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印製線路板元器件如何放置？看完這篇文章恍然大悟
印製線路板上的元器件放置的通常順序：放置與結構有緊密配合的固定位置的元器件，如電源插座、指示燈、開關、連接件之類，這些器件放置好後用軟件的 LOCK 功能將其鎖定，使之以後不會被誤移動;放置線路上的特殊元件和大的元器件，如發熱元件、變壓器、IC 等;放置小器件。
2019-11-04
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【線束展會回顧】匠心品質宏晟機械-推出的新產品很受市場青睞
ICH Shenzhen 2019年第九屆深圳國際連接器、線纜線束及加工設備展覽會於9月12日在深圳會展中心圓滿落幕，慈溪市宏晟機械設備有限公司攜最新自動化線束加工設備亮相展會。
2019-11-02
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0.5% 高精度充電IC及相關方案
力生美半導體攜全新的高精度鋰電池包充電 IC 及整體解決方案參加 大比特蘇州電動工具關鍵元器件技術研討會，並在現場展示了基於 0.5% 高精度充電器整套 IC 的鋰電池包充電 AC/DC 解決方案。
2019-11-01
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TWS真無線耳機充電倉專用開關充電芯片BQ25618/9詳解
BQ25618/9是TI為TWS耳機充電倉專門開發的一款三合一（保護，充電及升壓）的IIC控製開關充電芯片。其中BQ25618跟BQ25619在規格上一致，區別在於BQ25618采用的是小型化的DSBGA封裝，0.4mm的管腳間距，對生產工藝有較高的要求，而BQ25619采用的稍大一點的WQFN封裝 方便方便線路布板，器件的封裝尺寸見下圖一。
2019-11-01
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舉2個例子教你電源時序控製的正確方法，你get了沒？
我們常常想當然地為印刷電路板上的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無損閂鎖狀況。隨著片上係統(SoC) IC越來越多，對電源進行時序控製和管理的需求也越來越多……
2019-11-01
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Vishay HVCC係列電容器榮獲《今日電子》雜誌2019年Top-10電源產品獎
2019年10月31日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Roederstein HVCC係列徑向引線高壓單層瓷片電容器獲得《今日電子》雜誌和21IC中國電子網第17屆年度Top-10電源產品獎。
2019-10-31
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瑞薩電子宣布加入AVCC聯盟，加速自動駕駛汽車發展
2019 年 10 月 30 日，日本東京訊 - 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布加入AVCC聯盟（Autonomous Vehicle Computing Consortium，自動駕駛汽車計算聯盟），成為其核心成員。瑞薩電子與包括整車廠商、一級供應商及其它半導體廠商等在內的汽車生態係統領導者攜手，共同助力解決自動駕駛汽車在實現量產過程中麵臨的最重大挑戰。
2019-10-31
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賦能未來，貿澤電子將聯合賽普拉斯舉辦HMI應用主題研討會
2019年10月14日－專注於引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)宣布攜手賽普拉斯（Cypress）舉辦主題為“如何打造強大、智能且易於使用的HMI應用”網絡研討會。本次主題研討會近期共舉辦了兩場，第二場將於10月18日進行全網直播，由業內專家為大家在線講解及演示HMI 最新應用，旨在幫助工程師們設計出更為智能且實用的HMI應用。
2019-10-31
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產業應用需求發生新變化，Vicor憑高性能電源模組製勝
10月23日，知名電源廠商Vicor在深圳舉辦媒體交流會，電子元件技術網受邀參加。在交流會上，Vicor公司首席工程師、高級經理Chris Swartz、亞太區市場營銷副總裁Eric Wong等高層就電源產品設計和公司的布局戰略等問題進行深入探討。
2019-10-31
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教你如何用一個GPIO數字接口也能測量溫度的簡單方式
在關注機器健康和其他物聯網(IoT)解決方案的現代應用中，隨著檢測功能的日趨普及，對更簡單的接口以及更少的I/O和更小的器件尺寸的需求也隨之增長。連接到單個微處理器或FPGA的器件密度不斷增加，而應用空間（以及由此導致的I/O引腳數量）卻受到限製。在理想情況下，所有應用都需要一個ASIC來提供小巧的集成式解決方案。
2019-10-29
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兆易創新SPI NOR Flash GD25LX256E斬獲“中國芯”優秀技術創新產品獎
中國北京（2019年10月25日） — 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產業發展研究院頒發的2019年第十四屆“中國芯”優秀技術創新產品獎。
2019-10-28
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MOSFET結構及其工作原理詳解
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控製半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-21
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