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聚焦器件可靠性、柵極驅動器創新和總體係統解決方案
碳化矽（SiC）技術能在大幅提高當前電力係統效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案並不是矽基解決方案的直接替代品，它們並非完全相同。為了實現SiC技術的願景，開發人員必須從產品質量、供貨情況和服務支持等各個方麵仔細評估多家產品和供應商，並了解如何優化不同SiC功率組件到其最終係統的集成。
2022-12-09
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汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規級產品，滿足汽車質量管理體係，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產業創新戰略聯盟（以下簡稱“聯盟”）在2020年發布了《純電動乘用車車規級芯片一般要求》團體標準，將汽車半導體分為10個大類和60個小類，10個大類分別包括控製芯片、存儲芯片、計算芯片、信息安全芯片、驅動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負載導致的啟動故障
內置折返式限流電路的線性穩壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時，可能會出現無法啟動的問題。
2022-12-08
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提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優勢）
近年來隨著高性能計算需求的持續增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產品中，然而HBM的layout實現完全不同於傳統的Package/PCB設計，其基於2.5D interposer的設計中，由於interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰。
2022-12-08
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複雜電源係統中的明星：數字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來，板級電源模塊產品呈現爆炸式發展態勢，其集成度高、體積緊湊的優點，吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應用類型、yuelaiyuefuzadeshiyongchangjing，yeduidianyuanmokuaichanpintichulegenggaodetiaozhan。ruhedadaoxingnengzuiyou？ruhetishengyonghushejitiyan？ruhezengqiangkekaoxing？gezhongjianruidewenti，cushiIC電源廠商不斷追求著控製策略優化、工藝優化、設計結構優化。MPS在電源模塊產品設計方麵有著自己獨到的理解和技術沉澱，並藉此推動電源模塊產品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用於下一代大功率應用的XHP2封裝
軌(gui)道(dao)交(jiao)通(tong)牽(qian)引(yin)變(bian)流(liu)器(qi)的(de)平(ping)台(tai)化(hua)設(she)計(ji)和(he)易(yi)擴(kuo)展(zhan)性(xing)是(shi)其(qi)主(zhu)要(yao)發(fa)展(zhan)方(fang)向(xiang)之(zhi)一(yi)，其(qi)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)也(ye)提(ti)出(chu)了(le)新(xin)的(de)需(xu)求(qiu)。一(yi)方(fang)麵(mian)需(xu)要(yao)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)能(neng)滿(man)足(zu)更(geng)寬(kuan)的(de)電(dian)壓(ya)等(deng)級(ji)和(he)電(dian)流(liu)等(deng)級(ji)，另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)也(ye)要(yao)兼(jian)容(rong)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)的(de)新(xin)技(ji)術(shu)，比(bi)如(ru)IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這zhe樣yang既ji有you利li於yu電dian力li電dian子zi係xi統tong的de平ping台tai化hua設she計ji，也ye可ke以yi增zeng加jia係xi統tong的de功gong率lv密mi度du，減jian小xiao係xi統tong的de尺chi寸cun和he體ti積ji。因yin此ci，半ban導dao體ti器qi件jian需xu要yao具ju有you更geng低di的de雜za散san電dian感gan、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用於大功率應用的XHP™ 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用於 EV 充電係統柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電係統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 係統遷移。像碳化矽這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與矽 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關於該公司用於此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方麵。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電係統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 係統遷移。像碳化矽這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與矽 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關於該公司用於此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方麵。
2022-12-05
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貿澤電子帶你探索汽車設計發展新趨勢
專注於推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 致力於為采購人士和工程師提供各類資源和新產品，助其走在汽車解決方案的創新前沿。貿澤攜手知名製造商合作夥伴通過博客、文章、視頻等，帶你深入了解現代汽車設計挑戰和解決方案，洞察汽車行業的未來。
2022-12-02
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車輛電壓保護——將電壓水平保持在限度內
車輛中可能會短暫存在高電壓，而僅比規定電壓高出幾伏就足以損壞高度敏感的IC器件。因而針對靜電放電 (ESD)、拋負載(load dump)脈衝和瞬變提供充分保護是至關重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個(ge)微(wei)帶(dai)天(tian)線(xian)單(dan)元(yuan)組(zu)成(cheng)，通(tong)過(guo)耦(ou)合(he)式(shi)差(cha)分(fen)饋(kui)電(dian)，天(tian)線(xian)實(shi)現(xian)了(le)寬(kuan)帶(dai)匹(pi)配(pei)和(he)方(fang)向(xiang)圖(tu)高(gao)度(du)對(dui)稱(cheng)特(te)性(xing)。通(tong)過(guo)對(dui)天(tian)線(xian)與(yu)芯(xin)片(pian)進(jin)行(xing)合(he)理(li)布(bu)局(ju)，減(jian)小(xiao)了(le)芯(xin)片(pian)射(she)頻(pin)端(duan)口(kou)到(dao)天(tian)線(xian)子(zi)陣(zhen)的(de)饋(kui)電(dian)線(xian)損(sun)，提(ti)高(gao)了(le)有(you)源(yuan)陣(zhen)列(lie)天(tian)線(xian)的(de)整(zheng)體(ti)效(xiao)率(lv)。測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)表(biao)明(ming)，該(gai)陣(zhen)列(lie)天(tian)線(xian)在(zai)工(gong)作(zuo)頻(pin)段(duan)為(wei)24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大於60 dBm，並且陣列波束掃描至±30°、±60°時的增益下降分別不超過0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模塊讓工業設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化矽（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優於目前主流應用的矽（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現係統的低損耗和小型化。
2022-12-02
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