機遇與挑戰：

• 分立器件產業麵臨機遇
• 技術創新應緊貼市場需求
• 封裝技術進步提升器件品質

從市場應用而言

，消費電子


、計(ji)算(suan)機(ji)和(he)網(wang)絡(luo)通(tong)信(xin)是(shi)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)傳(chuan)統(tong)的(de)三(san)大(da)應(ying)用(yong)市(shi)場(chang)，而(er)近(jin)年(nian)來(lai)汽(qi)車(che)電(dian)子(zi)和(he)電(dian)子(zi)照(zhao)明(ming)領(ling)域(yu)的(de)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)市(shi)場(chang)也(ye)在(zai)迅(xun)速(su)增(zeng)長(chang)。目(mu)前(qian)國(guo)內(nei)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)盡(jin)管(guan)已(yi)經(jing)具(ju)有(you)一(yi)定(ding)的(de)產(chan)業(ye)規(gui)模(mo)
，但(dan)其(qi)發(fa)展(zhan)與(yu)國(guo)內(nei)市(shi)場(chang)的(de)需(xu)求(qiu)相(xiang)比(bi)仍(reng)存(cun)在(zai)較(jiao)大(da)差(cha)距(ju)，中(zhong)國(guo)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)產(chan)業(ye)的(de)高(gao)速(su)發(fa)展(zhan)必(bi)須(xu)以(yi)持(chi)續(xu)的(de)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)為(wei)動(dong)力(li)。

分立器件產業麵臨機遇
 
dianzixinxichanyehezhengjizhizaoyedekuaisufazhan，daidonglebandaotifenliqijianchanyedefazhan。zuoweibandaotichanyedezhongyaozuchengbufen，fenliqijianjuyouqizishendetedian。“集成電路發展很快，功能越來越強
，但是半導體分立器件仍將在不少領域繼續存在、發展。正如人類有了飛機，但仍然需要火車、汽車一樣。”中電科技集團公司十三所科技委主任李鬆法向記者解釋道。

分立器件在高功率、高電壓、dadianliudengchuantongyingyonglingyujiangjixufahuiqibuketidaidezuoyong，zaixuduoxinxingdeyingyonglingyuyejiangbanyanbukehuoquedejiaose。hangzhoushilanweidianzigufenyouxiangongsifenliqijianshiyebuzongjinglitangxueminzaijieshoucaifangshibiaoshi：“整(zheng)機(ji)市(shi)場(chang)穩(wen)步(bu)放(fang)量(liang)


，帶(dai)動(dong)了(le)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)用(yong)量(liang)的(de)不(bu)斷(duan)擴(kuo)大(da)

，而(er)隨(sui)著(zhe)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)技(ji)術(shu)的(de)進(jin)步(bu)，在(zai)集(ji)成(cheng)許(xu)多(duo)周(zhou)邊(bian)器(qi)件(jian)的(de)同(tong)時(shi)，也(ye)推(tui)動(dong)著(zhe)新(xin)功(gong)能(neng)器(qi)件(jian)的(de)發(fa)展(zhan)。比(bi)如(ru)隨(sui)著(zhe)CMOS（互補型金屬-氧化物-半導體）工藝向深亞微米發展，對ESD（靜電放電）保護器件提出了更高的要求
，使得該器件用量劇增。此外，由於強調綠色、環保、節能的電源產品
，許多電力電子器件獲得了長足的發展，例如高壓MOS（金屬-氧化物-半導體）功率晶體管在電源領域已獲得極為廣泛的應用，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）在電機變頻驅動領域也已大顯身手。”

隨著器件性能的突破

，分立器件也拓展了許多新的應用領域。“例如隨著高亮度藍光芯片技術性能的不斷提升和成本的降低，大型全彩LED（發光二極管）顯示屏得以大量應用，同時，LED在戶外景觀照明、LCD（液晶顯示屏）的背光、特種照明等領域都已取得了長足的發展。”湯學民補充道。
 
