驅qu動dong等deng工gong業ye應ying用yong。但dan與yu此ci同tong時shi，工gong程cheng師shi也ye麵mian臨lin著zhe獨du特te的de設she計ji挑tiao戰zhan。實shi現xian更geng小xiao的de外wai形xing尺chi寸cun，同tong時shi保bao持chi功gong率lv變bian換huan係xi統tong的de散san熱re性xing能neng，是shi相xiang互hu矛mao盾dun的de挑tiao戰zhan，但dan英ying飛fei淩ling創chuang新xin的de.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案。
2022-09-27
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關斷柵極電壓欠衝對SiC MOSFET導通行為的影響
本(ben)文(wen)探(tan)討(tao)了(le)關(guan)斷(duan)時(shi)發(fa)生(sheng)的(de)柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)欠(qian)衝(chong)對(dui)導(dao)通(tong)開(kai)關(guan)特(te)性(xing)的(de)影(ying)響(xiang)。這(zhe)種(zhong)影(ying)響(xiang)來(lai)自(zi)於(yu)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)的(de)遲(chi)滯(zhi)效(xiao)應(ying)，指(zhi)柵(zha)偏(pian)壓(ya)變(bian)化(hua)時(shi)，閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)的(de)完(wan)全(quan)可(ke)恢(hui)複(fu)瞬(shun)態(tai)偏(pian)移(yi)。閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)的(de)遲(chi)滯(zhi)效(xiao)應(ying)是(shi)由(you)半(ban)導(dao)體(ti)-絕緣體界麵缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠衝會對碳化矽（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
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如何加強對Type-C數據線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規範極大地簡化了實現互連和為數碼相機和超薄平板電腦等電子產品供電的方式（圖1）。該規範支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在係統保護方麵帶來了新的挑戰。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發生機械短路的風險。此外，由於USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最後，電子負載越來越複雜，需要加強ESD和電壓浪湧保護。此設計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構以及與D+/D-數據信號保護相關的挑戰，然後提出了一種高度集成的2xSPDT開關，隻需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰。
2022-09-19
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加速工業自動化升級，貿澤電子2022技術創新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注於引入新品推動行業創新™的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布於9月19 - 22日舉辦貿澤電子技術創新周第二期專題活動。本期內容將重點聚焦工業自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術專家，並攜手哈爾濱工業大學電磁驅動與控製研究所副所長，寧波市智能製造技術研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個時間段，為大家帶來工業自動化的前沿應用與方案，展望工業自動化未來發展趨勢。
2022-09-16
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Molex與貿澤聯手推出射頻連接器內容中心，介紹射頻連接器在智能農業等領域中的應用
2022年9月15日 – 專注於引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰和變革潛力。此內容中心提供十多項關於射頻技術的豐富資源，包括播客節目、白皮書、博客文章和產品指南等。每項內容都直接鏈接到貿澤網站上的Molex產品頁麵，讓用戶輕鬆找到其設計所需的工具。
2022-09-15
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