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製作RF設計原型的更好方法--使用X-Microwave
對於RF設計，典型的原型製作經驗是這樣的：為信號鏈中的每個元器件購買評估板，使用RF線纜將這些板串在一起，粗略估計適當布局的信號鏈要是構建在單個生產PCB上會有怎樣的性能。由於評估板PCB走zou線xian較jiao長chang，並bing且qie涉she及ji到dao大da量liang布bu線xian和he連lian接jie器qi，因yin此ci這zhe種zhong方fang法fa會hui產chan生sheng相xiang當dang大da的de插cha入ru損sun耗hao。由you此ci得de到dao的de原yuan型xing上shang線xian測ce試shi過guo程cheng也ye可ke能neng令ling人ren沮ju喪sang且qie耗hao時shi，因yin為wei每mei個ge評ping估gu板ban都dou有you特te定ding的de電dian壓ya要yao求qiu。RF器件需要多個具有特定電源軌上電時序電壓的情況也很常見，如果違反時序要求，器件可能會損壞。單單電源和RF線xian就jiu可ke能neng造zao成cheng巨ju大da麻ma煩fan，如ru有you電dian路lu板ban需xu要yao數shu字zi控kong製zhi，事shi情qing會hui變bian得de更geng加jia複fu雜za。如ru果guo整zheng個ge係xi統tong在zai首shou次ci開kai啟qi時shi沒mei能neng像xiang預yu期qi的de那na樣yang正zheng常chang工gong作zuo，那na麼me調tiao試shi很hen快kuai就jiu會hui變bian成cheng耐nai心xin和he毅yi力li的de磨mo煉lian。原yuan型xing設she計ji是shiRF工程界眾所周知的一個令人頭疼的問題，然而更快速、更簡單、更準確的原型解決方案則是使用ADI的X-Microwave。
2023-01-18
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在柵極驅動器IC方麵取得的進步讓開關電源實現新的功率密度水平
像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在 3.3 kW 開關電源 (SMPS)中，產品效率高達 98%，1U結構尺寸，其功率密度可達 100 W/in³。這之所以可以實現是因為我們在 圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化矽 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且還采用了氮化镓 (GaN) 功率開關（例如 CoolGaN™）用於400V LLC 應用。PFC 和 LLC 數字控製器是必不可少，正如采用平麵磁性器件和先進的柵極驅動器 IC（如EiceDRIVER™）在實現高性能方麵發揮著重要作用。
2023-01-16
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用於 SiC 解決方案設計的模塊化評估平台
以碳化矽(SiC) 技術為動力的下一代功率半導體將滿足快速增長的純電動汽車 (BEV) 市場和充電基礎設施的需求，以及對新能效標準、更高工業和可再生能源領域的功率密度和更小的係統尺寸。
2023-01-16
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ACM6753 無霍爾傳感器三相正弦波控製直流無刷電機BLDC馬達驅動IC解決方案
提到直流無刷電機，那不得不提的就是有刷電機了。有刷電機有一個比較令人討厭的缺點：那就是“吵”。因為電刷和換向環需要時刻不停地摩擦，才能給電樞供電。所以，如果你想要一個“靜音風扇”的話，肯定不能選使用了有刷電機的產品。無刷直流電機是在有刷直流電動機的基礎上發展來的，具有無極調速、調速範圍廣、過載能力強、線性度好、壽命長、體積小、重量輕、出力大等優點，解決了有刷電機存在的一係列問題，廣泛應用於工業設備、儀器儀表、家用電器、機器人、醫療設備等各個領域。
2023-01-14
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高壓柵極驅動IC自舉電路的設計與應用指南
本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設(she)計(ji)高(gao)性(xing)能(neng)自(zi)舉(ju)式(shi)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)係(xi)統(tong)方(fang)法(fa)，適(shi)用(yong)於(yu)高(gao)頻(pin)率(lv)，大(da)功(gong)率(lv)及(ji)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)場(chang)合(he)。不(bu)同(tong)經(jing)驗(yan)的(de)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)工(gong)程(cheng)師(shi)們(men)都(dou)能(neng)從(cong)中(zhong)獲(huo)益(yi)。在(zai)大(da)多(duo)數(shu)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)中(zhong)，開(kai)關(guan)功(gong)耗(hao)主(zhu)要(yao)取(qu)決(jue)於(yu)開(kai)關(guan)速(su)度(du)。因(yin)此(ci)，對(dui)於(yu)絕(jue)大(da)部(bu)分(fen)本(ben)文(wen)闡(chan)述(shu)的(de)大(da)功(gong)率(lv)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)，開(kai)關(guan)特(te)性(xing)是(shi)非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)的(de)。
