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CSM2512S:Vishay新型表麵貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表麵貼裝Power Metal Strip電阻,該電阻可在額定功率及+70ºC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性, 在–55ºC至+125ºC及25ºC參考溫度條件下實現±15 PPM/ºC的絕對TCR ,以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
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IHLP-2020BZ-01:Vishay 2020封裝IHLP超薄、高電流電感器
Vishay宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位麵積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率,以及 0.1µH~10µH 的標準電感值。
2008-06-27
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VHP203:Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔電阻
為滿足高可靠性應用中對性能的長期穩定性的需求,Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C~+60°C範圍內具有 ±0.05 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色功率係數、±0.001% 的容差,以及 ±0.002% (20 ppm) 的負載壽命穩定性。
2008-06-27
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D2TO35:Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻,該器件采用易於安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK),並且具有廣泛的電阻值範圍。
2008-06-25
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TSHG*係列:Vishay 新型高功率850nm紅外發射器
Vishay推出采用 5mm 帶引線封裝的新一代 850nm 紅外發射器,從而拓寬了其光電子產品係列。TSHG5210 與 TSHG6210 具有 ±10°視角,而 TSHG5410 與 TSHG6x10 器件具有±18°視角。它們具有極高的輻射強度以及極低的正向電壓。
2008-06-25
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VLMx32**:Vishay 新型熱增強型功率SMD LED
Vishay宣布推出新係列功率表麵貼裝LED,這些器件極大改進了散熱與亮度。新型 VLMx32..器件采用帶引線框的 PLCC-4 封裝,可實現比采用 PLCC-2 封裝的 Vishay 高強度 SMD LED 的亮度提高了一倍。對於汽車應用,VLMx32**器件已通過 AEC-Q101 汽車標準認證。
2008-06-20
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Si8445DB:Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET,該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝,具有很小占位麵積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護陣列,旨在保護兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態電壓信號幹擾。
2008-05-23
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器係列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新係列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
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TJ3-HT:Vishay新型環形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環形高電流、高溫電感器。該器件具有業內最高額定及飽和電流以及業內最低電感和DCR。
2008-05-16
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TR8係列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8係列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 µF條件下),而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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