【導讀】憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示

，與電阻R
，電容C，電感L構gou成cheng四si種zhong基ji本ben無wu源yuan電dian路lu器qi件jian，它ta是shi連lian接jie磁ci通tong量liang與yu電dian荷he之zhi間jian關guan係xi的de紐niu帶dai，其qi同tong時shi具ju備bei電dian阻zu和he存cun儲chu的de性xing能neng，是shi一yi種zhong新xin一yi代dai高gao速su存cun儲chu單dan元yuan
，通tong常chang稱cheng為wei阻zu變bian存cun儲chu器qi（RRAM）。

【未來可測】係列之二：憶阻器單元基礎研究和性能研究測試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R
，電容C，電感L構gou成cheng四si種zhong基ji本ben無wu源yuan電dian路lu器qi件jian

，它ta是shi連lian接jie磁ci通tong量liang與yu電dian荷he之zhi間jian關guan係xi的de紐niu帶dai
，其qi同tong時shi具ju備bei電dian阻zu和he存cun儲chu的de性xing能neng，是shi一yi種zhong新xin一yi代dai高gao速su存cun儲chu單dan元yuan
，通tong常chang稱cheng為wei阻zu變bian存cun儲chu器qi（RRAM）。

憶阻器備受關注的重要應用領域包括：非易失存儲（Nonvolatile memory）
，邏輯運算（Logic computing），以及類腦神經形態計算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。這三種截然不同又相互關聯的技術路線
，為發展信息存儲與處理融合的新型計算體係架構，突破傳統馮•諾伊曼架構瓶頸，提供了可行的路線。

在憶阻器研究不斷取得新成果的同時，基於憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關注的熱點。這些新型耦合器件包括：磁耦合器件、光耦合器件
、超導耦合器件
、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等。

（一）憶阻器基礎研究測試

憶阻器研究可分為基礎研究、性能研究以及集成研究三個階段，此研究方法對阻變存儲器（RRAM）、相變存儲器（PCM）和鐵電存儲器（FeRAM）junshiyong。yizuqijichuyanjiujieduanzhuyaoyanjiuyizuqicailiaotixihewulijizhi，yijiduiyizuqiqicanshujinxingbiaozheng
，bingtongguoniezhihuixianduiyizuqijinxingfenlei。yizuqijichuyanjiuceshibaokuo：直流特性
、交流特性及脈衝特性測試。

憶阻器直流特性測試通常與Forming結合，主要測試憶阻器直流V-I曲線
，並以此推算SET/RESET 電壓/電流、HRS、LRSdengyizuqizhongyaocanshu
，keyijinxingdanxiangsaomiaohuoshuangxiangsaomiao。yizuqijiaoliutexingzhuyaojinxingniezhihuixiandeceshi

，niezhihuixianshijianbieyizuqileixingdeguanjian。yizuqimaichongceshinengyouxiaodijianxiaozhiliuceshijileidejiaoerredeyingxiang，tongshi，yekeyiyonglaiyanjiureliangduiqijianxingnengdeyingxiang。youyuyizuqibiaozhengjishuzhengxiangjiduanhuafazhan


，pimiaojimaichongcaxiejixinhaobuzhuodexuqiuriyiqianglie。

泰克憶阻器基礎研究測試方案

高性價比測試方案

極端化表征測試方案

泰克方案特色：

多種不同的配置方案，滿足不同的客戶需求

泰克中國具有本地研發團隊，滿足客戶定製化的測試需求

泰克合作夥伴提供全部硬件係統集成

多家領先的憶阻器研發單位采用泰克測試方案

（二）憶阻器性能研究測試

憶阻器性能研究測試流程如下：

非易失存儲器性能研究是通過測試憶阻器的循環次數或耐久力（Endurance）和數據保留時間（Data Retention）來lai實shi現xian。在zai循xun環huan次ci數shu和he耐nai久jiu力li測ce試shi中zhong
，電dian阻zu測ce試shi通tong常chang由you帶dai脈mai衝chong功gong能neng的de半ban導dao體ti參can數shu測ce試shi儀yi完wan成cheng
，由you於yu被bei測ce樣yang品pin數shu量liang多duo，耗hao時shi長chang，需xu要yao編bian程cheng進jin行xing自zi動dong化hua測ce試shi。極ji端duan化hua表biao征zheng情qing況kuang下xia，SET/ RESET 脈衝由高速任意波發生器產生。

如ru果guo憶yi阻zu器qi被bei用yong於yu神shen經jing元yuan方fang麵mian的de研yan究jiu，其qi性xing能neng測ce試shi除chu了le擦ca寫xie次ci數shu和he數shu據ju保bao留liu時shi間jian外wai，還hai需xu要yao進jin行xing神shen經jing突tu觸chu阻zu變bian動dong力li學xue測ce試shi。突tu觸chu可ke塑su性xing是shi大da腦nao記ji憶yi和he學xue習xi的de神shen經jing生sheng物wu學xue基ji礎chu，有you很hen多duo種zhong形xing式shi。按an記ji憶yi的de時shi間jian長chang短duan可ke分fen為wei短duan時shi程cheng可ke塑su性xing (STP)和長時程可塑性 (LTP)，其中短時程可塑性包括雙脈衝抑製 (PPD)、雙脈衝易化 (PPF)、強直後增強 (PTP)。此外還有一些其他的可塑性, 如: 放電速率依賴可塑性 (SRDP)、放電時間依賴可塑性 (STDP)等，它們是突觸進行神經信號處理

、神經計算的基礎。

憶阻器的導電態可以用來表示突觸權重的變化
，通過改變刺激脈衝電壓的形狀、頻率
、持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)等(deng)參(can)數(shu)來(lai)模(mo)擬(ni)不(bu)同(tong)突(tu)觸(chu)功(gong)能(neng)相(xiang)應(ying)的(de)神(shen)經(jing)刺(ci)激(ji)信(xin)號(hao)的(de)特(te)點(dian)，測(ce)量(liang)瞬(shun)態(tai)電(dian)流(liu)可(ke)以(yi)了(le)解(jie)阻(zu)變(bian)動(dong)力(li)學(xue)過(guo)程(cheng)
，獲(huo)得(de)神(shen)經(jing)形(xing)態(tai)特(te)性(xing)的(de)調(tiao)控(kong)方(fang)法(fa)。同(tong)循(xun)環(huan)次(ci)數(shu)和(he)耐(nai)久(jiu)力(li)測(ce)試(shi)相(xiang)同(tong)，需(xu)要(yao)對(dui)帶(dai)脈(mai)衝(chong)功(gong)能(neng)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)參(can)數(shu)測(ce)試(shi)儀(yi)或(huo)高(gao)速(su)任(ren)意(yi)波(bo)發(fa)生(sheng)器(qi)編(bian)程(cheng)產(chan)生(sheng)相(xiang)應(ying)的(de)脈(mai)衝(chong)序(xu)列(lie)
，進(jin)行(xing)自(zi)動(dong)化(hua)測(ce)試(shi)。

泰克憶阻器性能研究測試方案 

泰克方案特色：

多種不同的配置方案，滿足極端化表證測試需求

高性價比方案可升級為低維陣列測試方案

泰克中國具有本地研發團隊
，滿足客戶定製化的的測試需求

多家領先的憶阻器研發單位采用泰克測試方案

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