產品特性：

• 600V N溝道MOSFET晶體管
• 導通電阻:0.060歐姆，低損耗
• TO-247封裝
• 最大漏極電流達到51A
• 恢複時間短

應用範圍：

• 再生能源控製器
• 以能效為中心的應用環境

意法半導體推出快速恢複MOSFET晶jing體ti管guan新xin產chan品pin係xi列lie，用yong於yu包bao括kuo再zai生sheng能neng源yuan控kong製zhi器qi在zai內nei的de以yi能neng效xiao為wei中zhong心xin的de應ying用yong需xu求qiu。新xin產chan品pin在zai現xian有you產chan品pin的de基ji礎chu上shang提ti高gao了le開kai關guan性xing能neng，同tong時shi還hai使shi導dao通tong電dian阻zu實shi現xian超chao過guo18%的降幅。

STW55NM60ND是新的超結FDmesh™ II係列產品的首款產品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管

，0.060歐姆的導通電阻在快速恢複MOSFET晶體管市場上創下最低記錄，采用工業標準的TO-247封裝。由於最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴格要求的電信設備和服務器係統轉換器中
，可以用一個MOSFET晶體管替代多個標準器件。再加上降低的損耗實現更高的熱管理效率，新產品讓設計工程師大幅度提高功率密度。

為把這些改進的性能變為現實，ST對FDmesh超結架構進行了技術改進，在傳統的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構，同時還內置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢複時間外，通過降低柵電容、柵(zha)電(dian)荷(he)和(he)柵(zha)輸(shu)入(ru)電(dian)阻(zu)，這(zhe)些(xie)技(ji)術(shu)改(gai)良(liang)更(geng)能(neng)提(ti)高(gao)開(kai)關(guan)效(xiao)率(lv)，降(jiang)低(di)驅(qu)動(dong)損(sun)耗(hao)。在(zai)開(kai)關(guan)期(qi)間(jian)提(ti)高(gao)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)
，特(te)別(bie)是(shi)在(zai)橋(qiao)式(shi)拓(tuo)撲(pu)中(zhong)
，包(bao)括(kuo)在(zai)低(di)負(fu)載(zai)下(xia)的(de)零(ling)壓(ya)開(kai)關(guan)（ZVS）結構，使新產品具有很高的dv/dt值。

采用這項技術的未來產品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢複MOSFET晶體管具有很低的導通電阻。其中
，STP30NM60ND采用TO-220封裝，額定漏極電流25A
，導通電阻0.13歐姆；STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝
，漏極電流10A，導通電阻0.45歐姆；ST的FDmesh II係列產品將不斷推出新產品，以擴大電壓和電流性能的選擇範圍，後續產品將采用業內標準的功率封裝。