導通

在負載電流過零時，門極用直流或單極脈衝觸發，優先采用負的門極電流，理由如下。若運行在3+象限，由於雙向可控矽的內部結構
，門極離主載流區域較遠，導致下列後果：

1.高IGT：需要高峰值IG。

2.由IG觸發到負載電流開始流動，兩者之間遲後時間較長：要求IG維持較長時間。

3.低得多的dIT/dt承受能力：若控製負載具有高dI/dt值（例如白熾燈的冷燈絲）
，門極可能發生強烈退化。

4.高IL值（1-工況亦如此）：對於很小的負載
，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的IG，才能讓負載電流達到較高的IL。在標準的AC相位控製電路中，如燈具調光器和家用電器轉速控製，門極和MT2的極性始終不變。這表明
，工況總是在1+和3-象限，這裏雙向可控矽的切換參數相同。這導致對稱的雙向可控矽切換，門極此時最靈敏。

說明：以1+
、1-、3-和3+標誌四個觸發象限，完全是為了簡便
，例如用1+取代“MT2+，G+”等等。這是從雙向可控矽的V/I特性圖導出的代號。正的MT2相應正電流進入MT2
，相反也是（見圖3）。實際上，工況隻能存在1和3象限中。上標+和-分別表示門極輸入或輸出電流。

將上述內容進行精華總結，就是本文中想要向大家傳達的
，雙向可控矽中導通的關鍵準則：設計雙向可控矽觸發電路時，隻要有可能，就要避開3+象限（WT2-，G+）。

本ben文wen針zhen對dui雙shuang向xiang可ke控kong矽gui應ying用yong中zhong關guan於yu導dao通tong方fang麵mian的de內nei容rong進jin行xing精jing華hua總zong結jie，給gei出chu言yan簡jian意yi賅gai總zong結jie內nei容rong的de同tong時shi，還hai將jiang規gui則ze的de由you來lai與yu原yuan理li進jin行xing了le講jiang解jie，方fang便bian讀du者zhe理li解jie。在zai進jin行xing雙shuang向xiang可ke控kong矽gui設she計ji之zhi前qian不bu妨fang花hua上shang幾ji分fen鍾zhong來lai閱yue讀du本ben文wen，詳xiang細xi一yi定ding會hui有you意yi想xiang不bu到dao的de收shou獲huo。

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