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STY112N65M5:ST太陽能電池功率調節器用MOSFET
意法半導體(ST)開發出了用於配備太陽能電池功率調節器的MOSFET。耐壓650V,有最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。 此前,太陽能電池功率調節器一直使用IGBT,但由於MOSFET的導通電阻不斷降低,因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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方國健擔任BOSTON-POWER業務顧問
快速擴展的新一代鋰離子電池供應商Boston-Power公司宣布電子業知名業者方國健將擔任這家屢獲殊榮的便攜式電源創新企業的業務顧問。在新職位上,他將在業務發展、供應鏈運營和政府部門關係方麵為Boston-Power提供協助。
2009-02-23
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STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方麵取得巨大突破,最新的MDmesh V技術達到業內最低的單位芯片麵積導通電阻
2009-02-23
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德州儀器收購電源管理初創公司Ciclon
德州儀器(Texas Instruments Inc. )為了擴大其模擬電源管理生產線,近日以未披露的價格收購了Ciclon半導體器件公司(Ciclon Semiconductor Device Corp.)。
2009-02-16
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E102Z:VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 55°C 到 +125°C 的溫度範圍內提供達軍品級標準的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C),容差為 ±0.005% (50 ppm),在 +70ºC 下工作 2000 小時的負載壽命穩定性達到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符合EEE-INST-002規格和MIL-PRF 55182 軍用標準,設計用於非常規環境條件,漂移極小,適用於軍事、航空和醫療應用。
2009-02-13
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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表麵貼裝 Power Metal Strip 電阻,該產品是業界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度範圍內工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值範圍(10-m 到 500-m)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-02-04
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J151:CIT RELAY & SWITCH公司20A繼電器係列
CIT RELAY & SWITCH 公司近日推出J151型係列繼電器,其額定電流在輸入電壓為277 Vac或28 Vdc時高達20A,輸入電壓125 Vac時為1/2 HP(功率)。線圈額定電壓範圍從6Vdc到220Vdc.當觸點排列從單刀單擲(SPST)到四刀雙擲(4PDT),線圈額定電壓範圍為6到240 Vac。
2009-01-22
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美國第二大消費電子產品零售商正式宣布破產
繼去年11月申請破產保護後,上周末,美國第二大消費電子產品零售商“電路城”(CircuitCityStoresInc.)正式宣布破產,公司表示由於無法達成出售協議,截至今年3月底將關閉全美的567家連鎖店,屆時,將有3萬多員工麵臨失業。
2009-01-21
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DisplayPort規格的升級版2009年中期將麵世
顯示器相關標準化團體VESA(Video Electronics Standards Association,視頻電子標準協會)製定的數字接口規格“DisplayPort”的升級版“v1.2”,將於2009年中期確定技術指標。VESA在麵向媒體的發布會上介紹了升級版的方向。現行規格為“v1.1a”。
2009-01-19
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WSLT2010xxx18:Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表麵貼裝 Power Metal Strip電阻,該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度範圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值範圍(10-mΩ 到 500-mΩ)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-01-15
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Stratum III:Focus EDL新型Stratum III 兼容式TCXO
Focus EDL 公司近日推出了一款新型的溫度補償晶體振蕩器 (TXCO),在 -40°C 到 +85°C 範圍內的頻率穩定度為 ±0.28ppm,總頻率穩定度為±4.6ppm,老化期為 20 年。根據製造商Raltron 電子公司介紹,新器件可提升 TXCO 在通信、測試和測量應用領域中的效能。
2009-01-13
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ESDALCxx-1U2係列:ST全新ESD保護二極管
意法半導體推出全新ESD保護二極管產品係列,新產品的尺寸比上一代縮小 67%,能夠承受最嚴格的IEC61000-4-2標準的 ESD測試脈衝,低鉗位電壓特性有助於提高對調製解調器等低壓芯片的保護性能。
2008-12-29
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
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