①增加發光的大小。單一的LED發光區域和有效地增加流動的電流量
，通過均勻分布層TCL，以達到預期的磁通。但是，簡單地增大發光麵積不解決這個問題，散熱問題
，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

②矽底板倒裝法。共晶焊料，首先，準備一個大的LED麵板燈芯片，並準備一個合適的尺寸，在矽襯底和矽襯底
，使用金的共晶釺料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭)，以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的矽襯底。這樣的結構更加合理

，不僅要考慮這個問題，考慮到光與熱的問題
，這是主流的大功率LED生產。

Lumileds公司，美國在2001年開發出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結構，製造過程：第一P型氮化镓外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A，並返回的反射Niau的歐姆接觸，然後選擇性地蝕刻，使用掩模，在P型層和多量子阱有源層

，露出N型層澱積，蝕刻後形成的N型歐姆接觸層1的1mm×1mm的一側的P型歐姆接觸，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，芯片尺寸
，從而使當前的擴展距離可以縮短
，以盡量減少支持和銦镓鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的矽芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

③陶瓷板倒裝法。通用裝置的晶體結構的LED麵板燈芯片的LED芯片的下一個大的
，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釺料層和導電層，在該區域產生的相應的引線
，焊接電極中使用水晶LED芯(xin)片(pian)和(he)大(da)規(gui)格(ge)陶(tao)瓷(ci)薄(bo)板(ban)焊(han)接(jie)的(de)焊(han)接(jie)設(she)備(bei)。這(zhe)樣(yang)的(de)結(jie)構(gou)是(shi)需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)的(de)問(wen)題(ti)，也(ye)是(shi)需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)的(de)問(wen)題(ti)，光(guang)

，熱(re)，使(shi)用(yong)高(gao)導(dao)熱(re)陶(tao)瓷(ci)板(ban)，陶(tao)瓷(ci)板(ban)
，散(san)熱(re)效(xiao)果(guo)非(fei)常(chang)好(hao)，價(jia)格(ge)也(ye)比(bi)較(jiao)低(di)，更(geng)適(shi)合(he)為(wei)當(dang)前(qian)的(de)基(ji)本(ben)包(bao)裝(zhuang)材(cai)料(liao)和(he)空(kong)間(jian)保(bao)留(liu)給(gei)將(jiang)來(lai)的(de)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)一(yi)體(ti)化(hua)。

④藍寶石襯底過渡方法。在藍寶石襯底除去後的PN結的製造商，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然後再連接的傳統的四元材料，製造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上，通過常規的方法。

⑤AlGaInN的碳化矽(SiC)背麵光的方法。美國CREE公司是世界上唯一的碳化矽基板的AlGaInN超高亮度LED製造商，多年來生產的AlGaInN/SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由於在P型和N型電極分別位於該芯片的頂部和底部
，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性，易用性
，因而成為主流產品的發展AlGaInNLED另一個。

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