產品特性：

• 采用具有雙麵冷卻功能的PolarPAK封裝
  ，散熱出色
• 低導通電阻：最大0.0024Ω
• 低Qgd/Qgs比率
• Qrr 為 30 nC，VSD 為 0.37 V
• 可通過Rg和UIS測試

應用範圍：

• 服務器和通信係統
• VRM運用
• 顯卡和負載點等應用

Vishay目前宣布，推出業內首款采用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強迫通風冷卻功能的係統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙麵冷卻功能的PolarPAK封裝
，可提升高電流
、高頻運用的效率。

新型SiE726DF在10V柵極驅動時，具有極低的導通電阻，最大為0.0024Ω（在4.5V驅動時，最大為0.0033Ω）
，且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%
，為服務器和通信係統中的高電流直流—直流轉換器的同步整流低端控製開關、VRM運用、顯卡和負載點等應用進行了優化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率
，能夠提供良好的擊穿保護。

該器件的 Qrr 為 30 nC 且 VSD 為 0.37 V — 兩者均比標準MOSFET低50%以上 — 集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF因為寄生器件減少和MOSFET體(ti)二(er)極(ji)管(guan)相(xiang)關(guan)的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)降(jiang)低(di)，效(xiao)率(lv)也(ye)得(de)到(dao)了(le)提(ti)高(gao)。隨(sui)著(zhe)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)升(sheng)高(gao)，功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)減(jian)少(shao)越(yue)來(lai)越(yue)顯(xian)著(zhu)。此(ci)外(wai)，取(qu)消(xiao)外(wai)接(jie)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)可(ke)在(zai)降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)的(de)同(tong)時(shi)
，令(ling)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)創(chuang)造(zao)出(chu)更(geng)小(xiao)、更簡潔的電路設計。

PolarPAK封裝提供的雙麵冷卻功能在高電流運用領域表現出更出色的散熱性能。這使器件能夠在更低結溫下運作，頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。除簡化生產外

，基於引線框架的密封設計因芯片密封，同樣提供了保護和可靠性。無論芯片大小，該器件提供相同的布局布線
，簡化PCB設計，且100%通過Rg 和 UIS 測試。

目前
，可提供SiE726DF的樣品與量產批量，大宗訂單的的供貨周期為 10 至14 周。