產品特性：

• 形成陷阱能級，從而實現高速trr化 (比傳統約縮短60%)
• 高速開關: RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC
• 低導通電阻：4.3Ω/mm²

應用範圍：

• 液晶電視的背光逆變器
• 照明用逆變器
• 馬達驅動器和開關電源等所有使用橋接電路的裝置

半導體製造商ROHM株式會社 (總部設在京都市) 成功開發出麵向液晶電視的背光逆變器、照明用逆變器
、馬達驅動器和開關電源等所有使用橋接電路的裝置
，其性能達到業界超高水平※的高耐壓功率MOSFET「F係列」。這一新產品係列預定從2009年2月開始供應樣品 (樣品價格300日元/個)，並於2009年4月開始以月產100萬個的規模批量生產。按計劃，生產過程的前一段工序安排在ROHM/阿波羅器件株式會社(福岡縣)、 ROHM築波株式會社(茨城縣) 進行；後一段工序則將在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰國) 完成。

近(jin)年(nian)來(lai)
，隨(sui)著(zhe)液(ye)晶(jing)電(dian)視(shi)機(ji)等(deng)需(xu)要(yao)節(jie)能(neng)化(hua)的(de)裝(zhuang)置(zhi)市(shi)場(chang)逐(zhu)步(bu)擴(kuo)大(da)，對(dui)應(ying)用(yong)於(yu)這(zhe)些(xie)裝(zhuang)置(zhi)的(de)電(dian)源(yuan)外(wai)圍(wei)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)等(deng)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)也(ye)提(ti)出(chu)了(le)高(gao)效(xiao)率(lv)化(hua)和(he)削(xue)減(jian)元(yuan)器(qi)件(jian)數(shu)量(liang)的(de)要(yao)求(qiu)。現(xian)在(zai)
，作(zuo)為(wei)高(gao)效(xiao)率(lv)產(chan)品(pin)的(de)500 to 600V級高耐壓MOSFET
，采用傳統平麵結構的已經不多，而開關速度快、導通電阻低的超結結構成了主流。但是，超結結構在結構上存在一個需要破解的課題，那就是內部二極管的反向恢複時間 (以下稱為: trr) 長。因此
，在應用於有再生電流流過MOSFET的內部二極管的橋接電路等情況時
，為了提高高頻隨動性而需要在漏-源極間並聯接入快速恢複二極管(以下稱為: FRD)。

新開發的「F係列」為使trr達到高速化
，成功地在超結MOSFET的元件內部形成局部的陷阱能級

，從而使得trr從160ns縮短為70ns，也就是比普通的超結結構產品縮短約60%，這在業界前所未有。雖然在元件內部形成陷阱能級就可以縮短trr
，但這對於超結結構來說無論在結構上
，還是在製造工藝上都是難點。然而，這一次ROHM解決了這一難題，在世界上首先開發出在元件內部形成局部陷阱能級的超結MOSFET。於是，無需接入FRD就可以應用於橋接電路，這對削減元器件數量、減小基片麵積和達到高頻化，使得變壓器等小型化，從而實現裝置小型化、低成本化有很大的貢獻。

ROHM今後還要以這次開發成功的「F係列」為首，
充分利用ROHM獨創的領先進製造工藝，努力開發能夠搶先滿足用戶需求的晶體管產品。
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■高速trr、高速開關高耐壓MOSFET「F係列」的主要特長

1. 形成陷阱能級
   ，從而實現高速trr化 (比傳統約縮短60%)
2. 高速開關: RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC
3. 低導通電阻 ： 4.3Ω/mm²

■電路案例

■技術名詞解釋

• 橋接電路
  在高側和低側分別配置開關器件
  ，使其交互地處於ON-OFF狀態的電路。它有半橋式
  、全橋式等不同形式。
• 平麵結構
  又稱為D-MOS結構。它是在矽基片某一邊的表麵用雙擴散工藝形成P型層和N型層的結構。
• 超結結構
  在矽基片內周期性地排列配置縱向PN結的結構。
• 反向恢複時間(trr)
  MOSFET的內部二極管在電壓由正向改變為反向時，有瞬時的反向電流通過的時間。
• 陷阱能級
  為了減少載流子累積的能級。