【導讀】在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。

在開關電源應用MOS管的時候
，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。

那麼柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響
，主要是傳導損耗和開關損耗。

還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓

、柵極阻抗和雪崩能量。

用於針對N+1冗餘拓撲的並行電源控製的MOS管在ORing FET應用中，ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性
，比如，在電源設計中，每個電源常常需求多個ORing MOS管並行工作，需求多個器件來把電傳播送給負載。在許多狀況下，設計人員必需並聯MOS管
，以有效降低RDS(ON)。在 DC 電路中
，並聯電阻性負載的等效阻抗小於每個負載單獨的阻抗值。比方
，兩個並聯的2Ω 電阻相當於一個1Ω的電阻 。因而，普通來說，一個低RDS(ON) 值的MOS管，具備大額定電流

，就能夠讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至少。

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