共gong同tong使shi用yong概gai念nian的de一yi個ge轉zhuan折zhe是shi浮fu動dong太tai陽yang能neng電dian池chi板ban的de想xiang法fa。在zai這zhe種zhong設she計ji中zhong，太tai陽yang能neng電dian池chi板ban被bei放fang置zhi在zai水shui體ti上shang

，這zhe樣yang它ta就jiu不bu會hui占zhan用yong寶bao貴gui的de土tu地di
，而er水shui可ke使shi電dian池chi板ban保bao持chi冷leng卻que
，從cong而er提ti高gao太tai陽yang能neng轉zhuan換huan效xiao率lv。有you些xie人ren甚shen至zhi建jian議yi將jiang電dian池chi板ban漂piao浮fu在zai抽chou水shui蓄xu能neng水shui庫ku上shang
，由you電dian池chi板ban提ti供gong能neng量liang儲chu存cun在zai那na裏li。

 

 

另一個例子被稱為 "農業光伏"

，這(zhe)想(xiang)法(fa)是(shi)安(an)裝(zhuang)電(dian)池(chi)板(ban)以(yi)最(zui)大(da)化(hua)空(kong)間(jian)並(bing)允(yun)許(xu)下(xia)麵(mian)的(de)土(tu)地(di)用(yong)於(yu)耕(geng)種(zhong)。太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)板(ban)安(an)裝(zhuang)得(de)足(zu)夠(gou)高(gao)，以(yi)便(bian)設(she)備(bei)可(ke)以(yi)在(zai)下(xia)麵(mian)並(bing)有(you)足(zu)夠(gou)的(de)空(kong)間(jian)，讓(rang)植(zhi)物(wu)獲(huo)得(de)充(chong)足(zu)的(de)光(guang)線(xian)。植(zhi)物(wu)實(shi)際(ji)上(shang)受(shou)益(yi)於(yu)部(bu)分(fen)陰(yin)影(ying)，土(tu)壤(rang)保(bao)留(liu)了(le)更(geng)多(duo)的(de)水(shui)分(fen)
，從(cong)而(er)節(jie)省(sheng)了(le)水(shui)。此(ci)外(wai)，由(you)於(yu)下(xia)方(fang)的(de)濕(shi)度(du)增(zeng)加(jia)，電(dian)池(chi)板(ban)運(yun)行(xing)起(qi)來(lai)更(geng)冷(leng)卻(que)，當(dang)然(ran)，還(hai)能(neng)從(cong)太(tai)陽(yang)產(chan)生(sheng)清(qing)潔(jie)能(neng)源(yuan)。

 

無論太陽能發電站在哪裏，都需要一個電力電子轉換器將(jiang)其(qi)與(yu)電(dian)網(wang)連(lian)接(jie)。該(gai)轉(zhuan)換(huan)器(qi)包(bao)括(kuo)一(yi)個(ge)可(ke)選(xuan)的(de)升(sheng)壓(ya)級(ji)和(he)一(yi)個(ge)逆(ni)變(bian)器(qi)，用(yong)於(yu)將(jiang)直(zhi)流(liu)電(dian)轉(zhuan)換(huan)為(wei)與(yu)電(dian)網(wang)同(tong)步(bu)的(de)交(jiao)流(liu)電(dian)。這(zhe)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)直(zhi)接(jie)影(ying)響(xiang)到(dao)項(xiang)目(mu)的(de)經(jing)濟(ji)性(xing)。碳(tan)化(hua)矽(gui)(SiC)是下一代功率開關技術，可提高並網效率，縮小冷卻係統，並降低整個係統成本。

 

太陽能電源轉換器的一個重要趨勢是將進入逆變器的電壓提高到1500 V。這將減少相同功率所需的電流，從而減小承載電流所需的電纜尺寸。

 

 

另ling一yi個ge趨qu勢shi是shi從cong大da型xing集ji中zhong式shi逆ni變bian器qi轉zhuan向xiang更geng易yi於yu維wei護hu的de小xiao型xing分fen散san式shi逆ni變bian器qi。這zhe種zhong拓tuo撲pu結jie構gou也ye更geng加jia強qiang固gu
，因yin為wei一yi個ge逆ni變bian器qi發fa生sheng故gu障zhang不bu會hui關guan閉bi整zheng個ge服fu務wu器qi場chang。對dui於yu標biao準zhun化hua的de分fen散san式shi逆ni變bian器qi，設she計ji人ren員yuan嚐chang試shi在zai固gu定ding的de重zhong量liang和he尺chi寸cun規gui格ge範fan圍wei內nei最zui大da化hua功gong率lv。

 

 

SiC有助於提供更高能效，支持這兩個趨勢。與傳統的矽IGBT相比，SiC器件對更高的電壓最為有用。更高電壓的器件可簡化拓撲結構
，從而無需多電平轉換器。

 

SiC逆變器方案的損耗比IGBT方案低。SiC MOSFETdekaiguansuduyegengkuai，zhekesuoxiaowuyuanqijiantebieshidiangandechicun。zhelianggeyinsuzengjialegonglvmidu，congeryunxuzaitongyangchicunhezhongliangdeshebeizhonghuodegenggaodegonglv。

 

安森美半導體具備用於太陽能轉換器的全係列SiC器件。

 

     • 分立MOSFET和二極管采用各種封裝，提供靈活性

 

     • 集成SiC續流二極管的混合IGBT
，實現成本優化

 

     • SiC混合模塊和全SiC模塊，實現緊湊的設計

 

我們還提供交互式框圖
，以支持您的太陽能逆變器設計需求。

 

 

 

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