我們在應用MOS管和設計MOS管驅動的時候，有很多寄生參數，其中最影響MOS管開關性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來源，第一個就是晶圓DIE和封裝之間的Bonding線的感抗
，另外一個就是源邊引腳到地的PCB走線的感抗（地是作為驅動電路的旁路電容和電源網絡濾波網的返回路徑）。在某些情況下，加入測量電流的小電阻也可能產生額外的感抗。

 

 

 

由you於yu存cun在zai源yuan邊bian電dian感gan，在zai開kai啟qi和he關guan段duan初chu期qi，電dian流liu的de變bian化hua被bei拽zhuai了le，使shi得de充chong電dian和he放fang電dian的de時shi間jian變bian長chang了le。同tong時shi源yuan感gan抗kang和he等deng效xiao輸shu入ru電dian容rong之zhi間jian會hui發fa生sheng諧xie振zhen（這個諧振是由於驅動電壓的快速變壓形成的，也是我們在 G端看到震蕩尖峰的原因），我們加入的門電阻Rg和內部的柵極電阻Rm都會抑製這個震蕩（震蕩的Q值非常高）。

我們需要加入的優化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會引起G端電壓的過衝（優點是加快了開啟的過程）
，電阻過小則會使得開啟過程變得很慢，加大了開啟的時間（雖然G端電壓會被抑製）。

 

園感抗另外一個影響是阻礙Id的變化

，當開啟的時候
，初始時di/dt偏大，因此在原感抗上產生了較大壓降，從而使得源點點位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上麵，因此使得G點的電壓變化減小，進而形成了一種平衡（負反饋係統）。

 

另外一個重要的寄生參數是漏極的感抗，主要是有內部的封裝電感以及連接的電感所組成。

 

在開啟狀態的時候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用）
，開啟的時候由於Ld的作用
，有效的限製了di/dt/（同時減少了開啟的功耗）。在關斷的時候，由於Ld的作用
，Vds電壓形成明顯的下衝（負壓）並顯著的增加了關斷時候的功耗。

 

 

 

實際上驅動器和MOS管一般離開很遠
，因此在源級到返回路徑的環路上存在很大的感抗
，即使我們考慮使用地平麵，那麼我們仍舊需要一段很粗的PCB線連接源級和地平麵。

另外一個問題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因為由於控製頻率較高，晶圓大小受到限製。同時內部功耗很高也導致了IC的成本較高
，因此我們需要一些擴展分立的電路。

 

由於開啟的瞬間，MOS管需要吸取大量的電流，因此旁路電容需要盡可能的貼近驅動器電源端。

有兩個電流需要我們去考慮：第一個是驅動器靜態電流，它收到輸入狀態的影響。他可以產生一個和占空比相關的紋波。

 

另外一個是G極電流，MOS管開通的時候
，充電電流時將旁路電流的能量傳輸至MOS管輸入電容上。其紋波大小可用公式來表明，最後兩個可合在一起。

 

如果驅動器輸出級為晶體管
，那麼我們還需要適當的保護來防止反向電流。一般為了成本考慮，我們采用NPN的輸出級電路。NPN管(guan)子(zi)隻(zhi)能(neng)承(cheng)受(shou)單(dan)向(xiang)電(dian)流(liu)，高(gao)邊(bian)的(de)管(guan)子(zi)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)
，低(di)邊(bian)的(de)管(guan)子(zi)吸(xi)收(shou)電(dian)流(liu)。在(zai)開(kai)啟(qi)和(he)關(guan)閉(bi)的(de)時(shi)候(hou)

，無(wu)可(ke)避(bi)免(mian)的(de)源(yuan)感(gan)抗(kang)和(he)輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong)之(zhi)間(jian)的(de)振(zhen)蕩(dang)使(shi)得(de)電(dian)流(liu)需(xu)要(yao)上(shang)下(xia)兩(liang)個(ge)方(fang)向(xiang)都(dou)有(you)通(tong)路(lu)，為(wei)了(le)提(ti)供(gong)一(yi)條(tiao)方(fang)向(xiang)通(tong)路(lu)
，低(di)電(dian)壓(ya)的(de)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)保(bao)護(hu)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)輸(shu)出(chu)級(ji)，這(zhe)裏(li)注(zhu)意(yi)這(zhe)兩(liang)個(ge)管(guan)子(zi)並(bing)不(bu)能(neng)保(bao)護(hu)MOS管的輸入級（離MOS管較遠）
，因此二極管需要離驅動器引腳非常近。

 

這是最便宜和有效地驅動方式，此電路需要盡量考慮MOS管
，這樣可以使得開啟時大電流環路盡可能小，並且此電路需要專門的旁路電容。Rgate是可選的，Rb可以根據晶體管的放大倍數來選擇。兩個BE之間的PN結有效的實現了反壓時候的相互保護，並能有效的把電壓嵌位在VCC+Vbe
，GND-Vbe之間。

 

 

MOS管開通的時候

，開啟的速度主要取決於二極管的反向特性。

 

因此MOS管關斷的時間需要我們去優化，放電曲線取決於Rgate

，Rgate越小則關斷越快。下麵有好幾個方案：

這是最簡單的加速電路。Rgate調整著MOS管的開啟速度，當關斷的時候

，由二極管短路電阻，此時G極電流最小為：Imin=Vf / Rgate 。

 

此電路的優點是大大加速了關斷的速度，但是它僅在電壓高的時候工作
，且電流仍舊流向驅動器。

 

這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關斷期間
，源極和柵極被短路了。二極管提供了開啟時候的電流通路（並且有保護PNP管子eb免受反向電壓的影響）
，Rgate限製了開啟的速度。

 

dianludezuidadehaochushifangdiandianliudejianfengbeixianzhizaizuixiaodehuanluzhong，dianliubingbufanhuizhiqudongqi，yinciyebuhuizaochengdidandexianxiang，qudongqidegonglvyexiaoleyiban，sanjiguandecunzaijianxiaolehuiludiangan。

 

仔細看這個電路其實是圖騰柱結構的簡化，電路的唯一的缺點是柵極電壓並不釋放到0V

，而是存在EC極的壓差。

優點和上麵的PNP管子相同，缺點是加入了一個反向器
，加入反向器勢必會造成延遲。
 

這個電路可以使得MOS管關斷非常快，並且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個方向電壓來驅動。 問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了。