致工程師係列之二:功率器件的標定及選擇
發布時間:2020-03-10 來源:泰克科技 責任編輯:lina
【導讀】對市場新推出的低功耗IC 及(ji)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)特(te)性(xing)無(wu)法(fa)準(zhun)確(que)把(ba)握(wo)?是(shi)否(fou)真(zhen)正(zheng)在(zai)自(zi)己(ji)的(de)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)中(zhong)發(fa)揮(hui)最(zui)大(da)的(de)作(zuo)用(yong),缺(que)少(shao)一(yi)種(zhong)簡(jian)單(dan)經(jing)濟(ji)的(de)評(ping)價(jia)方(fang)法(fa)。對(dui)於(yu)電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)設(she)計(ji),大(da)功(gong)率(lv)開關管的選擇是非常關鍵也是非常困難的。
對市場新推出的低功耗IC 及(ji)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)特(te)性(xing)無(wu)法(fa)準(zhun)確(que)把(ba)握(wo)?是(shi)否(fou)真(zhen)正(zheng)在(zai)自(zi)己(ji)的(de)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)中(zhong)發(fa)揮(hui)最(zui)大(da)的(de)作(zuo)用(yong),缺(que)少(shao)一(yi)種(zhong)簡(jian)單(dan)經(jing)濟(ji)的(de)評(ping)價(jia)方(fang)法(fa)。對(dui)於(yu)電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)設(she)計(ji),大(da)功(gong)率(lv)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)選(xuan)擇(ze)是(shi)非(fei)常(chang)關(guan)鍵(jian)也(ye)是(shi)非(fei)常(chang)困(kun)難(nan)的(de)。 如何在係統調試之前對IGBT模塊特性進行測試,尤其基於橋式拓撲結構,在不同的負載條件測試IGBT及相應的二極管的特性?這些成為工程師非常頭疼的問題。
功率器件動態參數/雙脈衝測試
功率器件如MOSFET和IGBT提供了快速開關速度,能夠耐受沒有規律的電壓峰值,被廣泛應用於電源轉換產品的設計。尤其最新第三代半導體SiC和GaN快(kuai)速(su)發(fa)展(zhan)和(he)應(ying)用(yong)可(ke)以(yi)毫(hao)不(bu)誇(kua)張(zhang)的(de)說(shuo)給(gei)電(dian)源(yuan)行(xing)業(ye)帶(dai)來(lai)顛(dian)覆(fu)性(xing)的(de)變(bian)化(hua)。對(dui)於(yu)設(she)計(ji)工(gong)程(cheng)師(shi)來(lai)說(shuo)卻(que)帶(dai)來(lai)了(le)非(fei)常(chang)大(da)的(de)測(ce)試(shi)挑(tiao)戰(zhan),如(ru)何(he)保(bao)證(zheng)選(xuan)用(yong)的(de)高(gao)速(su)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)能(neng)穩(wen)定(ding)可(ke)靠(kao)的(de)運(yun)行(xing)在(zai)自(zi)己(ji)的(de)電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)中(zhong),我(wo)們(men)需(xu)要(yao)了(le)解(jie)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)動(dong)態(tai)特(te)性(xing):
器件在不同溫度的特性
短路特性和短路關斷
柵極驅動特性
關斷時過電壓特性
二極管回複特性
開關損耗測試等
泰克推出了IGBT Town功gong率lv器qi件jian支zhi持chi單dan脈mai衝chong,雙shuang脈mai衝chong及ji多duo脈mai衝chong測ce試shi方fang案an,集ji成cheng強qiang大da的de發fa生sheng裝zhuang置zhi,數shu據ju測ce試shi裝zhuang置zhi及ji軟ruan件jian。用yong戶hu可ke以yi自zi定ding義yi測ce試shi條tiao件jian,測ce試shi項xiang目mu包bao含han:Toff, td(off), tf(Ic),Eoff, Ton, td(on),tr(Ic), Eon, di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr based on IEC60747。推薦解決方案:MSO54 + 5-wins + 5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT town軟件。

