產品特性：

• PowerFill外延矽工藝可使帶有摻雜物的外延矽深溝無縫隙填充
• 可以實現電源管理器件和電路的占用空間

應用範圍：

• 電源管理器件

ASM International推出了其PowerFill的外延矽（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延矽深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低製造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。

Fairchild半導體公司是第一家客戶，以處理其先進電源管理器件
，已完成其在韓國工廠的核實。對於這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實現電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產成本。

“對於離散式功率的要求MOSFETs是要降低電阻導通
，降低柵極電荷和提高電流能力” Fairchild的技術處理主管C.B. Son表示。 “具備PowerFill的Epsilon工具的de性xing能neng一yi直zhi令ling人ren印yin象xiang深shen刻ke的de，其qi一yi個ge重zhong要yao的de有you利li因yin素su就jiu是shi我wo們men可ke以yi成cheng功gong地di融rong入ru這zhe一yi先xian進jin的de溝gou槽cao外wai延yan處chu理li，能neng我wo們men認ren識shi到dao，因yin成cheng本ben節jie省sheng而er帶dai來lai的de加jia工gong吞tun吐tu量liang的de顯xian著zhu改gai善shan。”

與其它需要通過外延反應堆進行多重傳遞來實現類似設備結構的處理相比而言，創新後的ASM Epsilon溝(gou)槽(cao)填(tian)補(bu)技(ji)術(shu)的(de)開(kai)發(fa)能(neng)夠(gou)在(zai)無(wu)縫(feng)隙(xi)外(wai)延(yan)處(chu)理(li)一(yi)步(bu)完(wan)成(cheng)。單(dan)一(yi)步(bu)驟(zhou)的(de)處(chu)理(li)能(neng)夠(gou)使(shi)矽(gui)外(wai)延(yan)處(chu)理(li)的(de)吞(tun)吐(tu)量(liang)增(zeng)加(jia)三(san)倍(bei)
，同(tong)時(shi)保(bao)持(chi)無(wu)縫(feng)隙(xi)填(tian)充(chong)的(de)特(te)性(xing)
，均(jun)勻(yun)性(xing)好(hao)
，產(chan)量(liang)高(gao)。ASM外延技術總監Shawn Thomas說到：“這種高速溝槽填充技術的開發將是展示ASM與客戶合作
，使先進的材料和批量生產外延技術的一個例證”。