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1200V,1700V,2000V......高性能碳化矽器件如何應對持續挑戰？

SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對於當今汽車和可再生能源等應用至關重要。隨著我們的世界逐漸轉向使用可持續能源（主要是電力），能(neng)效(xiao)比(bi)以(yi)往(wang)任(ren)何(he)時(shi)候(hou)都(dou)更(geng)重(zhong)要(yao)。提(ti)高(gao)開(kai)關(guan)模(mo)式(shi)能(neng)效(xiao)的(de)方(fang)法(fa)之(zhi)一(yi)是(shi)降(jiang)低(di)銅(tong)損(sun)和(he)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)。然(ran)而(er)，為(wei)了(le)應(ying)對(dui)這(zhe)一(yi)挑(tiao)戰(zhan)，直(zhi)流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)壓(ya)不(bu)斷(duan)上(shang)升(sheng)，半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)必(bi)須(xu)發(fa)展(zhan)以(yi)跟(gen)上(shang)步(bu)伐(fa)。這(zhe)些(xie)技(ji)術(shu)對(dui)企(qi)業(ye)實(shi)現(xian)碳(tan)減(jian)排(pai)承(cheng)諾(nuo)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)。在(zai)本(ben)文(wen)中(zhong)，安(an)森(sen)美(mei)(onsemi)將探討下一代 SiC 器件如何演進以應對最新應用的挑戰，本文還將闡釋穩健的端到端供應鏈對於確保持續成功的重要性。

2023-08-03
矽麥音頻放大電路

昨天討論並測試了對於英飛淩的模擬接口矽麥的放大電路，並利用LTspice進行了仿真測試，可以看到它能夠比較好的滿足對矽麥音頻放大的需要。但昨天博文中的電路有兩點缺陷，一個就是當放大信號比較大的時候，單管放大電路會出現比較大的失真。第二個就是昨天給出的電路圖中存在一個小的BUG，當時這個R1忘記在電路圖中給繪製出來，但在後麵的仿真電路中是標明的。

2023-08-02
數字控製器補償模擬控製器

用於電源控製的新興數字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能，例如內置柵極驅動和電流限製。數字電源控製器通常僅具有 PWM（脈寬調製）邏輯輸出，並且分立柵極驅動器很少包含電流限製。此外，大多數受保護的 FET 僅在低頻、低側應用中工作。

2023-08-02
毫米波雷達半精度浮點存儲格式分析

雷lei達da信xin號hao處chu理li需xu要yao使shi用yong大da量liang內nei存cun進jin行xing中zhong間jian結jie果guo和he最zui終zhong結jie果guo的de保bao存cun，而er內nei存cun大da小xiao直zhi接jie影ying響xiang處chu理li芯xin片pian的de成cheng本ben。選xuan擇ze合he適shi的de數shu據ju存cun儲chu格ge式shi，既ji保bao留liu較jiao高gao的de信xin號hao分fen辨bian率lv和he動dong態tai範fan圍wei，又you不bu占zhan用yong太tai大da的de存cun儲chu空kong間jian是shi相xiang當dang重zhong要yao的de。本ben文wen介jie紹shao了leTC3xx單片機雷達信號處理單元SPU支持的半精度浮點格式，將其和32bit整型數格式進行比較，分析了兩者的動態範圍及實際處理誤差，發現半精度浮點格式是“性價比”較高的存儲方式。另外，Tricore™ CPU還有專用硬件指令支持半精度和單精度浮點格式的相互轉換，便於信號的後期處理，並縮短數據格式轉換時間。

2023-08-01
貿澤電子新品推薦：2023年第二季度推出近30,000個新物料

2023年7月20日 – 業界知名的全球授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)，專注於快速引進新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，並加快產品上市速度，實現從設計鏈到供應鏈™的全程優勢。貿澤受到1,200duojiabandaotihedianziyuanjianzhizaoshangdexinren，bangzhutamenjiangchanpinfenxiaodaoquanqiushichang。maozezhizaiweikehutigongquanmianrenzhengdeyuanchangchanpin，bingtigongquanfangweidezhizaoshangkezhuisuxing。

2023-08-01
安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車製造商一直在追求更高功率的傳動係統、更geng大da的de電dian池chi容rong量liang和he更geng短duan的de充chong電dian時shi間jian。為wei滿man足zu客ke戶hu需xu求qiu和he延yan長chang行xing駛shi裏li程cheng，電dian動dong汽qi車che製zhi造zao商shang不bu斷duan增zeng加jia車che輛liang的de電dian池chi容rong量liang。然ran而er，電dian池chi越yue大da，意yi味wei著zhe充chong電dian的de時shi間jian就jiu越yue長chang。

2023-07-28
電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知

現今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節省能源、降低成本、提高係統容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節省能源，降低成本，提高係統容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態補償響應，以及高規格安規等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應後級電源時序控製，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩定性PFC應用。

2023-07-28
介紹一款適用於汽車和工業場合的高效同步SEPIC控製器

LT8711是一款直流-直流控製器，支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓撲。ADI有多款同步降壓、升壓變換器和控製器，但支持同步SEPIC拓撲的並不多。SEPIC拓撲其實非常實用，因為無論輸入電壓遠低於或遠高於輸出電壓，它都能提供穩定的電平輸出。

2023-07-27
用於SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

SiC MOSFET 在(zai)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)市(shi)場(chang)中(zhong)正(zheng)迅(xun)速(su)普(pu)及(ji)，因(yin)為(wei)它(ta)最(zui)初(chu)的(de)一(yi)些(xie)可(ke)靠(kao)性(xing)問(wen)題(ti)已(yi)得(de)到(dao)解(jie)決(jue)，並(bing)且(qie)價(jia)位(wei)已(yi)達(da)到(dao)非(fei)常(chang)有(you)吸(xi)引(yin)力(li)的(de)水(shui)平(ping)。隨(sui)著(zhe)市(shi)場(chang)上(shang)的(de)器(qi)件(jian)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)，必(bi)須(xu)了(le)解(jie) SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本係列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態係統的一部分，還將提供 NCP51705（用於 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅動器的使用指南。

2023-07-26
全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控製芯片

汽車中控係統通常都會提供一個 USB 充電端口，該端口需要在傳輸數據的同時為移動設備充電。對這些係統而言，選擇帶 USB 限流開關的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優勢應用於 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應用中。

2023-07-25
如何從正電壓電源獲得負電壓，正電壓轉負電壓的方法圖解

gaidianlutuxianshileruhecongzhengdianyadianyuanhuodefudianya。gaidianludelingyigeyoudianshi，fudianyayuyuanshizhengdianyuanyiqikeyongyumonishuangdianyuan。gaidianlujiyudingshiqiICNE555。NE555作為非穩態多諧振蕩器接線，工作頻率約為1KHz。方波輸出（如果位於IC的引腳3處）。

2023-07-25
借助更多的選項響應正反饋

負反饋什麼時候會變成正反饋？當控製工程師想要實現不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現成本效益最優的功率設計。

2023-07-24

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