隨(sui)著(zhe)消(xiao)費(fei)者(zhe)對(dui)高(gao)速(su)無(wu)線(xian)寬(kuan)帶(dai)網(wang)的(de)需(xu)求(qiu)迅(xun)猛(meng)增(zeng)長(chang)
，智(zhi)能(neng)手(shou)機(ji)和(he)平(ping)板(ban)電(dian)腦(nao)等(deng)移(yi)動(dong)產(chan)品(pin)需(xu)要(yao)采(cai)用(yong)更(geng)複(fu)雜(za)的(de)射(she)頻(pin)電(dian)路(lu)。為(wei)滿(man)足(zu)這(zhe)一(yi)市(shi)場(chang)需(xu)求(qiu)

，提(ti)高(gao)移(yi)動(dong)設(she)備(bei)射(she)頻(pin)前(qian)端(duan)的(de)性(xing)能(neng)

，並(bing)縮(suo)減(jian)電(dian)路(lu)尺(chi)寸(cun)，橫(heng)跨(kua)多(duo)重(zhong)電(dian)子(zi)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)、全球領先的半導體供應商意法半導體發布全新優化的先進製程。

無線設備射頻前端電路組件通常采用獨立的放大器
、開關和調諧器。隨著4G移動通信和Wi-Fi（IEEE 802.11ac）等新的高速連接標準開始使用多頻技術提高數據吞吐量，最新的移動設備需要增加前端電路。現行的3G手機可支持5個頻段
，而下一代4G LTE標準3GPP 可支持高達40個頻段。傳統的分立器件會大幅擴大設備尺寸，而意法半導體的新製程H9SOI_FEM可製造集成全部射頻前端功能的模塊。

這項製程是H9SOI絕緣體上矽工藝的一種進化。意法半導體於2008年成功研發了具有突破性的H9SOI技術，隨後客戶運用這項技術研製了4億多顆手機和Wi-Fi射頻開關。憑借在這一領域的研發經驗，為研製集成前端模塊，意法半導體優化了H9SOI製程
，推出了H9SOI_FEM，為天線開關和天線調諧器提供業界最佳的品質因數（Ron x Coff ＝ 207fs ）。意法半導體同時投資擴大產能，以滿足客戶的最大需求。

從商業角度看
，高速多頻智能手機的暢銷拉動市場對射頻前端器件特別是集成模塊的需求迅猛增長，根據Prismark的分析報告顯示，智能手機的射頻前端組件數量大約是入門級2G/3G手機的三倍
，目前智能手機年銷量超過10億台
，增長速度約30%。 此外
，OEM廠商要求芯片廠商提供更小、更薄
、能效更高的器件。意法半導體看好分立器件以及集成模塊的市場前景，如運用意法半導體新推出的最先進製程H9SOI_FEM集成功率放大器和開關的射頻模塊和集成功率放大器、開關和調諧器的模塊。

意法半導體混合信號製程產品部總經理 Flavio Benetti表示：“H9SOI_FEMzhuanyongzhichengrangkehunenggouyanfazuixianjindechicunzhiyoumuqianqianduanjiejuefangandeerfenzhiyihuogengxiaodeqianduanmokuai

，ciwai，womenhaikaifachuyigejianhuadegonghuoliucheng，kedafusuoduangonghuozhouqi，tigaogonghuolinghuoxing，zheduishichangshangzhongduanyonghuzhiguanzhongyao。”

目前意法半導體正在與客戶合作使用H9SOI_FEM開發新設計。預計今年底進入量產準備階段。

意法半導體的新製程H9SOI_FEM的技術細節：

H9SOI_FEM是一個柵寬0.13µm的1.2V和2.5V雙柵MOSFET技術。與製造射頻開關等分立器件的傳統的SOI製程不同，H9SOI_FEM支持多項技術
，如GO1 MOS、GO2 MOS和優化的NLDMOS
，這些特性讓H9SOI_FEM支持單片集成射頻前端的全部主要功能，包括射頻開關、低噪放大器（LNA）
、無線多模多頻功率放大器（PA）、雙工器
、射頻耦合器
、天線調諧器和射頻能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首選技術，能夠承受極低的噪聲係數（1.4dB @ 5GHz）
，提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設計提供較高的安全係數。

GO2 CMOS和GO2 NMOS 被廣泛用於研製射頻開關
，讓意法半導體的工藝為天線開關和天線調諧器提供業界最好的品質因數（Ron x Coff＝ 207fs）。

GO2高壓MOS可單片集成功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下

，優化的NLDMOS技術使功率放大器的Ft達到36GHz，開關效率達到60%。關於能源管理，PLDMOS晶體管的擊穿電壓為12V
，可直接連接電池。

必要時在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高集成無源器件的性能。

H9SOI_FEM既適用於重視低成本和高集成度的低端市場
，又適用於高端智能手機市場。高端產品通常要求集成多頻段，不僅支持2G、3G和 4G標準
，還需支持其它的無線連接標準，如藍牙
、Wi-Fi、GPS和用於非接觸式支付的NFC（近距離通信）。