分享:一次性1TB NAS硬盤成形記
發布時間:2014-12-08 責任編輯:sherryyu
【導讀】當我手裏拿著這塊硬盤時,忽然意識到20多年前自己拿到40MB硬盤時欣喜若狂的樣子是多麼好笑。而現在,在原來的1TB硬盤損壞之後,我隻要花170美元就可以買到一個3TB的新硬盤。它是怎麼做成的?我們為什麼會理所當然地使用它?我必須探究一下這個問題。
當你的外接式網絡存儲(NAS)硬ying盤pan正zheng在zai做zuo備bei份fen時shi,不bu要yao試shi圖tu在zai它ta的de周zhou圍wei進jin行xing清qing理li,因yin為wei你ni可ke能neng會hui碰peng到dao它ta。我wo就jiu遇yu到dao過guo這zhe樣yang的de情qing況kuang,當dang時shi我wo所suo有you的de數shu據ju都dou存cun儲chu在zai一yi個ge正zheng常chang運yun行xing的de1TB硬盤上,不小心碰到它後,我的硬盤就幾乎變成了一個實實在在的擋門器。
這款1TBNAS硬盤由西部數據公司(Western Digital/WD)生產,屬於My Book World Edition係列。我用它做多台電腦的備份,還通過共享路由器,用Sonos音頻網絡播放流音樂。雖然它已經損壞,但我仍然可以利用其它的外接硬盤恢複數據,並將數據轉存到新買的3TB硬盤中。
當我手裏拿著這塊硬盤時,忽然意識到20多年前自己拿到40MB硬盤時欣喜若狂的樣子是多麼好笑。而現在,在原來的1TB硬盤損壞之後,我隻要花170美元就可以買到一個3TB的新硬盤。它是怎麼做成的?我們為什麼會理所當然地使用它?我必須探究一下這個問題。
經過多年的發展,人們對於電磁鐵、量子原理、材料、信道均衡、電dian動dong機ji控kong製zhi和he電dian動dong機ji定ding位wei算suan法fa的de基ji礎chu研yan究jiu都dou可ke通tong過guo這zhe些xie硬ying盤pan得de以yi體ti現xian。一yi個ge小xiao小xiao的de拆chai卸xie件jian可ke供gong人ren們men談tan論lun的de遠yuan不bu止zhi這zhe些xie,而er我wo們men總zong是shi習xi以yi為wei常chang地di使shi用yong硬ying盤pan。像xiang往wang常chang一yi樣yang,我wo會hui繼ji續xu研yan究jiu這zhe些xie零ling部bu件jian,就jiu像xiang品pin味wei一yi本ben好hao書shu一yi樣yang。這zhe種zhong產chan品pin凝ning聚ju了le那na麼me多duo的de想xiang法fa、研究和創新,將它拋棄實在於心不忍,但在妻子給我臉色看之前我所了解的隻有這些。

1,主控板外殼帶有I/O端口、電源鍵、重置鍵及控製電子元件。
2,控製板外包有金屬罩,通過直角邊緣連接器與硬盤連接。整個硬盤通過四個橡膠“減震”支架與主機箱相連,希望它的減震效果會更好。
3,取下封蓋後,可以看到塑料光導管,即在硬盤前方看起來很酷的、配套的、可以上下燈閃動的導管(有沒有霹靂遊俠的影迷?跟影片中車燈的效果差不多)。光導管傳輸的光源來自主控板上一個LED池,池中共安裝了6隻LED。感覺很奇妙,因為這是我第一次看到原裝的光導管。

4,與WDNAS主控板和接口板連接的安費諾(Amphenol)842864SATA003HF90度連接器。
5,鈺創科技(EtronTech)EM6AA160TSA-5G,DDRSDRAM的傳輸速率為256Mbit/s。
6,Marvell88i8846係統控製處理器。
7,由意法半導體公司(ST Microelectronics)生產的SMOOTHL72513.1電機控製和硬盤集成電路。
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8,與硬盤電機相連的四腳接口,帶狀心跳線,需牢固、小心地安裝。

9,備用電池。
10,尾部的電源鍵,其後是USB接口、以太網接口、重置鍵和電源輸入接口。
11,共有三個塑料罩,每個塑料罩下麵裝有兩隻LED,燈光被導到硬盤正麵。
12,2008年推出的LSITruePHYET1011C2-C千兆以太網收發器。該產品基於0.13μm技術開發,完全遵從IEEE802.3、802.3u及802.3ab等標準。它的主要賣點是使用的過采樣結構可以提高均衡度。
13,由牛津半導體公司(OxfordSemiconductor)生產的OXE810DSE(自PLXTech收購Oxford後改稱為PLX810)是一個雙SATA千兆以太網控製器。它是主接口IC,通過迷你PCI支持802.11標準。如今它已被NAS7821替代。2010年,BrianDipert也拆卸了一個更老式的WDNAS硬盤,並在相關文章中也對PLX芯片進行了描述。該PLX芯片的DDR2內存(HynixHY5PS1G1631C)也為1GB。

14,三個盤片(盤片及磁頭相關技術在過去20年中取得了很大的發展。欲了解現代存儲技術,包括巨磁電阻乃至自旋電子和量子比特的更多信息。
15,音圈和釹磁鐵殼(音圈位於上端和下端兩塊磁鐵之間,帶有連接至SMOOTHL7251的四線接口,以控製讀/寫磁頭位置並獲取數據)。
16,靜止的磁頭電樞(電樞由左側位於鍍鎳釹磁鐵之間的音圈電機驅動,鍍鎳釹磁鐵是當今吸引力最強的永磁)。
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