我們已聽到我們的行業代言人宣布，“GaN將迎來黃金發展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現在廣大聽眾、用戶或為數眾多的應用麵前。這也表明
，GaN技術已經如此成熟
，不能認為它是一個有問題的技術。我會讓您自己決定哪些東西是正確的。

 

因此，當我說“GaN已為數字電源控製做好準備”時，您懂我的意思嗎
？測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發過程。多數情況下，電源設計人員使用數字控製來演示GaN應用。這可能是因為數字化控製的靈活性較好，能夠讓設計人員精確控製開關波形。也可能是數字控製可以提供克服任意GaN缺點的多個控製回路和保護電路。

 

我認為，“GaN已為數字電源控製做好準備”的含義比我上述提到的更豐富，但它也意味著數字控製也做好準備迎接GaN。對於做好準備迎接GaN的數字電源控製來講，它需要時間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用於更高的開關頻率、更窄的占空比和精確的死區時間控製。圖1和2所示為矽（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間。圖中數字顯示死區時間存在兩倍的差異，矽 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細的邊緣控製非常可取。

 

GaN可ke在zai無wu需xu支zhi付fu後hou續xu費fei用yong的de情qing況kuang下xia增zeng大da開kai關guan頻pin率lv。利li用yong這zhe一yi優you點dian，可ke以yi在zai功gong率lv級ji中zhong縮suo小xiao無wu源yuan元yuan件jian尺chi寸cun，並bing加jia快kuai瞬shun變bian響xiang應ying速su度du。但dan是shi，要yao對dui這zhe些xie較jiao高gao頻pin率lv進jin行xing所suo需xu的de控kong製zhi，控kong製zhi電dian路lu速su度du必bi須xu更geng快kuai。例li如ru，采cai樣yang和he轉zhuan換huan時shi間jian需xu要yao足zu夠gou快kuai，才cai不bu會hui限xian製zhi占zhan空kong比bi寬kuan度du或huo相xiang位wei延yan遲chi。此ci外wai，接jie下xia來lai針zhen對dui控kong製zhi工gong作zuo的de計ji算suan需xu要yao足zu夠gou快kuai，以yi不bu限xian製zhi開kai關guan速su度du。對dui於yu如ru今jin頻pin率lv大da於yu1MHz的開關電源，需要在少數100ns中完成采樣和轉換。計算延遲也必須處於這一範圍。

 

xingyundeshi，duonianlai
，womenshengchandeshuzidianyuankongzhiqiyizhijubeizheyinengli。bingfeisuoyoushuzidianyuankongzhiqidounengmanzuzhexiexuqiu，danshizhishaodianyuanshejirenyuanyouxuanzequan。

 

因此，GaN為數字電源控製做好準備了嗎？我們得到的答案更多是數字電源控製已準備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續開發，並應用於高密度和高性能電源解決方案

，我們不必等待開發控製器時要借助GaN帶給行業的優勢。因此，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現在就開始”。

 

您對這個問題有什麼看法呢？

 

圖1：諧振LLC矽MOSFET死區時間

 

圖2：LLC GaN MOSFET死區時間

 

 

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