【導讀】相較於傳統的矽（Si）器件，碳化矽（SiC）擁有諸多優勢
，涵蓋了廣泛的功率水平和應用。憑借 SiC 器件更高的工作溫度
、更快的開關速度、更高的功率密度和更高的電壓/電流能力，SiC 器件可輕鬆替換現有的基於 Si 的器件及係統。特別是當其可提供行業標準尺寸時，如 WolfPACK 功率模塊係列產品。無論是想要升級係統或者新設計新，SiC 都能以最低的損耗提供最高的效率和可靠性。Wolfspeed SiC 產品組合包含支持所有功率範圍的器件。650 V 至 1,700 V 的分立器件可帶來靈活、低成本的多種解決方案，同時 壓接無基板設計的 WolfPACK 係列能夠滿足行業標準的中等範圍功率要求。設計人員可以在 WolfPACK 模塊和高功率模塊之間自由選擇，從而根據其應用擴展功率，優化功率密度、簡化設計、降低係統成本、提升可靠性。

#1      設計中采用並聯分立式 SiC MOSFET

若需要提高電流輸出能力
，將功率 MOSFET並聯很常見
，但有時會產生不容易解決的問題。一個重要的考慮事項是開啟閾值電壓（Vth）。當 MOSFET 的驅動特性與另一個有差異時
，會出現電流不平衡，這會可能導致瞬態電流峰值和穩態電流峰值升高。

例如，圖 1 顯示了兩個並聯 MOSFET 的電流波形圖，其中一個 Vth 為 2 V，另一個 Vth 為 3 V。請注意看在開通和關斷時過衝的差異。還提供了一個表格
，顯示了開關能量和損耗差異，其中
，如果開啟閾值電壓存在 1 V 的差別
，會導致兩個 MOSFET 與總功率損耗之間顯著差異。

圖 1：SiC MOSFET 在不同閾值電壓下的波形圖（左側）和表格（右側）

外部柵極電阻（通常在 1 Ω 到 10 Ω 之間）也應該盡可能一致，避免出現時序問題。柵極電阻較低的 MOSFET 的開通時間更早，同時會產生較高的開啟瞬態電流。柵極電阻較高的 MOSFET 的關斷時間稍晚，在關斷時會產生更多的損耗。雖然具有單獨的柵極電阻有助於提高可調性和每個 MOSFET 的最佳性能，但重要的是要了解這些差異如何導致損耗和時序差異。

寄生電感也會帶來電流不平衡，尤其是寄生電感也不一致時（見圖 2）。這些電感是由於設計中的多種因素造成的，包括 PCB 布局

、非平衡柵極驅動以及 MOSFET 本身的固有差異。並聯的三引腳 MOSFET 源極電感不平衡會在柵極驅動回路中造成循環電流，這會導致柵極驅動電壓存在差異。源極雜散電感較低的 MOSFET 的電流在開啟時會更快的上上升，並產生更多的開關能量。在關斷時會更快的下降，導致更高的 DC 和 RMS 值，以及更高的開關和總功率損耗。

圖 2：並聯 MOSFET 寄生電感不一致造成的電流不平衡

除了損耗和時序差異外，源極上較大的雜散電感（加上較低的柵極電阻）

，這會導致柵極振蕩
，使 MOSFET 進入非常不安全的工作區域。

圖 3 顯示了兩個 MOSFET 在開通和關斷條件下的情況，其中一個 MOSFET 的源極電感為 2 nH，另一個為 10 nH。在本例中，共源極雜散電感較低的 MOSFET 的總開關損耗高了 19%，總功率損耗高了 18%。這是由於顯著的 di/dt 和開關能量的差異。增加 Rg 有助於能夠將振蕩降低到安全值，然而
，不一定能夠解決能量損耗和時序不一致的問題。

圖 3：源極電感較低（藍色）和源極電感較高（紅色）的 MOSFET 在開啟時（左側）和關斷時（右側）的柵極振蕩

使用 60 kW DC/DC 升壓轉換器進行實驗
，該轉換器使用四通道並聯的 SiC MOSFET（Wolfspeed C3M0075120K，其 RDS(on) 通常為 75 mΩ）方案，以演示特定設計或拓撲在兩顆並聯 MOSFET 的硬件差別所產生的一些差異。在本例中，從 60 個樣本器件中挑選出閾值電壓最高和最低的兩個器件。事實證明，其中一個 MOSFET（Vth 為 2.666 V，RDS(on) 為 67.96 mΩ）承載的電流比另一個 MOSFET（Vth 為 3.006 V，RDS(on) 為 81.82 mΩ）多 5%。閾值電壓和導通電阻較低會在開通和關斷時導致更高的瞬態電流，並在時序產生差異，最終導致更大的功率損耗。