天津中環半導體股份有限公司總經理沈浩平也向記者表達了類似的觀點，他說：“由(you)於(yu)能(neng)源(yuan)和(he)環(huan)境(jing)兩(liang)方(fang)麵(mian)的(de)壓(ya)力(li)，近(jin)年(nian)來(lai)功(gong)率(lv)電(dian)子(zi)得(de)到(dao)了(le)快(kuai)速(su)的(de)增(zeng)長(chang)，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)新(xin)興(xing)的(de)工(gong)業(ye)國(guo)家(jia)
，由(you)於(yu)能(neng)源(yuan)利(li)用(yong)效(xiao)率(lv)相(xiang)對(dui)較(jiao)低(di)，功(gong)率(lv)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)將(jiang)會(hui)有(you)更(geng)大(da)的(de)發(fa)展(zhan)空(kong)間(jian)。從(cong)消(xiao)費(fei)電(dian)子(zi)角(jiao)度(du)而(er)言(yan)
，幾(ji)乎(hu)所(suo)有(you)便(bian)攜(xie)式(shi)產(chan)品(pin)的(de)瓶(ping)頸(jing)都(dou)在(zai)於(yu)電(dian)池(chi)，所(suo)以(yi)電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)也(ye)可(ke)以(yi)說(shuo)是(shi)一(yi)個(ge)永(yong)恒(heng)的(de)話(hua)題(ti)。此(ci)外(wai)，由(you)於(yu)很(hen)多(duo)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)產(chan)品(pin)具(ju)有(you)小(xiao)批(pi)量(liang)


、多品種、多標準的特點，因此國際大廠商難以壟斷技術。”可見，中國的半導體分立器件企業的確麵臨著良好的發展機遇。

技術創新應緊貼市場需求
 
經(jing)過(guo)幾(ji)十(shi)年(nian)的(de)發(fa)展(zhan)
，中(zhong)國(guo)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)生(sheng)產(chan)企(qi)業(ye)在(zai)中(zhong)低(di)檔(dang)普(pu)通(tong)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)方(fang)麵(mian)已(yi)經(jing)完(wan)全(quan)掌(zhang)握(wo)生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu)，形(xing)成(cheng)了(le)一(yi)定(ding)的(de)生(sheng)產(chan)規(gui)模(mo)

，取(qu)得(de)了(le)有(you)目(mu)共(gong)睹(du)的(de)成(cheng)績(ji)；但是，在一些新興的、市場用量大的產品領域，未能實現突破

，與國際大廠還有比較大的差距，一些性能要求(比如精度要求、可靠性要求等)比bi較jiao高gao的de產chan品pin也ye難nan以yi滿man足zu市shi場chang的de需xu求qiu。此ci外wai，本ben土tu廠chang家jia的de產chan品pin質zhi量liang尚shang未wei達da到dao一yi流liu水shui平ping
，很hen難nan被bei國guo際ji一yi流liu的de整zheng機ji廠chang家jia所suo采cai用yong。因yin此ci，加jia強qiang研yan發fa力li度du、促進技術創新
、提升產品檔次是中國分立器件生產企業的當務之急。
 
不(bu)過(guo)
，沈(shen)浩(hao)平(ping)也(ye)指(zhi)出(chu)
，技(ji)術(shu)是(shi)生(sheng)產(chan)要(yao)素(su)之(zhi)一(yi)
，同(tong)時(shi)也(ye)是(shi)滿(man)足(zu)需(xu)求(qiu)的(de)一(yi)種(zhong)手(shou)段(duan)，因(yin)此(ci)我(wo)們(men)不(bu)能(neng)脫(tuo)離(li)產(chan)品(pin)市(shi)場(chang)而(er)孤(gu)立(li)地(di)談(tan)論(lun)技(ji)術(shu)，中(zhong)國(guo)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)企(qi)業(ye)在(zai)重(zhong)視(shi)技(ji)術(shu)研(yan)發(fa)的(de)同(tong)時(shi)也(ye)不(bu)能(neng)忽(hu)略(lve)市(shi)場(chang)的(de)需(xu)求(qiu)。天(tian)津(jin)中(zhong)環(huan)除(chu)將(jiang)維(wei)持(chi)現(xian)有(you)產(chan)品(pin)在(zai)市(shi)場(chang)競(jing)爭(zheng)中(zhong)的(de)領(ling)先(xian)地(di)位(wei)之(zhi)外(wai)，還(hai)將(jiang)利(li)用(yong)新(xin)建(jian)的(de)芯(xin)片(pian)生(sheng)產(chan)線(xian)，致(zhi)力(li)於(yu)VDMOS（垂直雙擴散MOS器件）、IGBT等功率半導體器件領域的研發和生產。

