開關電源MOS開關損耗推導過程詳解
發布時間:2021-03-12 責任編輯:lina
【導讀】電源工程師們都知道開關MOS在整個電源係統裏麵的損耗占比是不小的,開關mos的de的de損sun耗hao我wo們men談tan及ji最zui多duo的de就jiu是shi開kai通tong損sun耗hao和he關guan斷duan損sun耗hao,由you於yu這zhe兩liang個ge損sun耗hao不bu像xiang導dao通tong損sun耗hao或huo驅qu動dong損sun耗hao一yi樣yang那na麼me直zhi觀guan,所suo以yi有you部bu分fen人ren對dui於yu它ta計ji算suan還hai有you些xie迷mi茫mang。
電源工程師們都知道開關MOS在整個電源係統裏麵的損耗占比是不小的,開關mos的de的de損sun耗hao我wo們men談tan及ji最zui多duo的de就jiu是shi開kai通tong損sun耗hao和he關guan斷duan損sun耗hao,由you於yu這zhe兩liang個ge損sun耗hao不bu像xiang導dao通tong損sun耗hao或huo驅qu動dong損sun耗hao一yi樣yang那na麼me直zhi觀guan,所suo以yi有you部bu分fen人ren對dui於yu它ta計ji算suan還hai有you些xie迷mi茫mang。
我們今天以反激CCM模式的開通損耗和關斷損耗來把公式推導一番,希望能夠給各位有所啟發。
我(wo)們(men)知(zhi)道(dao)這(zhe)個(ge)損(sun)耗(hao)是(shi)由(you)於(yu)開(kai)通(tong)或(huo)者(zhe)關(guan)斷(duan)的(de)那(na)一(yi)個(ge)極(ji)短(duan)的(de)時(shi)刻(ke)有(you)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)的(de)交(jiao)叉(cha)而(er)引(yin)起(qi)的(de)交(jiao)越(yue)損(sun)耗(hao),所(suo)以(yi)我(wo)們(men)先(xian)得(de)把(ba)交(jiao)越(yue)波(bo)形(xing)得(de)畫(hua)出(chu)來(lai),然(ran)後(hou)根(gen)據(ju)波(bo)形(xing)來(lai)一(yi)步(bu)步(bu)推(tui)導(dao)它(ta)的(de)計(ji)算(suan)公(gong)式(shi)。
我們一起來看圖
下圖為電流與電壓在開關時交疊的過程,這個圖中描述的是其實是最惡劣的情況,開通時等mos管電流上升到I1之後mos管電壓才開始下降,關斷時等mos管電壓上升到Vds後mos管電流才開始下降。
最惡劣的情況分析:

mos管開通過程
階段一:電壓不變電流上升(電壓為Vds不變,電流由0上升到Ip1)
mos開通瞬間,電流從零快速開始上升到Ip1,此過程MOS的DS電壓不變為Vds;
階段二:電流不變電壓下降(電流為Ip1不變,電壓由Vds下降到0)
電流上升到Ip1後,此時電流的上升斜率(Ip1-Ip2段)相對0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的,我們可以近似把上升到Ip1之後繼續上升的斜率認為是0,把電流基本認為是Ip1不變,此時MOS管的DS電壓開始快速下降到0V。
mos管關斷過程
階段一:電流不變電壓上升(電流為Ip2不變,電壓由0上升到Vds)
電壓從0快速開始上升到最高電壓Vds,與開通同理此過程MOS的電流基本不變為Ip2;
階段二:電壓不變電流下降(點壓為Vds不變,電流由Ip2下降到0)
電壓此時為Vds不變,電流迅速從Ip2以很大的下降斜率降到0。
shangmianduizuieliedekaiguanqingkuangzuolefenxi,danshiwogenjugerendejingyanzhezhishiyichangwuhui,benrenmeifaxianyouzhezhongqingkuang,suoyiwoyibanbuyongzhezhongqingkuanglaijisuankaiguansunhao。
由於本人不用,所以對上述情況不做詳細推導,下麵直接給出最惡劣的情況的開通關斷損耗的計算公式

至於關斷和開通的交越時間t下麵會給出估算過程。個人認為更符合實際情況的分析與推導
請看圖

這種情況跟上一種情況的不同之處就在於:
開通時:電流0-Ip1上升的過程與電壓Vds-0下降的過程同時發生。
關段時:電壓0-Vds的上升過程與電流從Ip2-0的下降過程同時發生。
開通時的損耗推導
我們先把開通交越時間定位t1。
我們大致看上去用平均法來計算好像直接可以看出來,Ip1/2 × Vds/2 *t1*fs,實際上這是不對的,這個過程實際上準確的計算是,在時間t內每一個瞬時的都對應一個功率,然後把這段時間內所有的瞬時功率累加然後再除以開關周期T或者乘以開關頻率fs。好了,思想有了就隻剩下數學問題了,我們一起來看下。


下麵我來說一下t1的估算方法
思路是根據MOS管datasheet給出的柵極總電荷量來計算時間t1,用公式Qg=i*t來計算。

我們來看看上圖是驅動的過程,Vth為MOS管的開通閾值,Vsp為MOS管的米勒平台,實際上MOS管從開始導通到飽和導通的過程是從驅動電壓a點到b點這個區間。
其中柵極總電荷Gg是可以在mos管的datasheet中可以查詢到的

然後就是要求這段時間的驅動電流,我們看下圖,這個電流結合你的實際驅動電路來取值的。

根據你的驅動電阻R1的值和米勒平台電壓可以把電流i計算出來。
米勒平台電壓Vsp也可以在MOS管的datasheet中可以查到。

然後再根據你的實際驅動電壓(實際上就是近似等於芯片Vcc供電電壓),實物電壓做出來之前,在理論估算階段可以自己先預設定一個,比如預設15V。
我們計算時把Vth到Vsp這一段把它近似看成都等於Vsp,然後就很好計算出i了。
i=(Vcc-Vsp)/R1
此刻驅動電流i已經求出,接下來計算平台時間(a點到b點)t1。
Qg=i*t1
t1=Qg/i
到此時基本差不多了。
好了我們來總結一下開關MOS開通時的損耗計算公式
i=(Vcc-Vsp)/R1 計算平台處驅動電流
t1=Qg/i 計算平台的持續時間(也就是mos開通時,電壓電流的交越時間)
Pon=1/6*Vds*Ip1*t1*fs
關斷時的損耗
對於關斷時的損耗計算跟開通時的損耗推導方式沒什麼區別,我在這裏就不在贅述了,我給出一個簡單的結果。

i=(Vsp)/R2 計算平台處驅動電流
t1=Qg/i 計算平台的持續時間(也就是mos關斷時,電壓電流的交越時間)
Ptoff=1/6*Vds*Ip1*t1*fs
上文是針對反激CCM,對於DCM的計算方法是一樣的,不過DCM下Ip1為0,開通損耗是可以忽略不計的,關斷損耗計算方法一樣。
(來源:電源研發精英圈)
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