具有超低導通電阻的StrongIRFET功率MOSFET
發布時間:2013-01-11 責任編輯:hedyxing
【導讀】IR近日推出具有不同種類封裝形式的超低導通電阻(RDS(ON))的StrongIRFET功率MOSFET係列產品,若用其取代效能較低的器件,更可節省器件數量。

IR StrongIRFET功率MOSFET
IR近日推出具有超低導通電阻(RDS(ON))的StrongIRFET功率 MOSFET係列,適合各種工業應用,包括電池組、逆變器、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車,以及ORing 和熱插拔應用等。
這些新器件除了具備超低的導通電阻,其高電流額定值更有助於提升係統的可靠性。若用其取代效能較低的器件,更可節省器件數量。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“StrongIRFET係列為工業市場提供多種符合基準效能的MOSFET。此外,其不同種類的封裝讓設計師為具體應用靈活選擇最理想的器件。”
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