使用 120 W SEPIC LED 驅動電路進行了另一項實驗，其使用兩個並聯的 MOSFET


，發現在發出驅動過程中，MOSFET 一旦開始開關就會損壞。經調查，發現PCB 布局在其中一個 MOSFET yuanjichuxianleewaidejishengdiangan。zhezhuyaoshiyinweizhajiqudonghuiluhedianyuanzhongdie
，yijibujubuduichengzaochengde。tianjiatieyangticizhuhou，tahuiyizhizhendangbingjiejuewenti。tu 4 顯示了 PCB 和器件布局的一些最佳實踐，能夠防止寄生電感和敏感走線在長度上相等（並盡可能短）。

圖 4：並聯 MOSFET 的 PCB 布局最佳實踐

對稱的 PCB 布bu局ju對dui於yu減jian少shao並bing聯lian開kai關guan的de柵zha極ji回hui路lu中zhong的de循xun環huan電dian流liu非fei常chang重zhong要yao，而er將jiang功gong率lv回hui路lu與yu柵zha極ji回hui路lu相xiang分fen開kai
，可ke減jian少shao源yuan極ji雜za散san電dian感gan。同tong時shi，添tian加jia鐵tie氧yang體ti磁ci珠zhu這zhe樣yang的de柵zha極ji抑yi製zhi器qi件jian能neng夠gou避bi免mian柵zha極ji振zhen蕩dang。建jian議yi使shi用yong一yi顆ke小xiao的de Rg（用於降低開關損耗）bingzaizhajiyinjiaochuyikeewaidetieyangticizhu
，yijianshaozhajidianyajianfenghezhendang，bingbimianduiqijianzaochengkenengdesunhuai。ciwai
，zaizhajiheyuanjijiantianjiayikewaibutaocidianrongqiyenenggoujianqingdianyazhendangxianxiang。

圖 5 顯示了在柵極信號路徑上添加鐵氧體磁珠的原理圖，包含功率路徑
，以及由於源極雜散電感帶來的感應電壓 ( = Ls di/dt) 如何降低開關速度。在使用並聯分立式 MOSFET 擴展您的設計時，了解這些差異及它們如何對損耗和時間造成影響是十分重要的。

圖 5：柵極信號和功率路徑原理圖

#2      如何使用 Wolfspeed 功率模塊進行擴展

Wolfspeed 功率模塊采用 SiC 技術，具備 SiC 分立式產品所具有的相同優勢（開關頻率

、效率、更低損耗），但還具有熱和功率密度優勢所帶來的體積、重量和物料清單（BOM）成本等額外優點。由於200 kW 有源前端（AFE）係統的磁性器件更小，散熱要求更低
，開關頻率提高 3 倍

，減少損耗達 40%，從而能夠將無源器件物料清單成本減少高達 37%。WolfPACK 係列能夠為中等功率應用提供可擴展的低成本方案
，采用熟悉的行業標準壓接針腳、無基板封裝。此外，WolfPACK 封裝結構允許靈活的配置，支持多種不同的功率水平。

其中一個示例是電動汽車雙向電池充電機，可以擴展至合適的功率級，包含三個組成部分（見圖 6）。第一部分是交錯式 AFE
，能夠解決並聯 MOSFET 和電流紋波最小化麵臨的挑戰。這一部分的每台設備（WolfPACK CCB021M12MF3）可以產生 25+ kW
，可以根據情況進行擴展。第二部分是串聯諧振轉換器
，它通過 1:1 電氣隔離和簡單的控製方案提供高效率。其能夠將損耗最小化，功率輸出達 55+ kW（使用 CAB011M12FM3），能夠為較高的功率係統實現可擴展性，僅需要調整二次側總線，實現自動均衡。最後一部分包含交錯雙向 DC/DC 轉換器。在此設計中，可以在電流略低於 0 A 的情況下使用臨導通模式控製，從而消除所有開通和二極管損耗，實現超過 99% 的效率。

圖 6：可擴展電動汽車雙向電池充電機示例

在考慮 XM3 係列這樣的高功率模塊時
，需要根據開關頻率和最大電流選擇合適的模塊。例如
，CAB450M12XM3 能夠為 15 kHz 以下應用帶來最高的載流量/功率，而 CAB425M12XM3 適用於 15 kHz 以上的應用。CAB400M12XM3 能夠為較低的電流係統和較高頻率的應用帶來出色的成本和性能。

和其他配置一樣，需要將雜散電感最小化，從而最大化開關速度和效率。SiC 器件/模塊的實際布局對過衝有顯著影響，這是由於寄生電感會通過高 di/dt 而產生感應電壓（疊加在總線電壓之上）。由於 SiC 能夠實現更快的開關速度
，其過衝要比 Si 高得多。所以，務必要遵循最佳布局建議
，盡可能降低任何額外的寄生電感。

