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專家縱論技術熱點 功率器件與模塊電源技術研討會開幕
8月28號下午，功率器件與模塊電源技術研討會開幕，電子元件技術網CEO劉傑博士首先分享了西部電子市場的成長與機會，Vishay、泰科電子、RECOM和飛兆半導體的專家分別作了主題演講。
2009-09-01
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SiE876DF：Vishay導通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出采用雙麵冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
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DFN係列：Vishay精密薄膜表麵貼裝電阻網絡和分壓電阻
日前，Vishay宣布，推出業界首款精密薄膜表麵貼裝電阻網絡和分壓電阻 --- DFN係列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平麵無鉛封裝。與傳統的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，DFN係列的新封裝可節省53%的印製電路板空間。
2009-08-25
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軍工/航天電子應用對鉭電容的挑戰
——Vishay電容器部門高級產品市場總監Mosier, Michael L.專訪鉭電容因為可靠性高、壽命長、高容量的特點，在軍工/航天電子係統裏有大量應用，同時鉭電容的小型化也滿足了係統小型化的要求。Vishay是鉭電容的主要供應商之一，本屆西部電子論壇上，來自Vishay的鉭電容專家Mosier, Michael L.和黃勇將發表《高可靠性鉭電容器在軍工/航天市場的應用》的主題演講。
2009-08-21
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Vishay高性能精密無磁薄膜電阻
日前，Vishay宣布，推出新款PNM係列精密無磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫範圍內，這些器件具有低至±25ppm/℃的標準TCR，經過激光微調後的容差隻有±0.1%。
2009-08-20
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SMNH：Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四電阻網絡
日前，Vishay宣布，推出具有優異的負載壽命、負載壽命比和貯存壽命穩定性特性的超高精度Bulk Metal箔四電阻網絡 -- SMNH電阻網絡。
2009-08-20
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低導通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET矽技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未有的最低導通電阻，在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大RDS(on)隻有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT係列：Vishay穩定性極高的TCR薄膜電阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT係列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度範圍內，新器件的標準TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新係列小尺寸表麵貼裝1A整流器具有超快反向恢複時間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新係列小尺寸、表麵貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓範圍為100V～200V，25ns的超快反向恢複時間可滿足高頻應用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器
日前，Vishay宣布推出通過AEC-Q101認證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表麵貼裝透射式(斷續式)光電傳感器，可用於汽車市場。今天推出的傳感器是業內首款達到+145℃的結溫等級、-40℃～+125℃的工作溫度範圍和潮濕敏感度等級1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高達25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護高達25kV的係列低尺寸表麵貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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