前兩天，跟某友商交流，是一位測試領域的大牛，他們也經營著一個自媒體。每到大家激起一些火花，大牛就會說“看，又是一篇好文章了吧”。看來大牛他們寫文章的壓力也很大啊，想到這裏，小陳不禁潸然淚下，手一抖，把抽絲剝繭打成了愁死脖間•••

 

槽要吐
，文章還是要寫的。大家知道
，做一些layout guide是信號完整性工程師的基本工作之一，layout guide可以說是一些SI規則的物理體現。某同學發現了一份這樣的layout guide：

拓撲是這樣子的

要求是這樣子的

 

可以看到
，主幹段M隻有阻抗要求，沒有長度要求。而分支B1/B1’/B2/’B2’隻有長度要求沒有阻抗要求，這是為啥？

 

首shou先xian，我wo們men知zhi道dao大da部bu分fen器qi件jian的de驅qu動dong阻zu抗kang是shi較jiao低di的de，這zhe樣yang減jian小xiao驅qu動dong器qi本ben身shen的de分fen壓ya
，雖sui然ran這zhe樣yang會hui造zao成cheng較jiao大da的de源yuan端duan反fan射she。而er速su率lv越yue來lai越yue高gao時shi，需xu要yao在zai功gong耗hao和he信xin號hao完wan整zheng性xing做zuo一yi個ge平ping衡heng，驅qu動dong阻zu抗kang漸jian漸jian的de高gao了le起qi來lai
，而er上shang拓tuo撲pu為weiDDR2

，驅動阻抗通常在33歐姆左右，將M段的阻抗控製在33歐姆

，則意味著源端反射非常小，這樣所有進入M段往驅動端走的反射信號全部有去無回。M段的長度，也就不會對接收端信號造成什麼影響了
，如下圖：

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而在M與B/T交界的節點處，反射是不可避免的。最重要的是第一次從M過(guo)來(lai)在(zai)這(zhe)個(ge)點(dian)的(de)反(fan)射(she)，以(yi)及(ji)第(di)一(yi)次(ci)從(cong)接(jie)收(shou)端(duan)反(fan)射(she)回(hui)來(lai)的(de)能(neng)量(liang)
，之(zhi)後(hou)的(de)反(fan)射(she)波(bo)由(you)於(yu)分(fen)壓(ya)以(yi)及(ji)反(fan)射(she)係(xi)數(shu)等(deng)原(yuan)因(yin)能(neng)量(liang)是(shi)非(fei)常(chang)小(xiao)的(de)，可(ke)以(yi)忽(hu)略(lve)不(bu)計(ji)。

 

先來看第一次從M過來在這個點的反射。我們知道幾個電阻的並聯阻抗必定小於其中任意電阻的阻抗
，傳輸線同理。假如B段阻抗為60歐姆，從M往接收端看的阻抗為58//60//60≈20歐姆，反射係數24%
；假如B段阻抗為40，從M往接收端看的阻抗為58//40//40≈15歐姆
，反射係數37%。差別看起來不是特別大，所以B並沒有明確的阻抗要求，但其實layout guide裏還有一句話，就是B段走線走越細越好。

 

zailaikankandiyicicongjieshouduanfanshehuilaidenengliang，zhekejiujianbuduanlihailuanle。buguodajiazhidao，yingxiangfanshedechulezukanghaiyouzouxianchangdu，zouxianjiaoduandehua，fanshejianghuiyanmeizaishangshengshijianzhizhong。womenlaikanyixiaxianchangfuheyaoqiushizukangbianhuadeqingkuang：

看來隻要分支長度保證了，其實阻抗影響並不大。關於各種拓撲，可以變的魔術還是非常多的
，layout guide可不是隻有“x/x/x/x信號阻抗控製50Ω”的哦。