例(li)如(ru)，直(zhi)流(liu)彙(hui)流(liu)排(pai)應(ying)包(bao)含(han)層(ceng)壓(ya)銅(tong)平(ping)麵(mian)，而(er)每(mei)個(ge)模(mo)塊(kuai)和(he)電(dian)容(rong)器(qi)之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)感(gan)應(ying)相(xiang)等(deng)。同(tong)時(shi)還(hai)須(xu)具(ju)有(you)較(jiao)大(da)的(de)表(biao)麵(mian)積(ji)，幫(bang)助(zhu)散(san)熱(re)
，同(tong)時(shi)更(geng)厚(hou)的(de)走(zou)線(xian)，盡(jin)可(ke)能(neng)減(jian)少(shao)自(zi)身(shen)電(dian)感(gan)和(he)重(zhong)疊(die)平(ping)麵(mian)以(yi)增(zeng)加(jia)磁(ci)通(tong)抵(di)消(xiao)。圖(tu) 7 顯示了條行設計（不推薦）和疊層設計（推薦）的最佳時間示意圖。

圖 7：條行設計（左側）和疊層設計（右側）

XM3 逆變器在同一模塊平台內提供功率可擴展性，並包含錯開的電源連接片，有助於實施簡單的疊層總線結構。在散熱方麵，雙麵 Wieland Microcool CP4012D-XP 提供了針對 XM3 模塊進行物理和散熱優化的封裝。冷板能夠為全部六個模塊位置提供均衡的冷卻劑流量，每個的熱阻為 0.008 ˚C/W
，每個開關位置可以支持 750 W 的耗散功率。

圖 8 顯示了與 Wieland CP4012D 雙麵冷卻板集成的六個 XM3 功率模塊（包含高密度引腳以實現最佳熱傳導）。該設計旨在實現簡單、緊湊的係統集成，是利用 XM3 功率模塊及出色熱管理性能的可擴展方案的理想示例。

圖 8：XM3 雙電源方案

對於有多個驅動器的配置
，例如包含 XM3 模塊的雙電源方案，時序必須一致。建議每個模塊都有一個驅動器，以實現更高的驅動能力
，同時也可自由控製時序。

另一個使用 XM3 功率模塊的示例是雙逆變器電源回路（如圖 9 所示）。這種設置包含定製的 DC 母線電容器
，該電容器具有集成的層壓總線，適用於兩組電源模塊。其還包含專用的 DC 輸入端子、用於母線和電容器的 13 nH 低功率回路電感以及小於 20 nH 的總雜散電感
，並且工作效率超過 98%。圖(tu)中(zhong)所(suo)示(shi)的(de)是(shi)雙(shuang)逆(ni)變(bian)器(qi)係(xi)統(tong)
，圖(tu)中(zhong)還(hai)顯(xian)示(shi)了(le)雙(shuang)逆(ni)變(bian)器(qi)係(xi)統(tong)，該(gai)係(xi)統(tong)具(ju)輸(shu)出(chu)端(duan)子(zi)，具(ju)有(you)可(ke)實(shi)現(xian)應(ying)用(yong)靈(ling)活(huo)性(xing)的(de)輸(shu)出(chu)端(duan)子(zi)和(he)多(duo)相(xiang)輸(shu)出(chu)，可(ke)用(yong)作(zuo)雙(shuang)逆(ni)變(bian)器(qi)或(huo)並(bing)聯(lian)以(yi)獲(huo)得(de)更(geng)高(gao)的(de)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)。

圖 9：XM3 雙逆變器功率回路（左側）和雙逆變器係統（右側）

雙逆變器係統作為雙逆變器可提供每相 375 A 的電流
，作為單逆變器提供每相 750 A 的電流。在與競爭技術（Si IGBT）相比時
，輸出功率能力超過其 2 倍（配置為雙逆變器），整體功率密度高了 3.6 倍。

#3      結論

因此，功率模塊平台（Wolfspeed WolfPACK 和 XM3 模塊）能夠為中高功率應用帶來靈活
、可擴展的解決方案。通過簡化布局和組裝最大限度提高了功率密度，同時借助交錯設計、功率級模塊化、簡單對稱的總線以及可輕鬆實現模塊並聯的時序可配柵極驅動器實現可擴展的係統/平台。模塊化和分立式方案均能夠實現功率可擴展
，但重要的是要注意，對稱布局/設計、最小化雜散電感對於實現最佳效率、電流平衡和相同功率分配至關重要。

英文原稿，敬請訪問：

https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/designing-for-scalability-in-high-power-applications/

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片
、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

又快又穩的音頻測試平台設計關鍵！

使用TI功能安全柵極驅動器增加HEV/EV牽引逆變器的效率

如何使用Python編程語言和ADALM2000創建虛擬示波器

TDK如何助力於無線耳機音質的不斷發展？

完整教程：設計一款小巧但強大的傳感器