IDT新型4M係列振蕩器可替代傳統六管腳晶體振蕩器
發布時間:2012-05-18
產品特性:
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布,已推出全球首款針對高性能通信、消費、雲和工業應用的CrystalFree壓電MEMS(pMEMS)LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低於1皮秒的相位抖動運行,使其成為傳統六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。
IDT的4M係列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術,讓IDT能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調昂貴的晶體。此外,由於pMEMS的本征諧振頻率遠高於石英晶體,4M振蕩器能夠以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M係列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產品,將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。
IDT公司副總裁兼計時與同步部門總經理Fred Zust表示:“作為計時領域的領導者,我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用,通信是40億美元頻率控製市場的重要細分市場。IDT專利的pMEMSxiezhenqijishujiangyadiancailiaodeqiangjidianouheyudanjingguidewendingxinghedizunixiangjiehe,yunxuwomenpingjiewuyulunbidexingnenghekekaoxingshixianbianliqiejuyouchengbenxiaoyideXO替(ti)代(dai)。這(zhe)些(xie)產(chan)品(pin)與(yu)我(wo)們(men)屢(lv)獲(huo)殊(shu)榮(rong)的(de)固(gu)態(tai)振(zhen)蕩(dang)器(qi)相(xiang)得(de)益(yi)彰(zhang),可(ke)提(ti)供(gong)完(wan)整(zheng)的(de)頻(pin)率(lv)控(kong)製(zhi)產(chan)品(pin)組(zu)合(he),從(cong)而(er)在(zai)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)的(de)細(xi)分(fen)市(shi)場(chang)中(zhong)替(ti)代(dai)石(shi)英(ying)器(qi)件(jian)。”
IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度範圍內以±50 ppm的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達625 MHz,可滿足大多數通信、網絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝,可節省成本並在高密度的應用領域將封裝尺寸降至最低。經過設計,它們與傳統的XO管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。
IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品,並提供基於頻率、電壓、輸出類型和工業標準封裝的多種配置。
- 利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術
- 可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度範圍內運行
- 以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能
- 可在緊湊業界標準封裝中以遠低於1皮秒的相位抖動運行
- 高性能通信、消費、雲和工業應用
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布,已推出全球首款針對高性能通信、消費、雲和工業應用的CrystalFree壓電MEMS(pMEMS)LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低於1皮秒的相位抖動運行,使其成為傳統六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。
IDT的4M係列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術,讓IDT能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調昂貴的晶體。此外,由於pMEMS的本征諧振頻率遠高於石英晶體,4M振蕩器能夠以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M係列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產品,將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。
IDT公司副總裁兼計時與同步部門總經理Fred Zust表示:“作為計時領域的領導者,我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用,通信是40億美元頻率控製市場的重要細分市場。IDT專利的pMEMSxiezhenqijishujiangyadiancailiaodeqiangjidianouheyudanjingguidewendingxinghedizunixiangjiehe,yunxuwomenpingjiewuyulunbidexingnenghekekaoxingshixianbianliqiejuyouchengbenxiaoyideXO替(ti)代(dai)。這(zhe)些(xie)產(chan)品(pin)與(yu)我(wo)們(men)屢(lv)獲(huo)殊(shu)榮(rong)的(de)固(gu)態(tai)振(zhen)蕩(dang)器(qi)相(xiang)得(de)益(yi)彰(zhang),可(ke)提(ti)供(gong)完(wan)整(zheng)的(de)頻(pin)率(lv)控(kong)製(zhi)產(chan)品(pin)組(zu)合(he),從(cong)而(er)在(zai)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)的(de)細(xi)分(fen)市(shi)場(chang)中(zhong)替(ti)代(dai)石(shi)英(ying)器(qi)件(jian)。”
IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度範圍內以±50 ppm的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達625 MHz,可滿足大多數通信、網絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝,可節省成本並在高密度的應用領域將封裝尺寸降至最低。經過設計,它們與傳統的XO管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。
IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品,並提供基於頻率、電壓、輸出類型和工業標準封裝的多種配置。
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