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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑製二極管係列
意法半導體推出SMM4F係列單向Transil瞬變電壓抑製二極管，新係列產品在三個主要方麵提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8係列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8係列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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TR8係列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8係列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT係列
意法半導體推出一係列新的IGBT，新係列產品采用高效的壽命控製工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用於工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT係列
意法半導體推出一係列新的IGBT，新係列產品采用高效的壽命控製工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用於工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT係列
意法半導體推出一係列新的IGBT，新係列產品采用高效的壽命控製工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用於工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT係列
意法半導體推出一係列新的IGBT，新係列產品采用高效的壽命控製工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用於工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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