羅姆新款SiC肖特基勢壘二極管VF僅為1.35V 突破傳統1.5V門檻
發布時間:2012-06-11 來源:羅姆
產品特點:
羅姆株式會社麵向太陽能發電功率調節器、工業設備、服務器和空調等的電源電路,開發出實現業界最小正向電壓(VF=1.35V)的第二代SiC肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。與傳統產品相比,正向電壓降低了10%,非常有助於各種設備實現更低功耗。
圖1:羅姆第二代SiC肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM”
生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),從6月份開始出售樣品 (樣品價格500日元/個)並陸續量產。羅姆於2010年成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產,於2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產等等,產品開發在行業中遙遙領先。
羅姆SiC-SBD正向電壓突破1.5V門檻
與Si元件相比,電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。
如今,SiC-SBD已經逐漸在世界範圍內廣泛量產,但形成通態損耗的正向電壓長期維持在1.5V的狀態,市場上為了追求更低損耗,要求降低正向電壓。本次羅姆新推出的第二代SiC肖特基勢壘二極管正向電壓降低到了1.35V。
通tong常chang,正zheng向xiang電dian壓ya降jiang低di反fan向xiang漏lou電dian流liu就jiu會hui增zeng加jia,羅luo姆mu通tong過guo改gai善shan工gong藝yi和he元yuan件jian構gou造zao,在zai確que保bao極ji低di漏lou電dian流liu的de基ji礎chu上shang成cheng功gong降jiang低di了le正zheng向xiang電dian壓ya。特te別bie是shi正zheng向xiang上shang升sheng電dian壓ya較jiao低di,有you望wang改gai善shan一yi般ban使shi用yong頻pin率lv較jiao高gao的de低di負fu載zai狀zhuang態tai下xia的de效xiao率lv。
新係列首先從600V-10A的產品開始量產,今後將逐步擴大產品陣容。計劃在數月內開始1200V產品的量產。
本產品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子、智能運動、可再生能源與能源管理等最新技術的專業展會“PCIM-ASIA 2012”上展出,歡迎屆時蒞臨參觀。
圖2:羅姆新款SiC-SBD正向電壓從傳統的1.5V降為1.35V

圖3:羅姆新款SiC-SBD實現了更低的開關損耗
表:羅姆第二代SiC肖特基勢壘二極管係列規格表
- 第二代SiC肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM” VF為1.35V
- 與傳統產品VF為1.5V相比,新產品正向電壓降低了10%
- 太陽能發電功率調節器、工業設備、服務器和空調等的電源電路
羅姆株式會社麵向太陽能發電功率調節器、工業設備、服務器和空調等的電源電路,開發出實現業界最小正向電壓(VF=1.35V)的第二代SiC肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。與傳統產品相比,正向電壓降低了10%,非常有助於各種設備實現更低功耗。

圖1:羅姆第二代SiC肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM”
生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),從6月份開始出售樣品 (樣品價格500日元/個)並陸續量產。羅姆於2010年成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產,於2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產等等,產品開發在行業中遙遙領先。
羅姆SiC-SBD正向電壓突破1.5V門檻
與Si元件相比,電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。
如今,SiC-SBD已經逐漸在世界範圍內廣泛量產,但形成通態損耗的正向電壓長期維持在1.5V的狀態,市場上為了追求更低損耗,要求降低正向電壓。本次羅姆新推出的第二代SiC肖特基勢壘二極管正向電壓降低到了1.35V。
通tong常chang,正zheng向xiang電dian壓ya降jiang低di反fan向xiang漏lou電dian流liu就jiu會hui增zeng加jia,羅luo姆mu通tong過guo改gai善shan工gong藝yi和he元yuan件jian構gou造zao,在zai確que保bao極ji低di漏lou電dian流liu的de基ji礎chu上shang成cheng功gong降jiang低di了le正zheng向xiang電dian壓ya。特te別bie是shi正zheng向xiang上shang升sheng電dian壓ya較jiao低di,有you望wang改gai善shan一yi般ban使shi用yong頻pin率lv較jiao高gao的de低di負fu載zai狀zhuang態tai下xia的de效xiao率lv。
新係列首先從600V-10A的產品開始量產,今後將逐步擴大產品陣容。計劃在數月內開始1200V產品的量產。
本產品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子、智能運動、可再生能源與能源管理等最新技術的專業展會“PCIM-ASIA 2012”上展出,歡迎屆時蒞臨參觀。
圖2:羅姆新款SiC-SBD正向電壓從傳統的1.5V降為1.35V

圖3:羅姆新款SiC-SBD實現了更低的開關損耗
表:羅姆第二代SiC肖特基勢壘二極管係列規格表
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