Qspeed推出超高效率600伏特H係列整流器
發布時間:2009-11-10 來源:EEWORLD
產品特性:
Qspeed半導體今日宣布推出H係列組件,協助電源供應製造商以更低成本克服高效能係統的各種挑戰,同時也提供Qspeed擴展其二極管效能領先優勢的機會。以前一代產品作為基礎,Qspeed新款600伏特(Voltage)功率因子修正(PFC,Power Factor Corrector)整流器,不僅擁有更低的逆向複原電荷(QRR),且其轉換效率為現今市麵上所有矽二極管之最。
Qspeed PFC二極管,能協助設計人員因應各種嚴苛的效能規範,不僅能提升係統效能、降低電磁幹擾(EMI,Electromagnetic Interference)輻射,且無需使用其它組件或縮小其它組件。此外,由於Qspeed可帶來更低的運作溫度、更少的組件、以及減少機板與散熱片的需求,故適合用來提高電力密度、降低成本、以及改善其可靠度。因此,Qspeed的產品不僅擁有領先所有市麵上組件的效能與成本,同時也協助提升業界價值。
其600V H係列的3A至12A產品,擁有更低的QRR溫度係數,能在高溫下將其切換損失降至最低。除此之外,亦可提供更低的正向電壓(VF,Forward Voltage)。另外,該係列和所有Qspeed其它二極管一樣,擁有變化幅度較為緩和的回複波形,亦可降低其電磁幹擾。此新款組件采用內部隔離的TO-220封裝,不僅可改善其熱阻,更能讓此係列組件擴展至12安培(Ampere)。
Qspeed擁有較低的諧波放射(Harmonic Emissions),不僅改善其係統的EMI,更可讓係統使用較少的緩衝器(Snubber)。Qspeed優異的二極管轉換效率,不僅能改進電源供應器的效率,還可減少其運作的發熱量。普遍的情況下,在縮小PFC MOSFET與/或(huo)散(san)熱(re)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)後(hou),仍(reng)然(ran)可(ke)達(da)到(dao)上(shang)述(shu)的(de)優(you)勢(shi)。不(bu)過(guo),更(geng)少(shao)的(de)組(zu)件(jian)與(yu)更(geng)低(di)的(de)運(yun)作(zuo)溫(wen)度(du),不(bu)僅(jin)可(ke)創(chuang)造(zao)出(chu)更(geng)高(gao)的(de)電(dian)力(li)密(mi)度(du)設(she)計(ji),還(hai)可(ke)改(gai)善(shan)其(qi)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)度(du)。因(yin)此(ci),藉(ji)由(you)縮(suo)小(xiao)尺(chi)寸(cun)或(huo)減(jian)少(shao)其(qi)組(zu)件(jian)使(shi)用(yong)的(de)數(shu)量(liang),來(lai)降(jiang)低(di)其(qi)零(ling)件(jian)成(cheng)本(ben)。
Qspeed半導體總裁暨執行長Mike Heitzman表示:“目前Qspeed的電源供應器客戶在價格競爭的市場中,正麵臨高效能與電力密度的挑戰。H係列組件擁有獨特的效能組合,不僅能滿足設計人員對高效能的規格,同時還能降低零組件成本,並縮短研發時程。”
如同之前的X係列與Q係列,新款的H係列也采用Qpeed專利的矽組件技術。Qspeed的高效能特色,歸功於運用傳統的材料與製程,而研發出高效率的創新製程。同時,這也意味著客戶可獲得累積超過50年產業經驗,以及優異的矽晶圓製程技術來協助客戶降低其矽組件成本與提升其可靠度,以發揮卓越的效能。
- 更低的逆向複原電荷(QRR)
- 轉換效率為現今市麵上所有矽二極管之最
- 提升係統效能、降低電磁幹擾
- 電源供應器
Qspeed半導體今日宣布推出H係列組件,協助電源供應製造商以更低成本克服高效能係統的各種挑戰,同時也提供Qspeed擴展其二極管效能領先優勢的機會。以前一代產品作為基礎,Qspeed新款600伏特(Voltage)功率因子修正(PFC,Power Factor Corrector)整流器,不僅擁有更低的逆向複原電荷(QRR),且其轉換效率為現今市麵上所有矽二極管之最。
Qspeed PFC二極管,能協助設計人員因應各種嚴苛的效能規範,不僅能提升係統效能、降低電磁幹擾(EMI,Electromagnetic Interference)輻射,且無需使用其它組件或縮小其它組件。此外,由於Qspeed可帶來更低的運作溫度、更少的組件、以及減少機板與散熱片的需求,故適合用來提高電力密度、降低成本、以及改善其可靠度。因此,Qspeed的產品不僅擁有領先所有市麵上組件的效能與成本,同時也協助提升業界價值。
其600V H係列的3A至12A產品,擁有更低的QRR溫度係數,能在高溫下將其切換損失降至最低。除此之外,亦可提供更低的正向電壓(VF,Forward Voltage)。另外,該係列和所有Qspeed其它二極管一樣,擁有變化幅度較為緩和的回複波形,亦可降低其電磁幹擾。此新款組件采用內部隔離的TO-220封裝,不僅可改善其熱阻,更能讓此係列組件擴展至12安培(Ampere)。
Qspeed擁有較低的諧波放射(Harmonic Emissions),不僅改善其係統的EMI,更可讓係統使用較少的緩衝器(Snubber)。Qspeed優異的二極管轉換效率,不僅能改進電源供應器的效率,還可減少其運作的發熱量。普遍的情況下,在縮小PFC MOSFET與/或(huo)散(san)熱(re)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)後(hou),仍(reng)然(ran)可(ke)達(da)到(dao)上(shang)述(shu)的(de)優(you)勢(shi)。不(bu)過(guo),更(geng)少(shao)的(de)組(zu)件(jian)與(yu)更(geng)低(di)的(de)運(yun)作(zuo)溫(wen)度(du),不(bu)僅(jin)可(ke)創(chuang)造(zao)出(chu)更(geng)高(gao)的(de)電(dian)力(li)密(mi)度(du)設(she)計(ji),還(hai)可(ke)改(gai)善(shan)其(qi)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)度(du)。因(yin)此(ci),藉(ji)由(you)縮(suo)小(xiao)尺(chi)寸(cun)或(huo)減(jian)少(shao)其(qi)組(zu)件(jian)使(shi)用(yong)的(de)數(shu)量(liang),來(lai)降(jiang)低(di)其(qi)零(ling)件(jian)成(cheng)本(ben)。
Qspeed半導體總裁暨執行長Mike Heitzman表示:“目前Qspeed的電源供應器客戶在價格競爭的市場中,正麵臨高效能與電力密度的挑戰。H係列組件擁有獨特的效能組合,不僅能滿足設計人員對高效能的規格,同時還能降低零組件成本,並縮短研發時程。”
如同之前的X係列與Q係列,新款的H係列也采用Qpeed專利的矽組件技術。Qspeed的高效能特色,歸功於運用傳統的材料與製程,而研發出高效率的創新製程。同時,這也意味著客戶可獲得累積超過50年產業經驗,以及優異的矽晶圓製程技術來協助客戶降低其矽組件成本與提升其可靠度,以發揮卓越的效能。
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