采用雙脈衝法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈衝次數為2次,示波器采用單次觸發。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的動態參數。左下的測試提示Ic off是因為英飛淩的CoolGaN™完全沒有反向恢複電流,從測試數據中可以看到基於英飛淩的CoolGaN™專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1速度還是非常快的,而且完全沒有反向恢複損耗。

從測試結果可以看出該方案特點:
可靠、可重複地測試IGBT及MOSFET(包括第三代半導體器件SiC、GaN)功率半導體動態特征;
測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢複、柵極驅動,開關損耗等參數;
適用於用戶對測試環境的自定義;
全部使用泰克示波器及原廠電源探頭,可準確補償探頭延遲,專用的開關損耗算法,提供可靠的測試結果;
獨特的IsoVu 探頭,最高800MHz帶寬高達120dB共模抑製比,準確測試驅動信號的真實情況。
高功率半導體器件檢定測試
開發和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件,需要全麵的器件級檢定,如擊穿電壓、通態電流和電容測量。Keithley高功率參數化曲線跟蹤儀支持所有的器件類型和測試參數。Keithley高功率參數化曲線跟蹤儀包括檢定工程師快速開發全麵測試係統所需的一切。ACS-Basic基本版軟件提供了完整的器件特性分析,包括實時跟蹤模式及全部參數模式,實時跟蹤模式用來迅速檢查基礎器件參數,如擊穿電壓;全部參數模式用來提取精確的器件參數。

測試平台搭建

Keithley提供完整解決方案
從cong實shi驗yan室shi到dao工gong廠chang,從cong晶jing圓yuan級ji到dao獨du立li封feng裝zhuang器qi件jian,從cong測ce試shi設she置zhi到dao分fen析xi結jie果guo,為wei最zui優you性xing價jia比bi設she計ji的de一yi體ti化hua完wan整zheng解jie決jue方fang案an。從cong實shi驗yan室shi科ke研yan級ji別bie的de單dan台taiSMU源表到適用於高功率半導體器件檢定的完整測試方案,再到適用於自動晶片級測試係統,Keithley均能為您提供最優性價比的完整解決方案。其方案配置如下:
硬件:上至3kV/100A的功率電平,下至uV/fA級別小信號的寬動態範圍;(SMU, 4200,PCT,S500多硬件平台覆蓋) ;
軟件:ACS-Basic支持各種Keithley儀器,用於半導體器件檢定、可靠性測試、參數化測試以及元器件功能測試;
夾具:傳統連線測試夾具、8010高功率器件測試夾具、手動/自動探針測試台 。
你(ni)的(de)難(nan)點(dian)痛(tong)點(dian),是(shi)我(wo)們(men)的(de)著(zhe)力(li)點(dian)。作(zuo)為(wei)電(dian)源(yuan)行(xing)業(ye)值(zhi)得(de)信(xin)賴(lai)的(de)測(ce)試(shi)專(zhuan)家(jia),泰(tai)克(ke)為(wei)工(gong)程(cheng)師(shi)在(zai)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)各(ge)個(ge)階(jie)段(duan)提(ti)供(gong)可(ke)靠(kao)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),使(shi)工(gong)程(cheng)師(shi)堅(jian)定(ding)每(mei)一(yi)步(bu)設(she)計(ji),優(you)化(hua)每(mei)個(ge)階(jie)段(duan)設(she)計(ji),從(cong)而(er)加(jia)速(su)新(xin)產(chan)品(pin)的(de)上(shang)市(shi)周(zhou)期(qi)。了(le)解(jie)電(dian)源(yuan)測(ce)試(shi)全(quan)過(guo)程(cheng)更(geng)多(duo)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),https://www.tek.com.cn/power-solution-hub。
(來源:泰克科技)
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