產品特性：

• 通態電阻能效比同類產品高出達50%
• 采用TO-247封裝
• N溝道MOSFET係列可提供40V至200V電壓
• 符合工業級及MSL1要求
• 不含鉛並符合RoHS

應用範圍：

• 同步整流、動態ORing
• 高功率DC馬達、DC-AC轉換器
• 電動工具等工業應用

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態電阻(RDS (on))的溝道型HEXFET功率MOSFET係列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用於同步整流、動態ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉換器及電動工具等工業應用。

新MOSFET的通態電阻 (RDS (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助於節省總係統成本。此外，低RDS (on) 可降低導通損耗，並提升係統效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個係列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝
，使係統成本降低50%。”

全新N溝道MOSFET係列可提供40V至200V電壓


，也符合工業級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛並符合電子產品有害物質限製 (RoHS) 指令。