產品特性：

• 產品功率水平將在100W至300W之間
• 覆蓋了700 MHz至2.7 GHz範圍的主要頻帶
• HV8提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益
• 42.5%的漏極效率
• 良好的寬帶線性 

應用範圍：

• 滿足W-CDMA和WiMAX等高數據速率應用
• 符合LTE和多載波GSM等新興標準的嚴苛要求

飛思卡爾半導體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發射器降低功耗的迫切需求。

飛思卡爾的第八代高壓 （HV8）射頻功率 LDMOS 技術沿襲了公司一貫領先的射頻功率晶體管技術
，專門用來滿足W-CDMA和WiMAX等高數據速率應用以及LTE和多載波GSM等新興標準的嚴苛要求。基於HV8技術的係列器件針對先進功率放大器架構中的運行做了優化，包括與數字預失真（DPD）結合使用的Doherty。

飛思卡爾HV8技術的首要優勢是提高了運行效率
，這樣就幫助降低了基站係統的總功耗
，進而降低了運營成本。此外
，HV8還能夠適應先進係統架構的更嚴苛的操作環境要求。

最初幾款產品的功率水平將在100W至300W之間。此外，HV8產品還能夠利用並擴大飛思卡爾的低成本模壓封裝係列，具有極高的價值
，覆蓋了700 MHz至2.7 GHz範圍的主要頻帶。

針對900 MHz頻帶內的運行做了優化的晶體管有望率先從HV8 射頻功率 LDMOS技術中受益，以有效滿足多載波GSM係統的嚴苛要求。Doherty參考設計專門針對MC-GSM市場做了優化，顯示出出色的效率和DPD校正性能
，即使是在一些最嚴格的信號配置條件下。

HV8 性能
作為HV8性能的一個示例

，采用雙MRF8S9260HHS晶體管的對稱Doherty參考設計（針對多載波GSM應用）能夠提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏極效率（在49.4 dBm (87W)的平均輸出功率水平情況下）以及良好的寬帶線性。DPD評估也顯示，在高達20 MHz的信號帶寬中，使用6個GSM載波能夠很好地校正這種參考設計。

MRF8S9260H、MRF8S9170N
、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶體管也達到了類似的性能結果。

飛思卡爾的HV8 LDMOS平台有效滿足了功率放大器製造商的成本
、性能和可靠性要求
，彰顯了飛思卡爾致力於成為通信係統射頻領導者的承諾 。