產品特性：

• 具有能夠大幅減小設計的外形尺寸
• 具有高功率密度，提供高效率

應用範圍：

• 便攜產品

bianxiechanpindeshejirenyuantongchangzaishejidemeigejieduandouhuimianduijianxiaokongjianhetigaoxiaolvdetiaozhan。zaichaobianxieyingyongdengshiyongdanjielilizidianchidechanpinzhong
，zheshiyigetebiezhongyaodewenti。

為了幫助設計人員應對減小設計空間和提高效率的挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，並提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超便攜應用而設計，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠實現電流的雙向流動。

FDMB2307NZ采用先進的PowerTrench工藝，具有高功率密度，並在VGS= 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss(on)，從而獲得更低的導通損耗
、電壓降和功率損耗，並且相比競爭解決方案，具有更高的總體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能
，使得係統工作溫度更低，進一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET封裝，為設計人員帶來了現有最小的MLP解決方案之一，相比目前常見的解決方案減小40%，顯著節省了客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求
，而且具有大於2kV的HBM ESD防護功能。

飛兆半導體通過將先進的電路技術集成在微型高級封裝中，為便攜產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜IP業已用於現今大部分手機中。

價格：訂購1,000個FDMB2307NZ
，每個0.46美元
供貨: 可按請求提供樣品
交貨期: 收到訂單後8至12周內