【導讀】在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢複時間trr較長

，且有電流殘留
，則在超前臂的MOSFET關斷時
，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發生在由關斷時產生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發地導通（誤導通）
、瞬間流過大電流時。

關鍵要點

・在重負載時
，如果t_rr較長
，則超前臂關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。

・在PSFB電路中，在反向恢複期間體二極管的偏置電壓幾乎為0V，因此電荷釋放速度變慢，最終導致t_rr變長。

・在PSFB電路中使用t_rr小的MOSFET很重要。

・即使是快速恢複型SJ MOSFET，其性能也會因製造商和產品係列而異，因此在選擇時需要充分確認。

在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢複時間trr較長，且有電流殘留
，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通
，從而損壞MOSFET。這種問題發生在由關斷時產生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。

在逆變器電路等電路中，在正向電流流過MOSFET的體二極管的狀態下，通過施加高反向偏置電壓，強製使體二極管中的電荷（Q_rr）被快速釋放。這種放電所需時間為t_rr
，因此最終會導致trr變短。

而在PSFB電路中
，在反向恢複期間施加到體二極管的偏置電壓幾乎為0V，這會使電荷釋放速度變慢，最終導致t_rr變長。下圖為超前臂MOSFET的VDS
、ID和反向恢複電流示意圖。

當t_rr變長時，反向恢複所產生的電流會發生變化
，如圖中紅色虛線所示。也就是說

，當關斷時
，MOSFET中有電荷殘存，這使得電流更容易流動，使寄生雙極晶體管更容易誤導通。

t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開始流過體二極管。

t1～t3：體二極管導通的時間段。

t1～t5：MOSFET導通，處於導通狀態的時間段。

t3～t4：體二極管流過反向恢複電流的時間段。t_rr越長
，這個時間段就越長。

t5～t6：MOSFET關斷。這時
，如果trr過長
，則寄生雙極晶體管更容易誤導通
，導致損壞MOSFET。

因此，在PSFB電路中
，需要使用t_rr小的MOSFET。簡言之，t_rr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢複SJ MOSFET
，但製造商和產品係列不同，t_rr及其相關參數也存在差異

，因此，在選擇時需要進行充分確認。

即使是滯後臂的MOSFET
，在關斷時也可能引起寄生雙極晶體管的誤導通。但是
，正如通過PSFB電路的工作所解釋說明的
，由於與超前臂相比，ID為正的時間段較長，因此不容易受到t_rr的影響
，滯後臂不容易因寄生雙極晶體管的誤導通而導致MOSFET損壞。與超前臂一樣，這裏也給出了反向恢複電流的示意圖。

t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開始流過體二極管。

t0～t2：體二極管導通的時間段。    

t1～t4：MOSFET導通，處於導通狀態的時間段。

t2～t3：體二極管流過反向恢複電流的時間段。t_rr越長，這個時間段就越長。

t4～t5：MOSFET關斷。與超前臂相比，不易受反向恢複的影響，因此寄生雙極晶體管不易發生誤導通。

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