2023-01-13
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熱插拔控製器改善了電源排序
對於許多係統，電源電壓必須按一定的順序施加，以防止電路損壞。過去，這項任務是通過分立電路實現的，但現代熱插拔控製器IC提供了一種替代方案，可以簡化設計並提高電源排序器的性能。
2023-01-13
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小而薄的MOSFET柵極驅動IC更適合小型化應用
電器中配電、上(shang)電(dian)排(pai)序(xu)和(he)電(dian)源(yuan)狀(zhuang)態(tai)轉(zhuan)換(huan)都(dou)需(xu)要(yao)負(fu)載(zai)開(kai)關(guan)，它(ta)可(ke)以(yi)減(jian)小(xiao)待(dai)機(ji)模(mo)式(shi)下(xia)的(de)漏(lou)電(dian)流(liu)，抑(yi)製(zhi)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)，實(shi)現(xian)斷(duan)電(dian)控(kong)製(zhi)。負(fu)載(zai)開(kai)關(guan)的(de)作(zuo)用(yong)是(shi)開(kai)啟(qi)和(he)關(guan)閉(bi)電(dian)源(yuan)軌(gui)，大(da)部(bu)分(fen)負(fu)載(zai)開(kai)關(guan)包(bao)含(han)四(si)個(ge)引(yin)腳(jiao)：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下遊電路。
2023-01-12
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25kW電動汽車SiC直流快充設計指南：經驗總結
在我們的係列參考設計文檔中，我們詳細描述了25 kW直流快充模塊的開發過程。本白皮書則主要探討25 kW直流快充模塊的開發和測試中硬件和固件設計以及調試階段的技巧與訣竅。我們將介紹如何測試和微調去飽和保護功能，分析SiC MOSFET漏極電壓振鈴的原因，以及添加緩衝電容的好處。此外還考慮如何在環回測試中使用比待測器件(DUT)功率更低的設備來測試DUT。最後，我們將討論相移雙有源橋控製算法設計。
2023-01-11
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使用即插即用的D類放大器輕鬆實現可穿戴和物聯網音頻
耗電顯示器不是與電池供電的便攜式、可穿戴和物聯網設備接口的最有效媒介。因此，低功耗音頻正迅速成為一種更受歡迎的替代品。在本設計解決方案中，我們回顧了D類數字音頻放大器，並討論了一些當前解決方案的限製，然後介紹了一種巧妙封裝的IC，該IC需要最少的配置即可快速為這些應用帶來高質量的音頻。
2023-01-11
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滿足高度緊湊型1500-V並網逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優化組合，實現成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用於高度緊湊型、高效率1500-V並網逆變器。新開發的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用於儲能係統等新興應用。
2023-01-10
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車規碳化矽功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業協會最新數據顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發展已經進入了快車道。在這裏我們注意到，由於裏程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線係統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線係統，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模塊，由於碳化矽得天獨厚的優勢，使得它非常適合用來製造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線係統對於核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母線係統的發展，有一些研究機構，預測截至到2026年，SiC在整個功率器件市場的占比將達到12%以上。
2023-01-10
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艾邁斯歐司朗與Quadric達成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗與端側AI機器學習處理器IP創新者Quadric宣布達成戰略合作，雙方將聯合開發集成傳感模塊，結合艾邁斯歐司朗前沿的Mira係列可見光和紅外光CMOS傳感器與Quadric新型Chimera™ GPNPU處理器。這些模塊實現超低功耗，雙方的融合將為可穿戴設備、機器人、工業及安防市場提供創新的智能傳感方案。合作產品已在2023年1月5日至8日拉斯維加斯CES展會首次亮相，並進行現場演示。
2023-01-09
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