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簡述碳化矽SIC器件在工業應用中的重要作用
dianlidianzizhuanhuanqizaikuaisufazhandegongyegejuzhongfahuizhezhiguanzhongyaodezuoyong。tamendeyingyongzhengzaizengjia，bingqiezaizhongduoxinjishuzhongfahuizhehexinzuoyong，baokuodiandongqiche、牽引係統、太空探索任務、深層石油開采係統、飛機係統等領域的進步。
2022-12-19
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碳化矽器件驅動設計之寄生導通問題探討
富昌電子（Future Electronics）yizhizhiliyuyizhuanyedejishufuwu，weikehudazaogexinghuadejiejuefangan，bingsuoduanchanpinshejizhouqi。zaidisandaibandaotideshijiyingyonglingyu，fuchangdianzijiehezishendejishujileihexiangmujingyan，luobiyuSiC相關設計的係列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，並期待與您進一步的交流。
2022-12-16
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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
高壓功率係統設計人員努力滿足矽MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基於矽的解決方案在效率和可靠性方麵通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方麵極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化矽（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數據，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏製造業訂單增長最好，印刷、製藥、暖通空調、食品機械和電梯持平，其它行業都有降低。相關應用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設備製造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網關也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現相對亮眼，達到兩位數以上的增長率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美開關
碳化矽 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片麵積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方麵擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關係到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相當。
2022-12-16
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Vicor攜手貿澤推出以48V設計為主題的全新資源網站
2022年12月14日 – 專注於推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Vicor聯手推出一個全新的資源網站，提供各種麵向48V產品和電源設計的資源。該網站包含一係列深入詳細的文章、視頻和信息圖，為設計人員和製造商提供了全麵的資源，助其開發采用48V較高壓配電係統的新型電源。
2022-12-14
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數字電容器 IC 如何簡化天線調諧？
天線調諧要求的源阻抗和負載阻抗共軛匹配，從無線技術誕生開始一直延續至今，而今已經演變成一種新的、更具挑戰性的形式。
2022-12-14
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安森美智能電源產品斬獲中國“2022年Top 10電源產品獎”多項殊榮
領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創新的智能電源產品在“2022年Top 10電源產品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32係列汽車碳化矽功率模塊獲“2022 Top 10電源產品獎”，汽車主驅碳化矽功率模塊VE-Trac™ Direct SiC獲“最佳應用獎”，高功率圖騰柱PFC控製器NCP1681獲“綠色節能獎”。“Top 10電源產品獎”由21IC中國電子網主辦，備受行業認可，獲得該殊榮的產品代表其在本年度具有極高的產品力和技術創新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）yizhizhiliyuyizhuanyedejishufuwu，weikehudazaogexinghuadejiejuefangan，bingsuoduanchanpinshejizhouqi。zaidisandaibandaotideshijiyingyonglingyu，fuchangdianzijiehezishendejishujileihexiangmujingyan，luobiyuSiC相關設計的係列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，並期待與您進一步的交流。
2022-12-13
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橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。
2022-12-12
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實現測試測量突破性創新，采用ASIC還是FPGA？
zuoweishijiechuangxindemuhouyingxiong，tebieshizaidianziqijianhetongxinjishufangmian，gongchengshimenyaokaifaceshishebei，yanzhengzhexiexinjishu，yibaxinjishutuixiangshichang。zhexiegongchengshibixuyunxingjianduanjishu，chuliyucexingyehechuangxinweilaidetiaozhan。zaikaichuangweilaideguochengzhong，ceshicelianggongchengshimianlindejichuxingchuangxintiaozhanzhiyi，shiquedingshejizhongcaiyongzhuanyongjichengdianlu(ASIC)還是現場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性電容式MEMS麥克風在車載中的應用
采用MEMS技術製造的電容式矽麥克風在小型化、性能、可靠性、環境耐受性、成本及量產能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優勢，一經推出變迅速占領手機、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機等消費電子產品市場。
2022-12-09
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