湯(tang)學(xue)民(min)則(ze)認(ren)為(wei)，技(ji)術(shu)升(sheng)級(ji)是(shi)一(yi)個(ge)循(xun)序(xu)漸(jian)進(jin)的(de)係(xi)統(tong)工(gong)程(cheng)
，不(bu)能(neng)指(zhi)望(wang)一(yi)夜(ye)之(zhi)間(jian)就(jiu)趕(gan)超(chao)國(guo)際(ji)大(da)廠(chang)，如(ru)何(he)在(zai)現(xian)有(you)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)基(ji)礎(chu)上(shang)提(ti)升(sheng)產(chan)品(pin)質(zhi)量(liang)水(shui)平(ping)和(he)提(ti)高(gao)產(chan)品(pin)一(yi)致(zhi)性(xing)是(shi)中(zhong)國(guo)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)生(sheng)產(chan)企(qi)業(ye)的(de)工(gong)作(zuo)重(zhong)點(dian)。士(shi)蘭(lan)微(wei)電(dian)子(zi)2003年第一條芯片生產線投入生產以後，2004年開始進行半導體分立器件的研發
，現已陸續推出開關二極管
、穩壓二極管、肖特基管、高低壓的VDMOS功率晶體管、瞬態電壓抑製二極管（TVS）
、ESD保護管和快恢複二極管等，已經逐步發展成為國內提供分立器件產品門類最多
、最齊全的芯片提供商。目前，士蘭微已經在工藝開發能力和質量管控能力方麵達到國內領先水平
，尤其是2006年開始量產的高亮度藍綠光LED芯片，在2007年得到了跨越式的發展。
 
封裝技術進步提升器件品質
 
封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)也(ye)是(shi)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)的(de)創(chuang)新(xin)領(ling)域(yu)之(zhi)一(yi)。由(you)於(yu)芯(xin)片(pian)製(zhi)造(zao)技(ji)術(shu)的(de)不(bu)斷(duan)進(jin)步(bu)使(shi)得(de)管(guan)芯(xin)麵(mian)積(ji)大(da)大(da)縮(suo)減(jian)，封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)所(suo)麵(mian)臨(lin)的(de)挑(tiao)戰(zhan)就(jiu)進(jin)一(yi)步(bu)凸(tu)顯(xian)出(chu)來(lai)。與(yu)此(ci)同(tong)時(shi)，管(guan)芯(xin)麵(mian)積(ji)的(de)縮(suo)小(xiao)也(ye)對(dui)器(qi)件(jian)的(de)散(san)熱(re)提(ti)出(chu)了(le)更(geng)高(gao)的(de)要(yao)求(qiu)。

舉例而言，通常的SMD（表麵貼裝器件）封裝引出線多為向兩側或四周探出呈“蟹爪”狀並占據了一定的空間，而QFN(四方扁平)封裝電極焊接部位全部隱含在其四方扁平QFN塑封體的底部，沒有絲毫的突露和引出
，因此，QFN塑封體的幾何尺寸同時規定了封裝樹脂和電極端部。與SMD相比
，QFN所占有的組裝空間更小
，可以提高單位體積器件的組裝密度，並使PCB板節約出更多的空間。針對器件散熱能力麵臨的新挑戰，QFN高密度封裝利用公共電極正好在芯片的下麵的特點，使散熱更加有效。

一般片式1*5二極管陣列其典型體積為2.9mm×2.8mm×1.1mm(5管)，而蘇州固锝電子股份有限公司研發的QFN1*5二極管陣列可將體積縮小為1.6mm×1.6mm×0.75mm(5管)，其體積是前者的21.5%，且無外引線，從而大大提高安裝精度及可靠性。該器件可用在筆記本電腦、CPU電路、微型移動通信電路(手機等)
、數字音視頻電路
、通信整機、數碼相機等消費類電子領域的超大規模集成電路中
，作為接在輸入端防靜電和瞬時電流、電壓的二極管陣列芯片
，是一種無引線封裝器件。相對一般SMD片式1*5二極管陣列而言，該產品無論在體積還是可靠性方麵都取得了巨大的進步。