ST、英飛淩齊推超結MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術
發布時間:2013-05-11 責任編輯:eliane
【導讀】近日,意法半導體(ST)推出首款MDmesh V超結MOSFET晶體管,擴大其高能效功率產品陣容。該產品采用了創新的4針封裝,增加專用控製輸入。新封裝技術可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設備和服務器開關電源等設備的功率電路能效。
新的TO247-4 4針(zhen)封(feng)裝(zhuang)提(ti)供(gong)一(yi)個(ge)開(kai)關(guan)控(kong)製(zhi)專(zhuan)用(yong)直(zhi)接(jie)源(yuan)極(ji)針(zhen)腳(jiao),而(er)傳(chuan)統(tong)封(feng)裝(zhuang)是(shi)開(kai)關(guan)和(he)電(dian)源(yuan)共(gong)用(yong)一(yi)個(ge)針(zhen)腳(jiao)。增(zeng)加(jia)的(de)針(zhen)腳(jiao)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)開(kai)關(guan)能(neng)效(xiao),降(jiang)低(di)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao),支(zhi)持(chi)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv),進(jin)一(yi)步(bu)降(jiang)低(di)電(dian)源(yuan)尺(chi)寸(cun)。
該封裝是意法半導體與英飛淩的合作開發成果,英飛淩也推出其新款超結器件,為客戶選購超結MOSFET提供了另一個選擇。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示:“TO247-4具有很高的成本效益,用於替代標準TO-247 器件時,隻需對印刷電路板布局略加修改,從而簡化了該器件在電源係統的應用。采用這一封裝的全新意法半導體MDmesh器件可提高工作能效,使終端設備更加節能環保。”
TO247-4封裝集成了實現至源極Kelvin連接的內部結構,這個連接旁通了主電源連接的共源電感,可消除高達60%的開關損耗,設計人員可使用更高的開關頻率和更小的濾波器件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超結技術,實現最高的單位矽麵積導電效率及最好的總體節能效果。

圖:意法半導體(ST)首款MDmesh V超結MOSFET晶體管
此次推出的產品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品,STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正(PFC)電路和全橋或半橋功率轉換器的能效,適用於各種消費電子和工業電子產品。
TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性:
●高抗噪性,可降低電磁幹擾(EMI)敏感度
●增強的額定電壓,可提高安全係數
●高耐dv/dt能力,可提高可靠性
●100%雪崩測試,可用於耐用性設計
STW57N65M5-4的供貨信息:
STW57N65M5-4現已量產。
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